메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT53E768M32D4DT-046 AIT:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (768M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2.133GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,726
MT53E768M32D4DT-046 WT:E Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (768M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2.133GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,660
MT53E768M32D4DT-046 WT:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (768M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2.133GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,534
MT53E768M32D4DT-053 AAT:E Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (768M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1.866GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,682
MT53E768M32D4DT-053 AAT:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (768M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1.866GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,448
MT53E768M32D4DT-053 AIT:E Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (768M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1.866GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음355
MT53E768M32D4DT-053 AIT:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (768M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1.866GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,632
MT53E768M32D4DT-053 WT:E Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (768M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1.866GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음643
MT53E768M32D4DT-053 WT:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (768M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1.866GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,910
MT53E768M64D4SQ-046 AAT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,202
MT53E768M64D4SQ-046 AAT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,490
MT53E768M64D4SQ-046 AIT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,734
MT53E768M64D4SQ-046 AIT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,182
MT53E768M64D4SQ-046 WT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,874
MT53E768M64D4SQ-046 WT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,736
MT58K256M321JA-100:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G 256X32 190FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SGRAM - GDDR5 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 5GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.31V ~ 1.39V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 190-TFBGA 공급자 장치 패키지: 190-FBGA (10x14)	재고 있음4,644
MT61K256M32JE-12:A Micron Technology Inc.	기억 IC RAM 8G PARALLEL 1.5GHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: SGRAM - GDDR6 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.5GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.31V ~ 1.39V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Sub-Base Mount 패키지 / 케이스: 180-TFBGA 공급자 장치 패키지: 180-FBGA (12x14)	재고 있음8,190
MT61K256M32JE-12:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC RAM 8G PARALLEL 1.5GHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: SGRAM - GDDR6 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.5GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.31V ~ 1.39V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Sub-Base Mount 패키지 / 케이스: 180-TFBGA 공급자 장치 패키지: 180-FBGA (12x14)	재고 있음6,048
MT61K256M32JE-13:A Micron Technology Inc.	기억 IC RAM 8G PARALLEL 1.625GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: SGRAM - GDDR6 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.625GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.31V ~ 1.39V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Sub-Base Mount 패키지 / 케이스: 180-TFBGA 공급자 장치 패키지: 180-FBGA (12x14)	재고 있음7,920
MT61K256M32JE-13:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC RAM 8G PARALLEL 1.625GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: SGRAM - GDDR6 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.625GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.31V ~ 1.39V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Sub-Base Mount 패키지 / 케이스: 180-TFBGA 공급자 장치 패키지: 180-FBGA (12x14)	재고 있음4,086
MT61K256M32JE-14:A Micron Technology Inc.	기억 IC RAM 8G PARALLEL 1.75GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: SGRAM - GDDR6 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.75GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.31V ~ 1.39V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Sub-Base Mount 패키지 / 케이스: 180-TFBGA 공급자 장치 패키지: 180-FBGA (12x14)	재고 있음3,472
MT61K256M32JE-14:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC RAM 8G PARALLEL 1.75GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: SGRAM - GDDR6 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.75GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.31V ~ 1.39V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Sub-Base Mount 패키지 / 케이스: 180-TFBGA 공급자 장치 패키지: 180-FBGA (12x14)	재고 있음6,138
MT61K512M32KPA-14:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM GDDR6 180FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SGRAM - GDDR6 메모리 크기: 16Gb (512M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 7GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.31V ~ 1.391V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 180-TFBGA 공급자 장치 패키지: 180-FBGA (12x14)	재고 있음8,082
MT61K512M32KPA-14:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC SDRAM GDDR6 180FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SGRAM - GDDR6 메모리 크기: 16Gb (512M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 7GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.31V ~ 1.391V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 180-TFBGA 공급자 장치 패키지: 180-FBGA (12x14)	재고 있음2,898
MT61K512M32KPA-16:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM GDDR6 180FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SGRAM - GDDR6 메모리 크기: 16Gb (512M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 8GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.31V ~ 1.391V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 180-TFBGA 공급자 장치 패키지: 180-FBGA (12x14)	재고 있음2,772
MT61K512M32KPA-16:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC SDRAM GDDR6 180FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SGRAM - GDDR6 메모리 크기: 16Gb (512M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 8GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.31V ~ 1.391V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 180-TFBGA 공급자 장치 패키지: 180-FBGA (12x14)	재고 있음7,308
MT61M256M32JE-10 AAT:A Micron Technology Inc.	기억 IC RAM 8G PARALLEL 1.25GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: SGRAM - GDDR6 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.25GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.21V ~ 1.29V 작동 온도: -40°C ~ 105°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 180-TFBGA 공급자 장치 패키지: 180-FBGA (12x14)	재고 있음8,856
MT61M256M32JE-10 AAT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC RAM 8G PARALLEL 1.25GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: SGRAM - GDDR6 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.25GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.21V ~ 1.29V 작동 온도: -40°C ~ 105°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 180-TFBGA 공급자 장치 패키지: 180-FBGA (12x14)	재고 있음3,492
MT61M256M32JE-10 N:A Micron Technology Inc.	기억 IC RAM 8G PARALLEL 1.25GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: SGRAM - GDDR6 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.25GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.21V ~ 1.29V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 180-TFBGA 공급자 장치 패키지: 180-FBGA (12x14)	재고 있음7,470
MT61M256M32JE-10 N:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC RAM 8G PARALLEL 1.25GHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: SGRAM - GDDR6 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.25GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.21V ~ 1.29V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 180-TFBGA 공급자 장치 패키지: 180-FBGA (12x14)	재고 있음3,454

MT53E768M32D4DT-046 AIT:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (768M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 2.133GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 0.6V, 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,726

