ZXMN6A09DN8TA
참조 용
| 부품 번호 | ZXMN6A09DN8TA |
| PNEDA 부품 번호 | ZXMN6A09DN8TA |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC |
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 15,234 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 4 - 12월 9 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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ZXMN6A09DN8TA 리소스
| 브랜드 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | ZXMN6A09DN8TA |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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ZXMN6A09DN8TA 사양
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.3A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 8.2A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 24.2nC @ 5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1407pF @ 40V |
| 전력-최대 | 1.25W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SO |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 11nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 530pF @ 15V 전력-최대 700mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 6-MicroFET (2x2) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 * FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
