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메모리 IC

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설명
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S29GL512S12TFBV10
S29GL512S12TFBV10

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-S
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 120ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음8,928
S29GL512S12TFBV20
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Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-S
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 120ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음4,986
S29GL512S12TFIV10
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Cypress Semiconductor

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IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-S
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 120ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음2,016
S29GL512S12TFIV20
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Cypress Semiconductor

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IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-S
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 120ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음7,110
S29GL512S12TFVV20
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Cypress Semiconductor

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IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-S
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 120ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음3,348
S29GL512T10DHA010
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IC NOR

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음7,326
S29GL512T10DHA013
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Cypress Semiconductor

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IC NOR

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음8,406
S29GL512T10DHA020
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Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100, GL-T
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음3,598
S29GL512T10DHI010
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Cypress Semiconductor

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IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-T
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음9,168
S29GL512T10DHI020
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Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-T
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음15,180
S29GL512T10DHI023
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Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-T
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)
재고 있음2,826
S29GL512T10FAI010
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Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-T
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음7,200
S29GL512T10FAI013
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Cypress Semiconductor

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IC FLASH 512M PARALLEL

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-T
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음2,322
S29GL512T10FAI020
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Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-T
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음4,482
S29GL512T10FAI023
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Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-T
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음8,208
S29GL512T10FHI010
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Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-T
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음1,043
S29GL512T10FHI013
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Cypress Semiconductor

기억

IC NOR

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음7,614
S29GL512T10FHI020
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Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-T
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음29,814
S29GL512T10FHI023
S29GL512T10FHI023

Cypress Semiconductor

기억

IC NOR

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음4,122
S29GL512T10FHI030
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Cypress Semiconductor

기억

IC NOR

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음8,622
S29GL512T10FHI033
S29GL512T10FHI033

Cypress Semiconductor

기억

IC NOR

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음5,166
S29GL512T10FHI040
S29GL512T10FHI040

Cypress Semiconductor

기억

IC 512M FLASH MEMORY

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)
재고 있음3,600
S29GL512T10GHI010
S29GL512T10GHI010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 56BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-T
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 56-FBGA (9x7)
재고 있음6,588
S29GL512T10GHI020
S29GL512T10GHI020

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 56BGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-T
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 56-FBGA (9x7)
재고 있음7,146
S29GL512T10TFA010
S29GL512T10TFA010

Cypress Semiconductor

기억

IC NOR

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음4,518
S29GL512T10TFA020
S29GL512T10TFA020

Cypress Semiconductor

기억

IC 512 MB FLASH MEMORY

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음3,490
S29GL512T10TFA023
S29GL512T10TFA023

Cypress Semiconductor

기억

IC 512M FLASH MEMORY

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음5,940
S29GL512T10TFI010
S29GL512T10TFI010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-T
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음18,804
S29GL512T10TFI013
S29GL512T10TFI013

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-T
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음8,226
S29GL512T10TFI020
S29GL512T10TFI020

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: GL-T
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음8,160