메모리 IC

M58LT128KST8ZA6F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 64TBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 52MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
• 접근 시간: 85ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 2V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 64-TBGA
• 공급자 장치 패키지: 64-TBGA (10x13)

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M58LT256JSB8ZA6E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 80LBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 52MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
• 접근 시간: 85ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 2V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 80-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 80-LBGA (10x12)

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M58LT256JSB8ZA6F TR

Micron Technology Inc.

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IC FLASH 256M PARALLEL 80LBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 52MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
• 접근 시간: 85ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 2V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 80-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 80-LBGA (10x12)

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M58LT256JST8ZA6E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 80LBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 52MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
• 접근 시간: 85ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 2V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 80-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 80-LBGA (10x12)

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M58LT256JST8ZA6F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 80LBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 52MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
• 접근 시간: 85ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 2V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 80-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 80-LBGA (10x12)

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M58LT256KSB7ZA6E

Micron Technology Inc.

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IC FLASH 256M PARALLEL 64TBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 52MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
• 접근 시간: 70ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 2V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 64-TBGA
• 공급자 장치 패키지: 64-TBGA (10x13)

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M58LT256KSB7ZA6F TR

Micron Technology Inc.

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IC FLASH 256M PARALLEL 64TBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 52MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
• 접근 시간: 70ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 2V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 64-TBGA
• 공급자 장치 패키지: 64-TBGA (10x13)

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M58LT256KSB8ZA6E

Micron Technology Inc.

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IC FLASH 256M PARALLEL 64TBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 52MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
• 접근 시간: 85ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 2V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 64-TBGA
• 공급자 장치 패키지: 64-TBGA (10x13)

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M58LT256KSB8ZA6F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 64TBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 52MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
• 접근 시간: 85ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 2V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 64-TBGA
• 공급자 장치 패키지: 64-TBGA (10x13)

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M58LT256KST7ZA6E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 64TBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 52MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
• 접근 시간: 70ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 2V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 64-TBGA
• 공급자 장치 패키지: 64-TBGA (10x13)

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M58LT256KST7ZA6F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 64TBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 52MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
• 접근 시간: 70ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 2V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 64-TBGA
• 공급자 장치 패키지: 64-TBGA (10x13)

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M58LT256KST8ZA6E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 64TBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 52MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
• 접근 시간: 85ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 2V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 64-TBGA
• 공급자 장치 패키지: 64-TBGA (10x13)

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M58LT256KST8ZA6F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 64TBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 52MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
• 접근 시간: 85ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 2V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 64-TBGA
• 공급자 장치 패키지: 64-TBGA (10x13)

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M58LW032C90ZA1

STMicroelectronics

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 64TBGA

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: 90ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 64-TBGA
• 공급자 장치 패키지: 64-TBGA (10x13)

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M58LW032D110N6

STMicroelectronics

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 56TSOP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: 110ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 56-TSOP (14x20)

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M58LW032D110ZA6

STMicroelectronics

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 64TBGA

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: 110ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 64-TBGA
• 공급자 장치 패키지: 64-TBGA (10x13)

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M58LW032D90ZA6

STMicroelectronics

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 64TBGA

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: 90ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 64-TBGA
• 공급자 장치 패키지: 64-TBGA (10x13)

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M58LW064D110N6

STMicroelectronics

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: 110ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 56-TSOP

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M58LW064D110ZA6

STMicroelectronics

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 64TBGA

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: 110ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 64-TBGA
• 공급자 장치 패키지: 64-TBGA (10x13)

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M58WR032KB70ZB6E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 56VFBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 32Mb (2M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 66MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
• 접근 시간: 70ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 2V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 56-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 56-VFBGA (7.7x9)

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M58WR032KB70ZB6F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 56VFBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 32Mb (2M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 66MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
• 접근 시간: 70ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 2V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 56-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 56-VFBGA (7.7x9)

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M58WR032KB70ZB6W TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 56VFBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 32Mb (2M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 66MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
• 접근 시간: 70ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 2V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 56-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 56-VFBGA (7.7x9)

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M58WR032KB70ZB6Z

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 56VFBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 32Mb (2M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 66MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
• 접근 시간: 70ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 2V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 56-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 56-VFBGA (7.7x9)

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M58WR032KB70ZQ6W TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 88VFBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 32Mb (2M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 66MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
• 접근 시간: 70ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 2V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 88-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 88-VFBGA (8x10)

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M58WR032KB70ZQ6Z

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 88VFBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 32Mb (2M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 66MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
• 접근 시간: 70ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 2V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 88-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 88-VFBGA (8x10)

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M58WR032KB7AZB6E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 56VFBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 32Mb (2M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 66MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
• 접근 시간: 70ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 2V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 56-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 56-VFBGA (7.7x9)

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M58WR032KB7AZB6F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 56VFBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 32Mb (2M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 66MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
• 접근 시간: 70ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 2V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 56-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 56-VFBGA (7.7x9)

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M58WR032KL70ZA6E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 44VFBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 32Mb (2M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 66MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
• 접근 시간: 70ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 2V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 44-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 44-VFBGA (7.5x5)

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M58WR032KL70ZA6U TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 44VFBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 32Mb (2M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 66MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
• 접근 시간: 70ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 2V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 44-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 44-VFBGA (7.5x5)

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M58WR032KT70ZB6F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 56VFBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 32Mb (2M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 66MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
• 접근 시간: 70ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 2V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 56-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 56-VFBGA (7.7x9)

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