절연체

부품 번호	설명	재고 있음
H11D2VM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 7500Vpk 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 300V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음3,672
H11D2W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 300V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음4,932
H11D2-X007 Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 6µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2.5µs, 5.5µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 300V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.1V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음7,074
H11D3 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 200V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음15,255
H11D3 Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 2.5µs, 5.5µs 상승 / 하강 시간 (일반): 5µs, 6µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 200V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.1V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음128
H11D3300 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 200V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음8,982
H11D3300W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 200V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음7,020
H11D33S ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 200V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음8,838
H11D33SD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 200V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음4,428
H11D3M ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4170Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 200V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음25,266
H11D3S ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 200V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음2,610
H11D3SD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 200V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음8,442
H11D3SM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4170Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 200V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음16,338
H11D3SR2M ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 4170Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 200V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음21,840
H11D3W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 200V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음4,734
H11D3-X007 Vishay Semiconductor Opto Division	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 6µs 상승 / 하강 시간 (일반): 2.5µs, 5.5µs 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 200V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.1V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음4,374
H11D4 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 200V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음4,298
H11D4300 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 200V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음8,172
H11D4300W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 200V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음8,748
H11D43S ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 200V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음5,580
H11D43SD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 200V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음8,676
H11D4S ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 200V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음3,472
H11D4SD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 200V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음5,670
H11D4W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: Transistor with Base 전압-출력 (최대): 200V 전류-출력 / 채널: 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA Vce 포화 (최대): 400mV 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음4,752
H11F1 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: MOSFET 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음1,590
H11F1300 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: MOSFET 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음8,370
H11F1300W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: MOSFET 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음7,146
H11F13S ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: MOSFET 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음6,624
H11F13SD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: MOSFET 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음5,652
H11F1M ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 7500Vpk 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 45µs, 45µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: MOSFET 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음89,094

H11D2VM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 7500Vpk
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 300V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음3,672

H11D2W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 300V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음4,932

H11D2-X007

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 6µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2.5µs, 5.5µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 300V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.1V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음7,074

H11D3

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 200V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음15,255

H11D3

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 2.5µs, 5.5µs
상승 / 하강 시간 (일반): 5µs, 6µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 200V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.1V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음128

H11D3300

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 200V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음8,982

H11D3300W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 200V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음7,020

H11D33S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 200V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음8,838

H11D33SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 200V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음4,428

H11D3M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4170Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 200V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음25,266

H11D3S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 200V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음2,610

H11D3SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 200V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음8,442

H11D3SM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4170Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 200V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음16,338

H11D3SR2M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 4170Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 200V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음21,840

H11D3W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 200V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음4,734

H11D3-X007

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 6µs
상승 / 하강 시간 (일반): 2.5µs, 5.5µs
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 200V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.1V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음4,374

H11D4

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 200V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음4,298

H11D4300

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 200V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음8,172

H11D4300W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 200V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음8,748

H11D43S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 200V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음5,580

H11D43SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 200V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음8,676

H11D4S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 200V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음3,472

H11D4SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 200V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음5,670

H11D4W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): 10% @ 10mA
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: Transistor with Base
전압-출력 (최대): 200V
전류-출력 / 채널: 100mA
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
Vce 포화 (최대): 400mV
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음4,752

H11F1

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: MOSFET
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음1,590

H11F1300

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: MOSFET
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음8,370

H11F1300W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: MOSFET
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음7,146

H11F13S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: MOSFET
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음6,624

H11F13SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: MOSFET
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음5,652

H11F1M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 7500Vpk
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 45µs, 45µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: MOSFET
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음89,094

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