메모리 IC

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부품 번호	설명	재고 있음
MT53D8DBNW-DC Micron Technology Inc.	기억 LPDDR4 16G FBGA 8DP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,896
MT53D8DBNZ-DC Micron Technology Inc.	기억 SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,316
MT53D8DBNZ-DC TR Micron Technology Inc.	기억 SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,474
MT53D8DBPM-DC Micron Technology Inc.	기억 LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,922
MT53D8DBPM-DC TR Micron Technology Inc.	기억 LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,856
MT53D8DBWF-DC Micron Technology Inc.	기억 SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 376-WFBGA 공급자 장치 패키지: 376-WFBGA (14x14)	재고 있음4,014
MT53D8DBWF-DC TR Micron Technology Inc.	기억 SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 376-WFBGA 공급자 장치 패키지: 376-WFBGA (14x14)	재고 있음6,282
MT53E128M16D1DS-046 AAT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,598
MT53E128M16D1DS-046 AAT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,156
MT53E128M16D1DS-046 AIT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,632
MT53E128M16D1DS-046 AIT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,606
MT53E128M16D1DS-046 WT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,952
MT53E128M16D1DS-046 WT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,956
MT53E128M16D1DS-053 AAT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,366
MT53E128M16D1DS-053 AAT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,418
MT53E128M16D1DS-053 AIT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,714
MT53E128M16D1DS-053 AIT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,082
MT53E128M16D1DS-053 WT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,110
MT53E128M16D1DS-053 WT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,914
MT53E128M32D2DS-046 AAT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2.133GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 105°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,392
MT53E128M32D2DS-046 AAT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2.133GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 105°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,110
MT53E128M32D2DS-046 AIT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2.133GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 95°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,796
MT53E128M32D2DS-046 AIT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2.133GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 95°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,376
MT53E128M32D2DS-046 AUT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2.133GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,060
MT53E128M32D2DS-046 AUT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2.133GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,582
MT53E128M32D2DS-046 WT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2.133GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,472
MT53E128M32D2DS-046 WT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 2.133GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,896
MT53E128M32D2DS-053 AAT:A Micron Technology Inc.	기억 LPDDR4 4G 128MX32 WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,732
MT53E128M32D2DS-053 AAT:A TR Micron Technology Inc.	기억 LPDDR4 4G 128MX32 WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,974
MT53E128M32D2DS-053 AIT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1.866GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 0.6V, 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 95°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,644

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