메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
S29GL512T10TFI023 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-T 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음8,262
S29GL512T10TFI030 Cypress Semiconductor	기억 IC NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음4,914
S29GL512T10TFI033 Cypress Semiconductor	기억 IC NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음7,200
S29GL512T10TFI040 Cypress Semiconductor	기억 IC NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음2,100
S29GL512T10TFI043 Cypress Semiconductor	기억 IC NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음2,718
S29GL512T11DHB010 Cypress Semiconductor	기억 IC NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,840
S29GL512T11DHB013 Cypress Semiconductor	기억 IC NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,552
S29GL512T11DHB020 Cypress Semiconductor	기억 IC 512 MB FLASH MEMORY 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,726
S29GL512T11DHB023 Cypress Semiconductor	기억 IC 512M FLASH MEMORY 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,564
S29GL512T11DHIV10 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-T 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)	재고 있음17,592
S29GL512T11DHIV13 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-T 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)	재고 있음2,466
S29GL512T11DHIV20 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-T 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)	재고 있음7,368
S29GL512T11DHIV23 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-T 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)	재고 있음2,232
S29GL512T11DHV010 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-T 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)	재고 있음6,102
S29GL512T11DHV013 Cypress Semiconductor	기억 IC 512 MB FLASH MEMORY 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,532
S29GL512T11DHV020 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-T 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)	재고 있음6,660
S29GL512T11DHV023 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-T 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)	재고 있음7,128
S29GL512T11FAIV10 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-T 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)	재고 있음3,402
S29GL512T11FAIV13 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-T 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)	재고 있음5,976
S29GL512T11FAIV20 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-T 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)	재고 있음2,898
S29GL512T11FAIV23 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-T 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)	재고 있음5,022
S29GL512T11FHIV10 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-T 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)	재고 있음9,684
S29GL512T11FHIV13 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-T 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)	재고 있음8,028
S29GL512T11FHIV20 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-T 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)	재고 있음16,752
S29GL512T11TFB010 Cypress Semiconductor	기억 IC NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,598
S29GL512T11TFB020 Cypress Semiconductor	기억 IC 512 MB FLASH MEMORY 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,140
S29GL512T11TFB023 Cypress Semiconductor	기억 IC 512 MB FLASH MEMORY 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,500
S29GL512T11TFIV10 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-T 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음10,356
S29GL512T11TFIV20 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-T 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음8,496
S29GL512T11TFIV30 Cypress Semiconductor	기억 IC 512 MB FLASH MEMORY 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,968

S29GL512T10TFI023

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-T
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음8,262

S29GL512T10TFI030

Cypress Semiconductor

기억

IC NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음4,914

S29GL512T10TFI033

Cypress Semiconductor

기억

IC NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음7,200

S29GL512T10TFI040

Cypress Semiconductor

기억

IC NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음2,100

S29GL512T10TFI043

Cypress Semiconductor

기억

IC NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음2,718

S29GL512T11DHB010

Cypress Semiconductor

기억

IC NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,840

S29GL512T11DHB013

Cypress Semiconductor

기억

IC NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,552

S29GL512T11DHB020

Cypress Semiconductor

기억

IC 512 MB FLASH MEMORY

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,726

S29GL512T11DHB023

Cypress Semiconductor

기억

IC 512M FLASH MEMORY

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,564

S29GL512T11DHIV10

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-T
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)

재고 있음17,592

S29GL512T11DHIV13

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-T
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)

재고 있음2,466

S29GL512T11DHIV20

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-T
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)

재고 있음7,368

S29GL512T11DHIV23

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-T
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)

재고 있음2,232

S29GL512T11DHV010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-T
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)

재고 있음6,102

S29GL512T11DHV013

Cypress Semiconductor

기억

IC 512 MB FLASH MEMORY

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,532

S29GL512T11DHV020

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-T
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)

재고 있음6,660

S29GL512T11DHV023

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기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-T
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (9x9)

재고 있음7,128

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IC FLASH 512M PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-T
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)

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IC FLASH 512M PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-T
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)

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IC FLASH 512M PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-T
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)

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S29GL512T11FAIV23

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IC FLASH 512M PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-T
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)

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IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-T
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)

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S29GL512T11FHIV13

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IC FLASH 512M PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-T
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)

재고 있음8,028

S29GL512T11FHIV20

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-T
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 64-LBGA
공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)

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IC NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,598

S29GL512T11TFB020

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기억

IC 512 MB FLASH MEMORY

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,140

S29GL512T11TFB023

Cypress Semiconductor

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IC 512 MB FLASH MEMORY

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,500

S29GL512T11TFIV10

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-T
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음10,356

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IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: GL-T
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음8,496

S29GL512T11TFIV30

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IC 512 MB FLASH MEMORY

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

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