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H11B33SD
H11B33SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 18µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington with Base
  • 전압-출력 (최대): 25V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음8,568
H11B3M
H11B3M

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6DIP

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 18µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington with Base
  • 전압-출력 (최대): 55V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음8,226
H11B3M-V
H11B3M-V

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6DIP

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 18µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington with Base
  • 전압-출력 (최대): 55V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음6,750
H11B3S
H11B3S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 18µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington with Base
  • 전압-출력 (최대): 25V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음8,676
H11B3S1(TA)
H11B3S1(TA)

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6SMD

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 18µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington with Base
  • 전압-출력 (최대): 55V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음6,966
H11B3S1(TA)-V
H11B3S1(TA)-V

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6SMD

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 18µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington with Base
  • 전압-출력 (최대): 55V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음3,762
H11B3S1(TB)
H11B3S1(TB)

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6SMD

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 18µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington with Base
  • 전압-출력 (최대): 55V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음2,934
H11B3S1(TB)-V
H11B3S1(TB)-V

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6SMD

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 18µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington with Base
  • 전압-출력 (최대): 55V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음7,938
H11B3SD
H11B3SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 18µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington with Base
  • 전압-출력 (최대): 25V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음3,436
H11B3S(TA)
H11B3S(TA)

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6SMD

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 18µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington with Base
  • 전압-출력 (최대): 55V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음4,878
H11B3S(TA)-V
H11B3S(TA)-V

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6SMD

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 18µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington with Base
  • 전압-출력 (최대): 55V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음7,452
H11B3S(TB)
H11B3S(TB)

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6SMD

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 18µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington with Base
  • 전압-출력 (최대): 55V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음2,718
H11B3S(TB)-V
H11B3S(TB)-V

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6SMD

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 18µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington with Base
  • 전압-출력 (최대): 55V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음8,226
H11B3-V
H11B3-V

Everlight Electronics Co Ltd

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6DIP

  • 제조업체: Everlight Electronics Co Ltd
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 18µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington with Base
  • 전압-출력 (최대): 55V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음3,474
H11B3W
H11B3W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 100% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 18µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington with Base
  • 전압-출력 (최대): 25V
  • 전류-출력 / 채널: -
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.35V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 100mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음5,490
H11B815
H11B815

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV DARLINGTON 4DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 600% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 7500% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 300µs, 250µs (Max)
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington
  • 전압-출력 (최대): 35V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음4,140
H11B815300
H11B815300

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV DARLINGTON 4DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 600% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 7500% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 300µs, 250µs (Max)
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington
  • 전압-출력 (최대): 35V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음5,616
H11B815300W
H11B815300W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV DARLINGTON 4DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 600% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 7500% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 300µs, 250µs (Max)
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington
  • 전압-출력 (최대): 35V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음4,554
H11B8153S
H11B8153S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV DARLINGTON 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 600% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 7500% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 300µs, 250µs (Max)
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington
  • 전압-출력 (최대): 35V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음6,408
H11B8153SD
H11B8153SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV DARLINGTON 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 600% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 7500% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 300µs, 250µs (Max)
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington
  • 전압-출력 (최대): 35V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음2,808
H11B815S
H11B815S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV DARLINGTON 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 600% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 7500% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 300µs, 250µs (Max)
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington
  • 전압-출력 (최대): 35V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음2,988
H11B815SD
H11B815SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV DARLINGTON 4SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 600% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 7500% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 300µs, 250µs (Max)
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington
  • 전압-출력 (최대): 35V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 4-SMD
재고 있음7,758
H11B815W
H11B815W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLATOR 5KV DARLINGTON 4DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 600% @ 1mA
  • 전류 전송 비율 (최대): 7500% @ 1mA
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 300µs, 250µs (Max)
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Darlington
  • 전압-출력 (최대): 35V
  • 전류-출력 / 채널: 80mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 50mA
  • Vce 포화 (최대): 1V
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 4-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 4-DIP
재고 있음3,816
H11D1
H11D1

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 300V
  • 전류-출력 / 채널: 100mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음18,144
H11D1
H11D1

Lite-On Inc.

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: Lite-On Inc.
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5000Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 300V
  • 전류-출력 / 채널: 100mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.2V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음21,195
H11D1
H11D1

Vishay Semiconductor Opto Division

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 2.5µs, 5.5µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 5µs, 6µs
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 300V
  • 전류-출력 / 채널: 100mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.1V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음31,337
H11D1300
H11D1300

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 300V
  • 전류-출력 / 채널: 100mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음4,374
H11D1300W
H11D1300W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 300V
  • 전류-출력 / 채널: 100mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
  • 공급자 장치 패키지: 6-DIP
재고 있음5,814
H11D13S
H11D13S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 300V
  • 전류-출력 / 채널: 100mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음7,272
H11D13SD
H11D13SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 채널 수: 1
  • 전압-절연: 5300Vrms
  • 전류 전송 비율 (최소): 20% @ 10mA
  • 전류 전송 비율 (최대): -
  • 켜기 / 끄기 시간 (일반): 5µs, 5µs
  • 상승 / 하강 시간 (일반): -
  • 입력 유형: DC
  • 출력 유형: Transistor with Base
  • 전압-출력 (최대): 300V
  • 전류-출력 / 채널: 100mA
  • 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.15V
  • 전류-DC 순방향 (If) (최대): 80mA
  • Vce 포화 (최대): 400mV
  • 작동 온도: -55°C ~ 100°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
  • 공급자 장치 패키지: 6-SMD
재고 있음620