MT53E768M32D4DT-046 WT:E

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (768M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 2.133GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 0.6V, 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,660

MT53E768M32D4DT-046 WT:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (768M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 2.133GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 0.6V, 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,534

MT53E768M32D4DT-053 AAT:E

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (768M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1.866GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 0.6V, 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,682

MT53E768M32D4DT-053 AAT:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (768M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1.866GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 0.6V, 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,448

MT53E768M32D4DT-053 AIT:E

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (768M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1.866GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 0.6V, 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음355

MT53E768M32D4DT-053 AIT:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (768M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1.866GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 0.6V, 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,632

MT53E768M32D4DT-053 WT:E

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (768M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1.866GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 0.6V, 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음643

MT53E768M32D4DT-053 WT:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (768M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1.866GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 0.6V, 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,910

MT53E768M64D4SQ-046 AAT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,202

MT53E768M64D4SQ-046 AAT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,490

MT53E768M64D4SQ-046 AIT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,734

MT53E768M64D4SQ-046 AIT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,182

MT53E768M64D4SQ-046 WT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,874

MT53E768M64D4SQ-046 WT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,736

MT58K256M321JA-100:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G 256X32 190FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SGRAM - GDDR5
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 5GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.31V ~ 1.39V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 190-TFBGA
공급자 장치 패키지: 190-FBGA (10x14)

재고 있음4,644

MT61K256M32JE-12:A

Micron Technology Inc.

기억

IC RAM 8G PARALLEL 1.5GHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: SGRAM - GDDR6
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.5GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.31V ~ 1.39V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Sub-Base Mount
패키지 / 케이스: 180-TFBGA
공급자 장치 패키지: 180-FBGA (12x14)

재고 있음8,190

MT61K256M32JE-12:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC RAM 8G PARALLEL 1.5GHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: SGRAM - GDDR6
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.5GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.31V ~ 1.39V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Sub-Base Mount
패키지 / 케이스: 180-TFBGA
공급자 장치 패키지: 180-FBGA (12x14)

재고 있음6,048

MT61K256M32JE-13:A

Micron Technology Inc.

기억

IC RAM 8G PARALLEL 1.625GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: SGRAM - GDDR6
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.625GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.31V ~ 1.39V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Sub-Base Mount
패키지 / 케이스: 180-TFBGA
공급자 장치 패키지: 180-FBGA (12x14)

재고 있음7,920

MT61K256M32JE-13:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC RAM 8G PARALLEL 1.625GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: SGRAM - GDDR6
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.625GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.31V ~ 1.39V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Sub-Base Mount
패키지 / 케이스: 180-TFBGA
공급자 장치 패키지: 180-FBGA (12x14)

재고 있음4,086

MT61K256M32JE-14:A

Micron Technology Inc.

기억

IC RAM 8G PARALLEL 1.75GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: SGRAM - GDDR6
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.75GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.31V ~ 1.39V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Sub-Base Mount
패키지 / 케이스: 180-TFBGA
공급자 장치 패키지: 180-FBGA (12x14)

재고 있음3,472

MT61K256M32JE-14:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC RAM 8G PARALLEL 1.75GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: SGRAM - GDDR6
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.75GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.31V ~ 1.39V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Sub-Base Mount
패키지 / 케이스: 180-TFBGA
공급자 장치 패키지: 180-FBGA (12x14)

재고 있음6,138

MT61K512M32KPA-14:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM GDDR6 180FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SGRAM - GDDR6
메모리 크기: 16Gb (512M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 7GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.31V ~ 1.391V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 180-TFBGA
공급자 장치 패키지: 180-FBGA (12x14)

재고 있음8,082

MT61K512M32KPA-14:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC SDRAM GDDR6 180FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SGRAM - GDDR6
메모리 크기: 16Gb (512M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 7GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.31V ~ 1.391V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 180-TFBGA
공급자 장치 패키지: 180-FBGA (12x14)

재고 있음2,898

MT61K512M32KPA-16:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM GDDR6 180FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SGRAM - GDDR6
메모리 크기: 16Gb (512M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 8GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.31V ~ 1.391V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 180-TFBGA
공급자 장치 패키지: 180-FBGA (12x14)

재고 있음2,772

MT61K512M32KPA-16:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC SDRAM GDDR6 180FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SGRAM - GDDR6
메모리 크기: 16Gb (512M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 8GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.31V ~ 1.391V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 180-TFBGA
공급자 장치 패키지: 180-FBGA (12x14)

재고 있음7,308

MT61M256M32JE-10 AAT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC RAM 8G PARALLEL 1.25GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: SGRAM - GDDR6
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.25GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.21V ~ 1.29V
작동 온도: -40°C ~ 105°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 180-TFBGA
공급자 장치 패키지: 180-FBGA (12x14)

재고 있음8,856

MT61M256M32JE-10 AAT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC RAM 8G PARALLEL 1.25GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: SGRAM - GDDR6
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.25GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.21V ~ 1.29V
작동 온도: -40°C ~ 105°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 180-TFBGA
공급자 장치 패키지: 180-FBGA (12x14)

재고 있음3,492

MT61M256M32JE-10 N:A

Micron Technology Inc.

기억

IC RAM 8G PARALLEL 1.25GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: SGRAM - GDDR6
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.25GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.21V ~ 1.29V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 180-TFBGA
공급자 장치 패키지: 180-FBGA (12x14)

재고 있음7,470

MT61M256M32JE-10 N:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC RAM 8G PARALLEL 1.25GHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: SGRAM - GDDR6
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.25GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.21V ~ 1.29V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 180-TFBGA
공급자 장치 패키지: 180-FBGA (12x14)

재고 있음3,454

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