메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 162-VFBGA 공급자 장치 패키지: 162-VFBGA (11.5x13)	재고 있음2,070
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 162-VFBGA 공급자 장치 패키지: 162-VFBGA (11.5x13)	재고 있음5,976
MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR Micron Technology Inc.	기억 MASSFLASH/LPDDR2 6G 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,394
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 메모리 크기: 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 162-VFBGA 공급자 장치 패키지: 162-VFBGA (10.5x8)	재고 있음3,024
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 메모리 크기: 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 162-VFBGA 공급자 장치 패키지: 162-VFBGA (10.5x8)	재고 있음6,480
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 메모리 크기: 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 162-VFBGA 공급자 장치 패키지: 162-VFBGA (10.5x8)	재고 있음2,880
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 162VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,626
MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 메모리 크기: 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 162-VFBGA 공급자 장치 패키지: 162-VFBGA (10.5x8)	재고 있음5,400
MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 메모리 크기: 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 162-VFBGA 공급자 장치 패키지: 162-VFBGA (10.5x8)	재고 있음8,946
MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 8G DDR 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,650
MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 8G DDR 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,824
MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 메모리 크기: 4Gb (128M x 32)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 162-VFBGA 공급자 장치 패키지: 162-VFBGA (10.5x8)	재고 있음6,210
MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 메모리 크기: 4Gb (128M x 32)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 162-VFBGA 공급자 장치 패키지: 162-VFBGA (10.5x8)	재고 있음21,900
MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4U2 Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 8G DDR2 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,544
MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4U2 TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 8G DDR2 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,140
MT29RZ4C2DZZHGSK-18 W.80E Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 6G DDR2 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,094
MT29RZ4C2DZZHGSK-18 W.80E TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 6G DDR2 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,760
MT29RZ4C4DZZHGPL-18 W.80U Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 8G DDR 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,664
MT29RZ4C4DZZHGPL-18 W.80U TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 8G DDR 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,208
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,744
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,960
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,712
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,964
MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.80C Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-VFBGA 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)	재고 있음3,276
MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.80C TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-VFBGA 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)	재고 있음4,284
MT29RZ4C4DZZMGMF-18 W.80U Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 8G DDR 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,840
MT29RZ4C4DZZMGMF-18 W.80U TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 8G DDR 168BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,550
MT29RZ4C4DZZMGMU-18 W.80U Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 8G DDR 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,132
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,600
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,354

MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 162-VFBGA
공급자 장치 패키지: 162-VFBGA (11.5x13)

재고 있음2,070

MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 162-VFBGA
공급자 장치 패키지: 162-VFBGA (11.5x13)

재고 있음5,976

MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR

Micron Technology Inc.

기억

MASSFLASH/LPDDR2 6G

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,394

MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 162-VFBGA
공급자 장치 패키지: 162-VFBGA (10.5x8)

재고 있음3,024

MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 162-VFBGA
공급자 장치 패키지: 162-VFBGA (10.5x8)

재고 있음6,480

MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 162-VFBGA
공급자 장치 패키지: 162-VFBGA (10.5x8)

재고 있음2,880

MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 162VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,626

MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 162-VFBGA
공급자 장치 패키지: 162-VFBGA (10.5x8)

재고 있음5,400

MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 162-VFBGA
공급자 장치 패키지: 162-VFBGA (10.5x8)

재고 있음8,946

MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8G DDR

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,650

MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8G DDR

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,824

MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 162-VFBGA
공급자 장치 패키지: 162-VFBGA (10.5x8)

재고 있음6,210

MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 162-VFBGA
공급자 장치 패키지: 162-VFBGA (10.5x8)

재고 있음21,900

MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4U2

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8G DDR2

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,544

MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4U2 TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8G DDR2

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,140

MT29RZ4C2DZZHGSK-18 W.80E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 6G DDR2

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,094

MT29RZ4C2DZZHGSK-18 W.80E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 6G DDR2

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,760

MT29RZ4C4DZZHGPL-18 W.80U

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8G DDR

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,664

MT29RZ4C4DZZHGPL-18 W.80U TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8G DDR

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,208

MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,744

MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,960

MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,712

MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,964

MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.80C

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-VFBGA
공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)

재고 있음3,276

MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.80C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-VFBGA
공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)

재고 있음4,284

MT29RZ4C4DZZMGMF-18 W.80U

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8G DDR

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,840

MT29RZ4C4DZZMGMF-18 W.80U TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8G DDR 168BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,550

MT29RZ4C4DZZMGMU-18 W.80U

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8G DDR

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,132

MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,600

MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,354

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