메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
RM25C64DS-LSNI-T Adesto Technologies	기억 IC CBRAM 64K SPI 20MHZ 8SOIC 제조업체: Adesto Technologies 시리즈: Mavriq™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: CBRAM® 기술: CBRAM 메모리 크기: 64kb (32B Page Size) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 20MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100µs, 2.5ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음8,028
RM25C64DS-LTAI-B Adesto Technologies	기억 IC CBRAM 64K SPI 20MHZ 8TSSOP 제조업체: Adesto Technologies 시리즈: Mavriq™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: CBRAM® 기술: CBRAM 메모리 크기: 64kb (32B Page Size) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 20MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100µs, 2.5ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음6,606
RM25C64DS-LTAI-T Adesto Technologies	기억 IC CBRAM 64K SPI 20MHZ 8TSSOP 제조업체: Adesto Technologies 시리즈: Mavriq™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: CBRAM® 기술: CBRAM 메모리 크기: 64kb (32B Page Size) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 20MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100µs, 2.5ms 접근 시간: - 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음5,688
RMLV0408EGSA-4S2#AA0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 32STSOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-sTSOP	재고 있음3,598
RMLV0408EGSA-4S2#AA1 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 32STSOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-sTSOP	재고 있음7,452
RMLV0408EGSA-4S2#KA0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 32STSOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-sTSOP	재고 있음4,338
RMLV0408EGSA-4S2#KA1 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 32STSOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-sTSOP	재고 있음18,456
RMLV0408EGSB-4S2#AA0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP II	재고 있음8,820
RMLV0408EGSB-4S2#AA1 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP II	재고 있음1,627
RMLV0408EGSB-4S2#HA0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP II	재고 있음2,124
RMLV0408EGSB-4S2#HA1 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-TSOP II	재고 있음2,466
RMLV0408EGSP-4S2#CA0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOP	재고 있음4,032
RMLV0408EGSP-4S2#HA0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOP	재고 있음18,120
RMLV0414EGSB-4S2#AA0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음5,688
RMLV0414EGSB-4S2#AA1 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음18,504
RMLV0414EGSB-4S2#HA0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음3,870
RMLV0414EGSB-4S2#HA1 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음6,228
RMLV0416EGBG-4S2#AC0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (7.5x8.5)	재고 있음9,336
RMLV0416EGBG-4S2#KC0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (7.5x8.5)	재고 있음12,276
RMLV0416EGSB-4S2#AA0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP2	재고 있음3,080
RMLV0416EGSB-4S2#AA1 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP2	재고 있음1,553
RMLV0416EGSB-4S2#HA0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP2	재고 있음7,830
RMLV0416EGSB-4S2#HA1 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP2	재고 있음3,852
RMLV0808BGBG-4S2#AC0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (7.5x8.5)	재고 있음5,076
RMLV0808BGBG-4S2#KC0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (7.5x8.5)	재고 있음5,760
RMLV0808BGSB-4S2#AA0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음6,096
RMLV0808BGSB-4S2#HA0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음3,474
RMLV0816BGBG-4S2#AC0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (7.5x8.5)	재고 있음6,912
RMLV0816BGBG-4S2#KC0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (7.5x8.5)	재고 있음8,802
RMLV0816BGSA-4S2#AA0 Renesas Electronics America	기억 IC SRAM 8M PARALLEL 48TSOP 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 2.4V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음14,976

RM25C64DS-LSNI-T

Adesto Technologies

기억

IC CBRAM 64K SPI 20MHZ 8SOIC

제조업체: Adesto Technologies
시리즈: Mavriq™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: CBRAM®
기술: CBRAM
메모리 크기: 64kb (32B Page Size)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 20MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100µs, 2.5ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-SOIC

재고 있음8,028

RM25C64DS-LTAI-B

Adesto Technologies

기억

IC CBRAM 64K SPI 20MHZ 8TSSOP

제조업체: Adesto Technologies
시리즈: Mavriq™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: CBRAM®
기술: CBRAM
메모리 크기: 64kb (32B Page Size)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 20MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100µs, 2.5ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음6,606

RM25C64DS-LTAI-T

Adesto Technologies

기억

IC CBRAM 64K SPI 20MHZ 8TSSOP

제조업체: Adesto Technologies
시리즈: Mavriq™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: CBRAM®
기술: CBRAM
메모리 크기: 64kb (32B Page Size)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 20MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100µs, 2.5ms
접근 시간: -
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음5,688

RMLV0408EGSA-4S2#AA0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 32STSOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-sTSOP

재고 있음3,598

RMLV0408EGSA-4S2#AA1

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 32STSOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-sTSOP

재고 있음7,452

RMLV0408EGSA-4S2#KA0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 32STSOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-sTSOP

재고 있음4,338

RMLV0408EGSA-4S2#KA1

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 32STSOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-sTSOP

재고 있음18,456

RMLV0408EGSB-4S2#AA0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-TSOP II

재고 있음8,820

RMLV0408EGSB-4S2#AA1

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IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
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공급자 장치 패키지: 32-TSOP II

재고 있음1,627

RMLV0408EGSB-4S2#HA0

Renesas Electronics America

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IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
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공급자 장치 패키지: 32-TSOP II

재고 있음2,124

RMLV0408EGSB-4S2#HA1

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IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
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재고 있음2,466

RMLV0408EGSP-4S2#CA0

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IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-SOP

재고 있음4,032

RMLV0408EGSP-4S2#HA0

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IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
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재고 있음18,120

RMLV0414EGSB-4S2#AA0

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IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
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메모리 인터페이스: Parallel
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전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
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공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음5,688

RMLV0414EGSB-4S2#AA1

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IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
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재고 있음18,504

RMLV0414EGSB-4S2#HA0

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IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음3,870

RMLV0414EGSB-4S2#HA1

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IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음6,228

RMLV0416EGBG-4S2#AC0

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IC SRAM 4M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 45ns
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패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (7.5x8.5)

재고 있음9,336

RMLV0416EGBG-4S2#KC0

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IC SRAM 4M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (7.5x8.5)

재고 있음12,276

RMLV0416EGSB-4S2#AA0

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IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
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패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP2

재고 있음3,080

RMLV0416EGSB-4S2#AA1

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기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
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접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
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재고 있음1,553

RMLV0416EGSB-4S2#HA0

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IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP2

재고 있음7,830

RMLV0416EGSB-4S2#HA1

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기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP2

재고 있음3,852

RMLV0808BGBG-4S2#AC0

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기억

IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (7.5x8.5)

재고 있음5,076

RMLV0808BGBG-4S2#KC0

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기억

IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (7.5x8.5)

재고 있음5,760

RMLV0808BGSB-4S2#AA0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음6,096

RMLV0808BGSB-4S2#HA0

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기억

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음3,474

RMLV0816BGBG-4S2#AC0

Renesas Electronics America

기억

IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (7.5x8.5)

재고 있음6,912

RMLV0816BGBG-4S2#KC0

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IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (7.5x8.5)

재고 있음8,802

RMLV0816BGSA-4S2#AA0

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기억

IC SRAM 8M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 8Mb (1M x 8, 512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 2.4V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

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