메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT53E384M32D2DS-046 AAT:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 12Gb (384M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2.133GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,514
MT53E384M32D2DS-046 AIT:E Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 12Gb (384M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2.133GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,218
MT53E384M32D2DS-046 AIT:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 12Gb (384M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2.133GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,058
MT53E384M32D2DS-046 AUT:E Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 12Gb (384M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2.133GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,876
MT53E384M32D2DS-046 AUT:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 12Gb (384M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2.133GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,380
MT53E384M32D2DS-046 WT:E Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 12Gb (384M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2.133GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,724
MT53E384M32D2DS-046 WT:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 12Gb (384M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2.133GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,634
MT53E384M32D2DS-053 AAT:E Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 12Gb (384M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1.866GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,642
MT53E384M32D2DS-053 AAT:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 12Gb (384M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1.866GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,380
MT53E384M32D2DS-053 AIT:E Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 12Gb (384M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1.866GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,438
MT53E384M32D2DS-053 AIT:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 12Gb (384M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1.866GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,772
MT53E384M32D2DS-053 AUT:E Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 12Gb (384M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1.866GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,968
MT53E384M32D2DS-053 AUT:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 12Gb (384M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1.866GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,424
MT53E384M32D2DS-053 WT:E Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 12Gb (384M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1.866GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,608
MT53E384M32D2DS-053 WT:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 12Gb (384M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1.866GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,964
MT53E512M32D2NP-046 Micron Technology Inc.	기억 LPDDR4 16G 512MX32 FBGA WT DDP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,778
MT53E512M32D2NP-046 TR Micron Technology Inc.	기억 LPDDR4 16G 512MX32 FBGA WT DDP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,840
MT53E512M32D2NP-046 WT:E Micron Technology Inc.	기억 LPDDR4 16G 512MX32 FBGA WT DDP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음354
MT53E512M32D2NP-046 WT:E TR Micron Technology Inc.	기억 LPDDR4 16G 512MX32 FBGA WT DDP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,086
MT53E512M64D4NK-046 WT:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음585
MT53E512M64D4NK-046 WT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 BGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,640
MT53E512M64D4NK-053 WT:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,336
MT53E512M64D4NK-053 WT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,830
MT53E512M64D4NW-046 WT:E Micron Technology Inc.	기억 LPDDR4 32G 512MX64 FBGA WT QDP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,100
MT53E512M64D4NW-046 WT:E TR Micron Technology Inc.	기억 LPDDR4 32G 512MX64 FBGA WT QDP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,556
MT53E512M64D4NW-053 WT:E Micron Technology Inc.	기억 LPDDR4 32G 512MX64 FBGA WT QDP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,958
MT53E512M64D4NW-053 WT:E TR Micron Technology Inc.	기억 LPDDR4 32G 512MX64 FBGA WT QDP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,150
MT53E768M32D4DT-046 AAT:E Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (768M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2.133GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,974
MT53E768M32D4DT-046 AAT:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (768M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2.133GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,472
MT53E768M32D4DT-046 AIT:E Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (768M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2.133GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,380

MT53E384M32D2DS-046 AAT:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 12Gb (384M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 2.133GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 0.6V, 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,514

MT53E384M32D2DS-046 AIT:E

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기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 12Gb (384M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 2.133GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 0.6V, 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,218

MT53E384M32D2DS-046 AIT:E TR

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기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 12Gb (384M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 2.133GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 0.6V, 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,058

MT53E384M32D2DS-046 AUT:E

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 12Gb (384M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 2.133GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 0.6V, 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,876

MT53E384M32D2DS-046 AUT:E TR

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기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 12Gb (384M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 2.133GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 0.6V, 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,380

MT53E384M32D2DS-046 WT:E

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기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 12Gb (384M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 2.133GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 0.6V, 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,724

MT53E384M32D2DS-046 WT:E TR

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기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 12Gb (384M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 2.133GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 0.6V, 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,634

MT53E384M32D2DS-053 AAT:E

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IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 12Gb (384M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1.866GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 0.6V, 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,642

MT53E384M32D2DS-053 AAT:E TR

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기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 12Gb (384M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1.866GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 0.6V, 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,380

MT53E384M32D2DS-053 AIT:E

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기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 12Gb (384M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1.866GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 0.6V, 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,438

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IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 12Gb (384M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1.866GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 0.6V, 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,772

MT53E384M32D2DS-053 AUT:E

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 12Gb (384M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1.866GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 0.6V, 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,968

MT53E384M32D2DS-053 AUT:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 12Gb (384M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1.866GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 0.6V, 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,424

MT53E384M32D2DS-053 WT:E

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 12Gb (384M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1.866GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 0.6V, 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,608

MT53E384M32D2DS-053 WT:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 12Gb (384M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1.866GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 0.6V, 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,964

MT53E512M32D2NP-046

Micron Technology Inc.

기억

LPDDR4 16G 512MX32 FBGA WT DDP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
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시계 주파수: -
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재고 있음5,778

MT53E512M32D2NP-046 TR

Micron Technology Inc.

기억

LPDDR4 16G 512MX32 FBGA WT DDP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
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기술: -
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재고 있음6,840

MT53E512M32D2NP-046 WT:E

Micron Technology Inc.

기억

LPDDR4 16G 512MX32 FBGA WT DDP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
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기술: -
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재고 있음354

MT53E512M32D2NP-046 WT:E TR

Micron Technology Inc.

기억

LPDDR4 16G 512MX32 FBGA WT DDP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
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메모리 포맷: -
기술: -
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재고 있음4,086

MT53E512M64D4NK-046 WT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
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메모리 포맷: -
기술: -
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전압-공급: -
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패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음585

MT53E512M64D4NK-046 WT:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 BGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,640

MT53E512M64D4NK-053 WT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,336

MT53E512M64D4NK-053 WT:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,830

MT53E512M64D4NW-046 WT:E

Micron Technology Inc.

기억

LPDDR4 32G 512MX64 FBGA WT QDP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,100

MT53E512M64D4NW-046 WT:E TR

Micron Technology Inc.

기억

LPDDR4 32G 512MX64 FBGA WT QDP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,556

MT53E512M64D4NW-053 WT:E

Micron Technology Inc.

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LPDDR4 32G 512MX64 FBGA WT QDP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,958

MT53E512M64D4NW-053 WT:E TR

Micron Technology Inc.

기억

LPDDR4 32G 512MX64 FBGA WT QDP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,150

MT53E768M32D4DT-046 AAT:E

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (768M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 2.133GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 0.6V, 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,974

MT53E768M32D4DT-046 AAT:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (768M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 2.133GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 0.6V, 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,472

MT53E768M32D4DT-046 AIT:E

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (768M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 2.133GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 0.6V, 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,380

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