메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT41J128M8JP-15E IT:G TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x11.5)	재고 있음5,796
MT41J1G4THD-15E:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 4Gb (1G x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x11.5)	재고 있음6,408
MT41J256M16HA-093:E Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1066MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)	재고 있음39,275
MT41J256M16HA-093:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1066MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)	재고 있음3,510
MT41J256M16HA-093G:E Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1066MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)	재고 있음35,316
MT41J256M16HA-093G:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1066MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)	재고 있음8,946
MT41J256M16HA-093 J:E Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1066MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (8x14)	재고 있음5,958
MT41J256M16HA-107:E Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)	재고 있음7,452
MT41J256M16HA-107:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)	재고 있음7,002
MT41J256M16HA-125:E Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 13.75ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)	재고 있음17
MT41J256M16HA-125:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 13.75ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)	재고 있음7,092
MT41J256M16LY-091G:N Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 1GHZ 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (7.5x13.5)	재고 있음15,613
MT41J256M16LY-091G:N TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 1GHZ 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (7.5x13.5)	재고 있음3,168
MT41J256M16RE-15E IT:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 13.5ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (10x14)	재고 있음5,112
MT41J256M4HX-15E:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 1Gb (256M x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-FBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9.5x11.5)	재고 있음5,148
MT41J256M4JP-125:G Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 1Gb (256M x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x11.5)	재고 있음3,852
MT41J256M4JP-15E:G Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 1Gb (256M x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x11.5)	재고 있음3,672
MT41J256M8DA-093:K Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1066MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)	재고 있음3,635
MT41J256M8DA-093:K TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1066MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)	재고 있음6,426
MT41J256M8DA-107:K Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)	재고 있음8,820
MT41J256M8DA-107:K TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)	재고 있음6,264
MT41J256M8DA-125:K Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 13.75ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)	재고 있음3,014
MT41J256M8DA-125:K TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 13.75ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)	재고 있음5,274
MT41J256M8HX-125:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 13.75ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x11.5)	재고 있음3,132
MT41J256M8HX-15E AAT:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 13.5ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x11.5)	재고 있음7,902
MT41J256M8HX-15E AIT:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 13.5ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x11.5)	재고 있음6,516
MT41J256M8HX-15E:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 13.5ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x11.5)	재고 있음32,896
MT41J256M8HX-15E:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 13.5ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x11.5)	재고 있음2,628
MT41J256M8HX-15E IT:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 13.5ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x11.5)	재고 있음4,140
MT41J256M8HX-15E IT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (256M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 13.5ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x11.5)	재고 있음4,716

MT41J128M8JP-15E IT:G TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x11.5)

재고 있음5,796

MT41J1G4THD-15E:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 4Gb (1G x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x11.5)

재고 있음6,408

MT41J256M16HA-093:E

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1066MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)

재고 있음39,275

MT41J256M16HA-093:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1066MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)

재고 있음3,510

MT41J256M16HA-093G:E

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1066MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)

재고 있음35,316

MT41J256M16HA-093G:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1066MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)

재고 있음8,946

MT41J256M16HA-093 J:E

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1066MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (8x14)

재고 있음5,958

MT41J256M16HA-107:E

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)

재고 있음7,452

MT41J256M16HA-107:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)

재고 있음7,002

MT41J256M16HA-125:E

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 13.75ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)

재고 있음17

MT41J256M16HA-125:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 13.75ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
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패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)

재고 있음7,092

MT41J256M16LY-091G:N

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 1GHZ 96FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
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패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (7.5x13.5)

재고 있음15,613

MT41J256M16LY-091G:N TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 1GHZ 96FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (7.5x13.5)

재고 있음3,168

MT41J256M16RE-15E IT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 13.5ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (10x14)

재고 있음5,112

MT41J256M4HX-15E:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 1Gb (256M x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-FBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9.5x11.5)

재고 있음5,148

MT41J256M4JP-125:G

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 1Gb (256M x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x11.5)

재고 있음3,852

MT41J256M4JP-15E:G

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 1Gb (256M x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x11.5)

재고 있음3,672

MT41J256M8DA-093:K

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1066MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)

재고 있음3,635

MT41J256M8DA-093:K TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1066MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)

재고 있음6,426

MT41J256M8DA-107:K

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)

재고 있음8,820

MT41J256M8DA-107:K TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)

재고 있음6,264

MT41J256M8DA-125:K

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 13.75ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)

재고 있음3,014

MT41J256M8DA-125:K TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 13.75ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)

재고 있음5,274

MT41J256M8HX-125:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 13.75ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x11.5)

재고 있음3,132

MT41J256M8HX-15E AAT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 13.5ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x11.5)

재고 있음7,902

MT41J256M8HX-15E AIT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 13.5ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x11.5)

재고 있음6,516

MT41J256M8HX-15E:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 13.5ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x11.5)

재고 있음32,896

MT41J256M8HX-15E:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 13.5ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x11.5)

재고 있음2,628

MT41J256M8HX-15E IT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 13.5ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x11.5)

재고 있음4,140

MT41J256M8HX-15E IT:D TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 13.5ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x11.5)

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