메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT25TL256HBA8ESF-0AAT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOP2 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (32M x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 2.8ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOP2	재고 있음7,794
MT25TL256HBA8ESF-0AAT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOP2 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (32M x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 2.8ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOP2	재고 있음6,876
MT25TL512BAA1ESF-0AAT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOP2 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 2.8ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOP2	재고 있음7,056
MT25TL512BAA1ESF-0AAT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOP2 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 2.8ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOP2	재고 있음2,268
MT25TL512BBA8E12-0AAT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512M SPI 24TPBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 2.8ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-TBGA 공급자 장치 패키지: 24-T-PBGA (6x8)	재고 있음3,474
MT25TL512BBA8E12-0AAT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512M SPI 24TPBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 2.8ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-TBGA 공급자 장치 패키지: 24-T-PBGA (6x8)	재고 있음7,218
MT25TL512BBA8ESF-0AAT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOP2 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 2.8ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOP2	재고 있음3,978
MT25TL512BBA8ESF-0AAT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOP2 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 2.8ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOP2	재고 있음5,670
MT25TL512HAA1ESF-0AAT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOP2 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 2.8ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOP2	재고 있음4,356
MT25TL512HAA1ESF-0AAT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOP2 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 2.8ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOP2	재고 있음7,938
MT25TL512HBA8E12-0AAT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512M SPI 24TPBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 2.8ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-TBGA 공급자 장치 패키지: 24-T-PBGA (6x8)	재고 있음6,984
MT25TL512HBA8E12-0AAT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512M SPI 24TPBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 2.8ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-TBGA 공급자 장치 패키지: 24-T-PBGA (6x8)	재고 있음7,074
MT25TL512HBA8ESF-0AAT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOP2 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 2.8ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOP2	재고 있음8,712
MT25TL512HBA8ESF-0AAT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOP2 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 2.8ms 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOP2	재고 있음5,166
MT28EW01GABA1HJS-0AAT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 105ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음8,982
MT28EW01GABA1HJS-0AAT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 105ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음5,814
MT28EW01GABA1HJS-0SIT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 95ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음36,229
MT28EW01GABA1HJS-0SIT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 95ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음6,804
MT28EW01GABA1HPC-0AAT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 64LBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 105ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)	재고 있음7,200
MT28EW01GABA1HPC-0AAT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 64LBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 105ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)	재고 있음2,664
MT28EW01GABA1HPC-0SIT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 64LBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 95ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)	재고 있음27,263
MT28EW01GABA1HPC-0SIT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 64LBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 95ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)	재고 있음4,572
MT28EW01GABA1HPC-1SIT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 64LBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 95ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)	재고 있음7,956
MT28EW01GABA1HPC-1SIT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 64LBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 95ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)	재고 있음6,714
MT28EW01GABA1LJS-0AAT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 105ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음3,928
MT28EW01GABA1LJS-0AAT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 105ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음7,344
MT28EW01GABA1LJS-0SIT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 95ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음34,826
MT28EW01GABA1LJS-0SIT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 95ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음6,804
MT28EW01GABA1LPC-0AAT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 64LBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 105ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)	재고 있음4,680
MT28EW01GABA1LPC-0AAT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 64LBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 105ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)	재고 있음7,002

MT25TL256HBA8ESF-0AAT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOP2

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 2.8ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOP2

재고 있음7,794

MT25TL256HBA8ESF-0AAT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOP2

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 2.8ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOP2

재고 있음6,876

MT25TL512BAA1ESF-0AAT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOP2

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 2.8ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOP2

재고 있음7,056

MT25TL512BAA1ESF-0AAT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOP2

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 2.8ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOP2

재고 있음2,268

MT25TL512BBA8E12-0AAT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M SPI 24TPBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 2.8ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-TBGA
공급자 장치 패키지: 24-T-PBGA (6x8)

재고 있음3,474

MT25TL512BBA8E12-0AAT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M SPI 24TPBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 2.8ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-TBGA
공급자 장치 패키지: 24-T-PBGA (6x8)

재고 있음7,218

MT25TL512BBA8ESF-0AAT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOP2

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 133MHz
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접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
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공급자 장치 패키지: 16-SOP2

재고 있음3,978

MT25TL512BBA8ESF-0AAT TR

Micron Technology Inc.

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IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOP2

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: SPI
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장착 유형: Surface Mount
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공급자 장치 패키지: 16-SOP2

재고 있음5,670

MT25TL512HAA1ESF-0AAT

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IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOP2

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: SPI
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공급자 장치 패키지: 16-SOP2

재고 있음4,356

MT25TL512HAA1ESF-0AAT TR

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IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOP2

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 133MHz
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접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
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패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOP2

재고 있음7,938

MT25TL512HBA8E12-0AAT

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IC FLASH 512M SPI 24TPBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 133MHz
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접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
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패키지 / 케이스: 24-TBGA
공급자 장치 패키지: 24-T-PBGA (6x8)

재고 있음6,984

MT25TL512HBA8E12-0AAT TR

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IC FLASH 512M SPI 24TPBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 133MHz
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접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-TBGA
공급자 장치 패키지: 24-T-PBGA (6x8)

재고 있음7,074

MT25TL512HBA8ESF-0AAT

Micron Technology Inc.

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IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOP2

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 2.8ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOP2

재고 있음8,712

MT25TL512HBA8ESF-0AAT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOP2

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 2.8ms
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 16-SOP2

재고 있음5,166

MT28EW01GABA1HJS-0AAT

Micron Technology Inc.

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IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 105ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음8,982

MT28EW01GABA1HJS-0AAT TR

Micron Technology Inc.

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IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 105ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음5,814

MT28EW01GABA1HJS-0SIT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 95ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음36,229

MT28EW01GABA1HJS-0SIT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 95ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음6,804

MT28EW01GABA1HPC-0AAT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64LBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 105ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)

재고 있음7,200

MT28EW01GABA1HPC-0AAT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64LBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 105ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)

재고 있음2,664

MT28EW01GABA1HPC-0SIT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64LBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 95ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)

재고 있음27,263

MT28EW01GABA1HPC-0SIT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64LBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 95ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)

재고 있음4,572

MT28EW01GABA1HPC-1SIT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64LBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 95ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)

재고 있음7,956

MT28EW01GABA1HPC-1SIT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64LBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 95ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)

재고 있음6,714

MT28EW01GABA1LJS-0AAT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 105ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음3,928

MT28EW01GABA1LJS-0AAT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 105ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음7,344

MT28EW01GABA1LJS-0SIT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 95ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음34,826

MT28EW01GABA1LJS-0SIT TR

Micron Technology Inc.

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IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 95ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음6,804

MT28EW01GABA1LPC-0AAT

Micron Technology Inc.

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IC FLASH 1G PARALLEL 64LBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 105ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)

재고 있음4,680

MT28EW01GABA1LPC-0AAT TR

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IC FLASH 1G PARALLEL 64LBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 105ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)

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