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ZXMD63C03XTC

ZXMD63C03XTC

참조 용

부품 번호 ZXMD63C03XTC
PNEDA 부품 번호 ZXMD63C03XTC
설명 MOSFET N/P-CH 30V 8MSOP
제조업체 Diodes Incorporated
단가
1 ---------- $1.7105
250 ---------- $1.6303
500 ---------- $1.5501
1,000 ---------- $1.4699
2,500 ---------- $1.4031
5,000 ---------- $1.3363
재고 있음 392
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ZXMD63C03XTC 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ZXMD63C03XTC
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
ZXMD63C03XTC, ZXMD63C03XTC 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 1,002.96 KB)
PDFZXMD63C03XTC 데이터 시트 표지
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  • ZXMD63C03XTC Distributor

ZXMD63C03XTC 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs135mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs8nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds290pF @ 25V
전력-최대1.04W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지8-MSOP

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FET 유형

2 P-Channel (Dual) Common Source

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

68mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

410pF @ 10V

전력-최대

750mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UFBGA, DSBGA

공급자 장치 패키지

6-DSBGA

DMN3032LFDB-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

500pF @ 15V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

U-DFN2020-6 (Type B)

ZXMP3F37DN8TA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

31.6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1678pF @ 15V

전력-최대

1.81W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

NVMFD5877NLT3G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

39mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

540pF @ 25V

전력-최대

3.2W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

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SSM6L39TU,LF

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate, 1.8V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

800mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

143mOhm @ 600MA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

268pF @ 10V

전력-최대

500mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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