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TIS74_J35Z

TIS74_J35Z

참조 용

부품 번호 TIS74_J35Z
PNEDA 부품 번호 TIS74_J35Z
설명 JFET N-CH 30V 0.35W TO92
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,320
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TIS74_J35Z 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TIS74_J35Z
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET

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TIS74_J35Z 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)30V
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)20mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id2V @ 4nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds18pF @ 10V (VGS)
저항-RDS (켜짐)40 Ohms
전력-최대350mW
작동 온도-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지TO-92-3

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

107µA @ 2V

전류 드레인 (Id)-최대

2mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

100mW

작동 온도

-20°C ~ 80°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-723

공급자 장치 패키지

SSSMini3-F1

TF252TH-4A-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

140µA @ 2V

전류 드레인 (Id)-최대

1mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

100mV @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3.1pF @ 2V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

100mW

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

3-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

VTFP

BSV79

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

20mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

2V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

40 Ohms

전력-최대

350mW

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-18

J109

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

25V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

40mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

2V @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

12 Ohms

전력-최대

625mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

MMBF4391

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

4V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14pF @ 20V

저항-RDS (켜짐)

30 Ohms

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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