메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT29F8G16ABACAWP-IT:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 8Gb (512M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음8,748
MT29F8G16ABBCAH4:C Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 8G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 8Gb (512M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음8,028
MT29F8G16ABBCAH4:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 8G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 8Gb (512M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음2,214
MT29F8G16ABBCAH4-IT:C Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 8G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 8Gb (512M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음7,470
MT29F8G16ABBCAH4-IT:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 8G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 8Gb (512M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음6,678
MT29F8G16ABBCAM71M3WC1 Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 8G PARALLEL WAFER 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 8Gb (512M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,076
MT29F8G16ADADAH4:D Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 8G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 8Gb (512M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음4,194
MT29F8G16ADADAH4-IT:D Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 8G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 8Gb (512M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음6,966
MT29F8G16ADADAH4-IT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 8G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 8Gb (512M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음3,816
MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 8G PARALLEL FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 8Gb (512M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음3,544
MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 8G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 8Gb (512M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음4,842
MT29F8G16ADBDAH4:D Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 8G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 8Gb (512M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음5,202
MT29F8G16ADBDAH4-IT:D Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 8G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 8Gb (512M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음24,298
MT29F8G16ADBDAH4-IT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 8G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 8Gb (512M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음4,770
MT29FEN64GDKCAAXDQ-10:A Micron Technology Inc.	기억 IC MEMORY 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,502
MT29FEN64GDKCAAXDQ-10:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC MEMORY 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,546
MT29GZ5A3BPGGA-53AAT.87K Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL MCP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,452
MT29GZ5A3BPGGA-53AIT.87K Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL MCP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,544
MT29GZ5A3BPGGA-53AIT.87K TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL MCP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,322
MT29GZ5A3BPGGA-53IT.87K Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL MCP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,496
MT29GZ5A5BPGGA-53AAT.87J Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR4 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 149-WFBGA 공급자 장치 패키지: 149-WFBGA (8x9.5)	재고 있음2,808
MT29GZ5A5BPGGA-53AAT.87J TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR4 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 149-WFBGA 공급자 장치 패키지: 149-WFBGA (8x9.5)	재고 있음7,668
MT29GZ5A5BPGGA-53AIT.87J Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL MCP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,690
MT29GZ5A5BPGGA-53AIT.87J TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL MCP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,554
MT29GZ5A5BPGGA-53IT.87J Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR4 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 149-WFBGA 공급자 장치 패키지: 149-WFBGA (8x9.5)	재고 있음7,308
MT29GZ5A5BPGGA-53IT.87J TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR4 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 149-WFBGA 공급자 장치 패키지: 149-WFBGA (8x9.5)	재고 있음8,154
MT29GZ5A5BPGGA-53ITES.87J Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR4 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 149-WFBGA 공급자 장치 패키지: 149-WFBGA (8x9.5)	재고 있음8,190
MT29GZ5A5BPGGA-53ITES.87J TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR4 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 149-WFBGA 공급자 장치 패키지: 149-WFBGA (8x9.5)	재고 있음2,862
MT29KZZZ4D4AGFAK-5 W.6Z4 Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 36G MLC DDR 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,002
MT29KZZZ4D4AGFAK-5 W.6Z4 TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 36G MLC DDR 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,174

MT29F8G16ABACAWP-IT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음8,748

MT29F8G16ABBCAH4:C

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음8,028

MT29F8G16ABBCAH4:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음2,214

MT29F8G16ABBCAH4-IT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음7,470

MT29F8G16ABBCAH4-IT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음6,678

MT29F8G16ABBCAM71M3WC1

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8G PARALLEL WAFER

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,076

MT29F8G16ADADAH4:D

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음4,194

MT29F8G16ADADAH4-IT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음6,966

MT29F8G16ADADAH4-IT:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음3,816

MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8G PARALLEL FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음3,544

MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음4,842

MT29F8G16ADBDAH4:D

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음5,202

MT29F8G16ADBDAH4-IT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음24,298

MT29F8G16ADBDAH4-IT:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음4,770

MT29FEN64GDKCAAXDQ-10:A

Micron Technology Inc.

기억

IC MEMORY

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,502

MT29FEN64GDKCAAXDQ-10:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC MEMORY

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,546

MT29GZ5A3BPGGA-53AAT.87K

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL MCP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,452

MT29GZ5A3BPGGA-53AIT.87K

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL MCP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,544

MT29GZ5A3BPGGA-53AIT.87K TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL MCP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,322

MT29GZ5A3BPGGA-53IT.87K

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL MCP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,496

MT29GZ5A5BPGGA-53AAT.87J

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR4
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 149-WFBGA
공급자 장치 패키지: 149-WFBGA (8x9.5)

재고 있음2,808

MT29GZ5A5BPGGA-53AAT.87J TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR4
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 149-WFBGA
공급자 장치 패키지: 149-WFBGA (8x9.5)

재고 있음7,668

MT29GZ5A5BPGGA-53AIT.87J

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL MCP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,690

MT29GZ5A5BPGGA-53AIT.87J TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL MCP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,554

MT29GZ5A5BPGGA-53IT.87J

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR4
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 149-WFBGA
공급자 장치 패키지: 149-WFBGA (8x9.5)

재고 있음7,308

MT29GZ5A5BPGGA-53IT.87J TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR4
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 149-WFBGA
공급자 장치 패키지: 149-WFBGA (8x9.5)

재고 있음8,154

MT29GZ5A5BPGGA-53ITES.87J

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR4
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 149-WFBGA
공급자 장치 패키지: 149-WFBGA (8x9.5)

재고 있음8,190

MT29GZ5A5BPGGA-53ITES.87J TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR4
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 149-WFBGA
공급자 장치 패키지: 149-WFBGA (8x9.5)

재고 있음2,862

MT29KZZZ4D4AGFAK-5 W.6Z4

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 36G MLC DDR

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,002

MT29KZZZ4D4AGFAK-5 W.6Z4 TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 36G MLC DDR

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,174

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