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메모리 IC

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부품 번호
설명
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M50FW040NB5G
M50FW040NB5G

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4M PARALLEL 32TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 33MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 250ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -20°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-TSOP
재고 있음7,578
M50FW040NB5TG TR
M50FW040NB5TG TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4M PARALLEL 32TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 33MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 250ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -20°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-TSOP
재고 있음8,064
M50FW080K5G
M50FW080K5G

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8M PARALLEL 32PLCC

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 33MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 250ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -20°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 32-PLCC (11.35x13.89)
재고 있음8,856
M50FW080K5TG TR
M50FW080K5TG TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8M PARALLEL 32PLCC

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 33MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 250ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -20°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 32-PLCC (11.35x13.89)
재고 있음8,478
M50FW080N1
M50FW080N1

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8M PARALLEL 40TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 33MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 250ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 40-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 40-TSOP
재고 있음5,364
M50FW080N5
M50FW080N5

Micron Technology Inc.

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IC FLASH 8M PARALLEL 40TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 33MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 250ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -20°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 40-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 40-TSOP
재고 있음73,961
M50FW080N5G
M50FW080N5G

Micron Technology Inc.

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IC FLASH 8M PARALLEL 40TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 33MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 250ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -20°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 40-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 40-TSOP
재고 있음83,472
M50FW080N5TG TR
M50FW080N5TG TR

Micron Technology Inc.

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IC FLASH 8M PARALLEL 40TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 33MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 250ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -20°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 40-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 40-TSOP
재고 있음6,318
M50FW080NB5G
M50FW080NB5G

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8M PARALLEL 32TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 33MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 250ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -20°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-TSOP
재고 있음2,754
M50FW080NB5TG TR
M50FW080NB5TG TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8M PARALLEL 32TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 33MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 250ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -20°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-TSOP
재고 있음8,082
M50LPW116N1
M50LPW116N1

STMicroelectronics

기억

IC FLASH 16M PARALLEL 40TSOP

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 250ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 40-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 40-TSOP (10x20)
재고 있음2,322
M50LPW116N5G
M50LPW116N5G

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 16M PARALLEL 40TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 33MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 250ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -20°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 40-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 40-TSOP
재고 있음7,164
M50LPW116N5TG TR
M50LPW116N5TG TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 16M PARALLEL 40TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 33MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 250ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -20°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 40-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 40-TSOP
재고 있음8,118
M58BW016FB7D150T TR
M58BW016FB7D150T TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 16M PARALLEL DIE

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 16Mb (512K x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음4,986
M58BW016FB7T3T TR
M58BW016FB7T3T TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 16M PARALLEL 80PQFP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 16Mb (512K x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 80-BQFP
  • 공급자 장치 패키지: 80-PQFP (19.9x13.9)
재고 있음2,880
M58BW16FB4T3T TR
M58BW16FB4T3T TR

Micron Technology Inc.

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IC FLASH 16M PARALLEL 80PQFP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 16Mb (512K x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
  • 접근 시간: 45ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 80-BQFP
  • 공급자 장치 패키지: 80-PQFP (19.9x13.9)
재고 있음2,106
M58BW16FB4ZA3F TR
M58BW16FB4ZA3F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 16M PARALLEL 80LBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 16Mb (512K x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
  • 접근 시간: 45ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 80-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 80-LBGA (10x12)
재고 있음7,812
M58BW16FB5T3F TR
M58BW16FB5T3F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 16M PARALLEL 80PQFP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 16Mb (512K x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
  • 접근 시간: 55ns
  • 전압-공급: 2.5V ~ 3.3V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 80-BQFP
  • 공급자 장치 패키지: 80-PQFP (19.9x13.9)
재고 있음5,310
M58BW16FB5T3T TR
M58BW16FB5T3T TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 16M PARALLEL 80PQFP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 16Mb (512K x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
  • 접근 시간: 55ns
  • 전압-공급: 2.5V ~ 3.3V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 80-BQFP
  • 공급자 장치 패키지: 80-PQFP (19.9x13.9)
재고 있음4,860
M58BW16FB5ZA3F
M58BW16FB5ZA3F

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 16M PARALLEL 80LBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 16Mb (512K x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
  • 접근 시간: 55ns
  • 전압-공급: 2.5V ~ 3.3V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 80-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 80-LBGA (10x12)
재고 있음4,014
M58BW16FB5ZA3F TR
M58BW16FB5ZA3F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 16M PARALLEL 80LBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 16Mb (512K x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
  • 접근 시간: 55ns
  • 전압-공급: 2.5V ~ 3.3V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 80-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 80-LBGA (10x12)
재고 있음6,228
M58BW32FB4D150
M58BW32FB4D150

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 32M PARALLEL

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
  • 접근 시간: 45ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음8,694
M58BW32FB4T3T TR
M58BW32FB4T3T TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 80PQFP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (1M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
  • 접근 시간: 45ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 80-BQFP
  • 공급자 장치 패키지: 80-PQFP (19.9x13.9)
재고 있음4,284
M58BW32FB5T3F TR
M58BW32FB5T3F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 80PQFP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (1M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
  • 접근 시간: 55ns
  • 전압-공급: 2.5V ~ 3.3V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 80-BQFP
  • 공급자 장치 패키지: 80-PQFP (19.9x13.9)
재고 있음3,726
M58BW32FB5T3T TR
M58BW32FB5T3T TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 80PQFP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (1M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
  • 접근 시간: 55ns
  • 전압-공급: 2.5V ~ 3.3V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 80-BQFP
  • 공급자 장치 패키지: 80-PQFP (19.9x13.9)
재고 있음3,690
M58BW32FB5ZA3T TR
M58BW32FB5ZA3T TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 80LBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (1M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
  • 접근 시간: 55ns
  • 전압-공급: 2.5V ~ 3.3V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 80-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 80-LBGA (10x12)
재고 있음4,518
M58BW32FT4D150
M58BW32FT4D150

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 32M PARALLEL

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 32Mb (4M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
  • 접근 시간: 45ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음8,352
M58LR128KB70ZB5E
M58LR128KB70ZB5E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 56VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 66MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 2V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 56-VFBGA (7.7x9)
재고 있음7,884
M58LR128KB70ZB5F TR
M58LR128KB70ZB5F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 56VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 66MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 2V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 56-VFBGA (7.7x9)
재고 있음8,802
M58LR128KB85ZB5E
M58LR128KB85ZB5E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 56VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 66MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
  • 접근 시간: 85ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 2V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 56-VFBGA (7.7x9)
재고 있음641