메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT28EW256ABA1LPC-0SIT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 64LBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (32M x 8, 16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 75ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)	재고 있음1,038
MT28EW256ABA1LPC-0SIT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 64LBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (32M x 8, 16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 75ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)	재고 있음3,006
MT28EW256ABA1LPC-1SIT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 64LBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (32M x 8, 16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 75ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)	재고 있음6,498
MT28EW256ABA1LPC-1SIT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 64LBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (32M x 8, 16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 75ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)	재고 있음4,752
MT28EW256ABA1LPN-0SIT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 56VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (32M x 8, 16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 75ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-VFBGA 공급자 장치 패키지: 56-VFBGA (7x9)	재고 있음8,982
MT28EW256ABA1LPN-0SIT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 56VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (32M x 8, 16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 75ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-VFBGA 공급자 장치 패키지: 56-VFBGA (7x9)	재고 있음4,140
MT28EW512ABA1HJS-0AAT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 105ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP (14x20)	재고 있음8,190
MT28EW512ABA1HJS-0AAT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 105ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음4,338
MT28EW512ABA1HJS-0SIT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 95ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음1,097
MT28EW512ABA1HJS-0SIT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 95ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음2,250
MT28EW512ABA1HPC-0AAT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64LBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 105ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)	재고 있음2,784
MT28EW512ABA1HPC-0AAT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64LBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 105ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)	재고 있음8,208
MT28EW512ABA1HPC-0SIT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64LBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 95ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)	재고 있음5,105
MT28EW512ABA1HPC-0SIT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64LBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 95ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)	재고 있음3,508
MT28EW512ABA1HPC-1SIT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64LBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 95ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)	재고 있음8,820
MT28EW512ABA1HPC-1SIT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64LBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 95ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)	재고 있음4,086
MT28EW512ABA1HPN-0SIT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 56VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 95ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-VFBGA 공급자 장치 패키지: 56-VFBGA (7x9)	재고 있음4,824
MT28EW512ABA1HPN-0SIT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 56VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 95ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-VFBGA 공급자 장치 패키지: 56-VFBGA (7x9)	재고 있음7,848
MT28EW512ABA1LJS-0AAT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 105ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP (14x20)	재고 있음8,514
MT28EW512ABA1LJS-0AAT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 105ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음2,988
MT28EW512ABA1LJS-0SIT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 95ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음12,200
MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 95ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음3,636
MT28EW512ABA1LPC-0AAT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64LBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 105ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)	재고 있음12,348
MT28EW512ABA1LPC-0AAT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64LBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 105ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)	재고 있음8,190
MT28EW512ABA1LPC-0SIT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64LBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 95ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)	재고 있음19,848
MT28EW512ABA1LPC-0SIT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64LBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 95ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)	재고 있음19,092
MT28EW512ABA1LPC-1SIT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64LBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 95ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)	재고 있음6,048
MT28EW512ABA1LPC-1SIT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64LBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 95ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)	재고 있음8,118
MT28EW512ABA1LPN-0SIT Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 56VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 95ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-VFBGA 공급자 장치 패키지: 56-VFBGA (7x9)	재고 있음3,384
MT28EW512ABA1LPN-0SIT TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 56VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 95ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-VFBGA 공급자 장치 패키지: 56-VFBGA (7x9)	재고 있음6,966

MT28EW256ABA1LPC-0SIT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 64LBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (32M x 8, 16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 75ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)

재고 있음1,038

MT28EW256ABA1LPC-0SIT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 64LBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (32M x 8, 16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 75ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)

재고 있음3,006

MT28EW256ABA1LPC-1SIT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 64LBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (32M x 8, 16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 75ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)

재고 있음6,498

MT28EW256ABA1LPC-1SIT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 64LBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (32M x 8, 16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 75ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)

재고 있음4,752

MT28EW256ABA1LPN-0SIT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 56VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (32M x 8, 16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 75ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-VFBGA
공급자 장치 패키지: 56-VFBGA (7x9)

재고 있음8,982

MT28EW256ABA1LPN-0SIT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 56VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (32M x 8, 16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 75ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-VFBGA
공급자 장치 패키지: 56-VFBGA (7x9)

재고 있음4,140

MT28EW512ABA1HJS-0AAT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 105ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP (14x20)

재고 있음8,190

MT28EW512ABA1HJS-0AAT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 105ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음4,338

MT28EW512ABA1HJS-0SIT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 95ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음1,097

MT28EW512ABA1HJS-0SIT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 95ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음2,250

MT28EW512ABA1HPC-0AAT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64LBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 105ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)

재고 있음2,784

MT28EW512ABA1HPC-0AAT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64LBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 105ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)

재고 있음8,208

MT28EW512ABA1HPC-0SIT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64LBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 95ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)

재고 있음5,105

MT28EW512ABA1HPC-0SIT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64LBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 95ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)

재고 있음3,508

MT28EW512ABA1HPC-1SIT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64LBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 95ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)

재고 있음8,820

MT28EW512ABA1HPC-1SIT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64LBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 95ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)

재고 있음4,086

MT28EW512ABA1HPN-0SIT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 56VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 95ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-VFBGA
공급자 장치 패키지: 56-VFBGA (7x9)

재고 있음4,824

MT28EW512ABA1HPN-0SIT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 56VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 95ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-VFBGA
공급자 장치 패키지: 56-VFBGA (7x9)

재고 있음7,848

MT28EW512ABA1LJS-0AAT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 105ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP (14x20)

재고 있음8,514

MT28EW512ABA1LJS-0AAT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 105ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음2,988

MT28EW512ABA1LJS-0SIT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 95ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음12,200

MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 95ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음3,636

MT28EW512ABA1LPC-0AAT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64LBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 105ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)

재고 있음12,348

MT28EW512ABA1LPC-0AAT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64LBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 105ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)

재고 있음8,190

MT28EW512ABA1LPC-0SIT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64LBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 95ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)

재고 있음19,848

MT28EW512ABA1LPC-0SIT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64LBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 95ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)

재고 있음19,092

MT28EW512ABA1LPC-1SIT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64LBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 95ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)

재고 있음6,048

MT28EW512ABA1LPC-1SIT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64LBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 95ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)

재고 있음8,118

MT28EW512ABA1LPN-0SIT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 56VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 95ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-VFBGA
공급자 장치 패키지: 56-VFBGA (7x9)

재고 있음3,384

MT28EW512ABA1LPN-0SIT TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 56VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8, 32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 95ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-VFBGA
공급자 장치 패키지: 56-VFBGA (7x9)

재고 있음6,966

Send Message

Certifications

메모리 IC

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message