메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT40A512M8RH-075E:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.33GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)	재고 있음4,788
MT40A512M8RH-075E IT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.33GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)	재고 있음2,934
MT40A512M8RH-075E IT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.33GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)	재고 있음7,488
MT40A512M8RH-083E AAT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)	재고 있음2,502
MT40A512M8RH-083E AAT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)	재고 있음2,232
MT40A512M8RH-083E AIT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)	재고 있음6,138
MT40A512M8RH-083E AIT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)	재고 있음7,956
MT40A512M8RH-083E AUT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)	재고 있음4,302
MT40A512M8RH-083E AUT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)	재고 있음8,694
MT40A512M8RH-083E:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)	재고 있음20,082
MT40A512M8RH-083E:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC SDRAM DDR4 4G 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 19ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)	재고 있음5,346
MT40A512M8RH-083E IT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 19ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)	재고 있음7,740
MT40A512M8RH-083E IT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)	재고 있음2,268
MT40A512M8SA-062E AAT:F Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 19ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)	재고 있음4,158
MT40A512M8SA-062E AAT:F TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 19ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)	재고 있음3,726
MT40A512M8SA-062E AIT:F Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 19ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)	재고 있음5,652
MT40A512M8SA-062E AIT:F TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 19ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)	재고 있음7,668
MT40A512M8SA-062E AUT:F Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 19ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)	재고 있음7,632
MT40A512M8SA-062E AUT:F TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 19ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)	재고 있음3,508
MT40A512M8SA-062E:F Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 13.75ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)	재고 있음2,484
MT40A512M8SA-062E IT:F Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 19ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)	재고 있음3,024
MT40A512M8SA-062E IT:F TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 13.75ns 전압-공급: 1.14V ~ 1.26V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-TFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)	재고 있음5,922
MT40A512M8Z90BWC1 Micron Technology Inc.	기억 DDR4 4G DIE 512MX8 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,858
MT40A8G4KVA-075H:G Micron Technology Inc.	기억 MEMORY DRAM 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,694
MT40A8G4KVA-075H:G TR Micron Technology Inc.	기억 MEMORY DRAM 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,824
MT41DC11TW-V88A Micron Technology Inc.	기억 IC SDRAM DDR3 1G NANA NA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,218
MT41DC11TW-V88A TR Micron Technology Inc.	기억 IC SDRAM DDR3 1G NANA NA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,776
MT41DCHA-V80A:E Micron Technology Inc.	기억 IC DDR3 4G NANA FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,302
MT41J128M16HA-107G:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)	재고 있음6,282
MT41J128M16HA-125:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 13.75ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)	재고 있음89,831

MT40A512M8RH-075E:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.33GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)

재고 있음4,788

MT40A512M8RH-075E IT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.33GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)

재고 있음2,934

MT40A512M8RH-075E IT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.33GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)

재고 있음7,488

MT40A512M8RH-083E AAT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.2GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)

재고 있음2,502

MT40A512M8RH-083E AAT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.2GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)

재고 있음2,232

MT40A512M8RH-083E AIT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.2GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)

재고 있음6,138

MT40A512M8RH-083E AIT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.2GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)

재고 있음7,956

MT40A512M8RH-083E AUT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.2GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)

재고 있음4,302

MT40A512M8RH-083E AUT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.2GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)

재고 있음8,694

MT40A512M8RH-083E:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.2GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)

재고 있음20,082

MT40A512M8RH-083E:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC SDRAM DDR4 4G 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.2GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 19ns
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)

재고 있음5,346

MT40A512M8RH-083E IT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.2GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 19ns
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)

재고 있음7,740

MT40A512M8RH-083E IT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.2GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)

재고 있음2,268

MT40A512M8SA-062E AAT:F

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 19ns
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)

재고 있음4,158

MT40A512M8SA-062E AAT:F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 19ns
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)

재고 있음3,726

MT40A512M8SA-062E AIT:F

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 19ns
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)

재고 있음5,652

MT40A512M8SA-062E AIT:F TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 19ns
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)

재고 있음7,668

MT40A512M8SA-062E AUT:F

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 19ns
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)

재고 있음7,632

MT40A512M8SA-062E AUT:F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 19ns
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)

재고 있음3,508

MT40A512M8SA-062E:F

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 13.75ns
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)

재고 있음2,484

MT40A512M8SA-062E IT:F

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 19ns
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)

재고 있음3,024

MT40A512M8SA-062E IT:F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR4
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 13.75ns
전압-공급: 1.14V ~ 1.26V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-TFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (7.5x11)

재고 있음5,922

MT40A512M8Z90BWC1

Micron Technology Inc.

기억

DDR4 4G DIE 512MX8

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,858

MT40A8G4KVA-075H:G

Micron Technology Inc.

기억

MEMORY DRAM

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
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전압-공급: -
작동 온도: -
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공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,694

MT40A8G4KVA-075H:G TR

Micron Technology Inc.

기억

MEMORY DRAM

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
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패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,824

MT41DC11TW-V88A

Micron Technology Inc.

기억

IC SDRAM DDR3 1G NANA NA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
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접근 시간: -
전압-공급: -
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공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,218

MT41DC11TW-V88A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC SDRAM DDR3 1G NANA NA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,776

MT41DCHA-V80A:E

Micron Technology Inc.

기억

IC DDR3 4G NANA FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,302

MT41J128M16HA-107G:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)

재고 있음6,282

MT41J128M16HA-125:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 13.75ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x14)

재고 있음89,831

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