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UPA2383T1P-E1-A#YW

UPA2383T1P-E1-A#YW

참조 용

부품 번호 UPA2383T1P-E1-A#YW
PNEDA 부품 번호 UPA2383T1P-E1-A-YW
설명 MOSFET
제조업체 Renesas Electronics America
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UPA2383T1P-E1-A#YW 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호UPA2383T1P-E1-A#YW
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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UPA2383T1P-E1-A#YW 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
FET 유형-
FET 기능-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

215mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

400pF @ 25V

전력-최대

600mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

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시리즈

-

FET 유형

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V (1kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

22A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

420mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

186nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5200pF @ 25V

전력-최대

390W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

53mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11.5mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

57.4nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2607pF @ 10V

전력-최대

2.14W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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