절연체

부품 번호	설명	재고 있음
H11F1S ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: MOSFET 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음4,940
H11F1SD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: MOSFET 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음7,902
H11F1SM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 7500Vpk 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 45µs, 45µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: MOSFET 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음18,768
H11F1SR2M ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 7500Vpk 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 45µs, 45µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: MOSFET 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음13,002
H11F1TVM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 7500Vpk 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 45µs, 45µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: MOSFET 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음16,836
H11F1VM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 7500Vpk 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 45µs, 45µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: MOSFET 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음12,450
H11F1W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: MOSFET 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음2,718
H11F2 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: MOSFET 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음4,014
H11F2300 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: MOSFET 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음7,146
H11F2300W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: MOSFET 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음5,832
H11F23S ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: MOSFET 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음7,020
H11F23SD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: MOSFET 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음6,372
H11F2M ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 7500Vpk 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 45µs, 45µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: MOSFET 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음3,454
H11F2S ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: MOSFET 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음8,316
H11F2SD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: MOSFET 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음6,480
H11F2W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: MOSFET 전압-출력 (최대): 30V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음8,478
H11F3 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: MOSFET 전압-출력 (최대): 15V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음6,930
H11F3300 ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: MOSFET 전압-출력 (최대): 15V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음6,984
H11F3300W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: MOSFET 전압-출력 (최대): 15V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음5,346
H11F33S ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: MOSFET 전압-출력 (최대): 15V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음3,438
H11F33SD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: MOSFET 전압-출력 (최대): 15V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음3,672
H11F3M ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 7500Vpk 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 45µs, 45µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: MOSFET 전압-출력 (최대): 15V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음23,460
H11F3S ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: MOSFET 전압-출력 (최대): 15V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음4,925
H11F3SD ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: MOSFET 전압-출력 (최대): 15V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음27,211
H11F3SM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 7500Vpk 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 45µs, 45µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: MOSFET 전압-출력 (최대): 15V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음21,888
H11F3SR2M ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 7500Vpk 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 45µs, 45µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: MOSFET 전압-출력 (최대): 15V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음14,502
H11F3SR2VM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 7500Vpk 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 45µs, 45µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: MOSFET 전압-출력 (최대): 15V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음5,040
H11F3SVM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-SMD 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 7500Vpk 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 45µs, 45µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: MOSFET 전압-출력 (최대): 15V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음8,658
H11F3VM ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 7500Vpk 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 45µs, 45µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: MOSFET 전압-출력 (최대): 15V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음3,906
H11F3W ON Semiconductor	광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력 OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 채널 수: 1 전압-절연: 5300Vrms 전류 전송 비율 (최소): - 전류 전송 비율 (최대): - 켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max) 상승 / 하강 시간 (일반): - 입력 유형: DC 출력 유형: MOSFET 전압-출력 (최대): 15V 전류-출력 / 채널: - 전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V 전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA Vce 포화 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 100°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm) 공급자 장치 패키지: 6-DIP	재고 있음6,336

H11F1S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: MOSFET
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음4,940

H11F1SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: MOSFET
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음7,902

H11F1SM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 7500Vpk
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 45µs, 45µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: MOSFET
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음18,768

H11F1SR2M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 7500Vpk
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 45µs, 45µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: MOSFET
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음13,002

H11F1TVM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 7500Vpk
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 45µs, 45µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: MOSFET
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음16,836

H11F1VM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 7500Vpk
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 45µs, 45µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: MOSFET
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음12,450

H11F1W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: MOSFET
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음2,718

H11F2

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: MOSFET
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음4,014

H11F2300

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: MOSFET
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음7,146

H11F2300W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: MOSFET
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음5,832

H11F23S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: MOSFET
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음7,020

H11F23SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: MOSFET
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음6,372

H11F2M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 7500Vpk
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 45µs, 45µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: MOSFET
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음3,454

H11F2S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: MOSFET
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음8,316

H11F2SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: MOSFET
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음6,480

H11F2W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: MOSFET
전압-출력 (최대): 30V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음8,478

H11F3

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: MOSFET
전압-출력 (최대): 15V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음6,930

H11F3300

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: MOSFET
전압-출력 (최대): 15V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음6,984

H11F3300W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: MOSFET
전압-출력 (최대): 15V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음5,346

H11F33S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: MOSFET
전압-출력 (최대): 15V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음3,438

H11F33SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: MOSFET
전압-출력 (최대): 15V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음3,672

H11F3M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 7500Vpk
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 45µs, 45µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: MOSFET
전압-출력 (최대): 15V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음23,460

H11F3S

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: MOSFET
전압-출력 (최대): 15V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음4,925

H11F3SD

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: MOSFET
전압-출력 (최대): 15V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음27,211

H11F3SM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 7500Vpk
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 45µs, 45µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: MOSFET
전압-출력 (최대): 15V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음21,888

H11F3SR2M

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 7500Vpk
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 45µs, 45µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: MOSFET
전압-출력 (최대): 15V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음14,502

H11F3SR2VM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 7500Vpk
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 45µs, 45µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: MOSFET
전압-출력 (최대): 15V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음5,040

H11F3SVM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-SMD

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 7500Vpk
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 45µs, 45µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: MOSFET
전압-출력 (최대): 15V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Gull Wing
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음8,658

H11F3VM

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 7500Vpk
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 45µs, 45µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: MOSFET
전압-출력 (최대): 15V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음3,906

H11F3W

ON Semiconductor

광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력

OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
채널 수: 1
전압-절연: 5300Vrms
전류 전송 비율 (최소): -
전류 전송 비율 (최대): -
켜기 / 끄기 시간 (일반): 25µs, 25µs (Max)
상승 / 하강 시간 (일반): -
입력 유형: DC
출력 유형: MOSFET
전압-출력 (최대): 15V
전류-출력 / 채널: -
전압-순방향 (Vf) (통상): 1.3V
전류-DC 순방향 (If) (최대): 60mA
Vce 포화 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 100°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지: 6-DIP

재고 있음6,336

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