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메모리 IC

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부품 번호
설명
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S29PL127J60TFID30H
S29PL127J60TFID30H

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH MEM NOR 56PIN

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: PL-J
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 128M (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 60ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음4,968
S29PL127J65BAI000
S29PL127J65BAI000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: PL-J
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 65ns
  • 접근 시간: 65ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 80-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 80-FBGA (8x11)
재고 있음5,796
S29PL127J65BAI002
S29PL127J65BAI002

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: PL-J
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 65ns
  • 접근 시간: 65ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 80-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 80-FBGA (8x11)
재고 있음3,816
S29PL127J65BAW000
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Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: PL-J
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 65ns
  • 접근 시간: 65ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 80-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 80-FBGA (8x11)
재고 있음6,084
S29PL127J65BFW000
S29PL127J65BFW000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: PL-J
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 65ns
  • 접근 시간: 65ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 80-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 80-FBGA (8x11)
재고 있음5,058
S29PL127J70BAI000
S29PL127J70BAI000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 80FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: PL-J
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 80-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 80-FBGA (8x11)
재고 있음6,048
S29PL127J70BAI003
S29PL127J70BAI003

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 80FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: PL-J
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 80-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 80-FBGA (8x11)
재고 있음6,660
S29PL127J70BAI020
S29PL127J70BAI020

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: PL-J
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (8x11.6)
재고 있음4,266
S29PL127J70BAW000
S29PL127J70BAW000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: PL-J
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 80-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 80-FBGA (8x11)
재고 있음4,140
S29PL127J70BAW020
S29PL127J70BAW020

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 64FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: PL-J
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (8x11.6)
재고 있음7,265
S29PL127J70BAW023
S29PL127J70BAW023

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: PL-J
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (8x11.6)
재고 있음8,208
S29PL127J70BFI000
S29PL127J70BFI000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 80FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: PL-J
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 80-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 80-FBGA (8x11)
재고 있음7,686
S29PL127J70BFI003
S29PL127J70BFI003

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: PL-J
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 80-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 80-FBGA (8x11)
재고 있음2,988
S29PL127J70BFW020
S29PL127J70BFW020

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 64FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: PL-J
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 64-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (8x11.6)
재고 있음6,084
S29PL127J70TAI130
S29PL127J70TAI130

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: PL-J
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음2,592
S29PL127J70TAI130D
S29PL127J70TAI130D

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH MEM NOR 56TSOPI

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: PL-J
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 128M (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음8,172
S29PL127J70TAI130H
S29PL127J70TAI130H

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH MEM NOR 56TSOPI

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: PL-J
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 128M (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음3,060
S29PL127J70TAI133
S29PL127J70TAI133

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: PL-J
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음2,988
S29PL127J70TFI130
S29PL127J70TFI130

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: PL-J
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음17,196
S29PL127J70TFI130H
S29PL127J70TFI130H

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH MEM NOR 56TSOPI

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: PL-J
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 128M (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음3,906
S29PL127J70TFI133
S29PL127J70TFI133

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: PL-J
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음6,696
S29PL127J80BFI010
S29PL127J80BFI010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 80FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: PL-J
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 80ns
  • 접근 시간: 80ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 80-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 80-FBGA (8x11)
재고 있음4,032
S29PL127J80TFI140
S29PL127J80TFI140

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: PL-J
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 80ns
  • 접근 시간: 80ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 56-TSOP
재고 있음7,002
S29VS064RABBHI000
S29VS064RABBHI000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 44FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: VS-R
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 80ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 44-FBGA (7.5x5)
재고 있음9,912
S29VS064RABBHI010
S29VS064RABBHI010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 44FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: VS-R
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 80ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 44-FBGA (7.5x5)
재고 있음10,152
S29VS064RABBHW000
S29VS064RABBHW000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 44FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: VS-R
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 80ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 44-FBGA (7.5x5)
재고 있음4,176
S29VS064RABBHW010
S29VS064RABBHW010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 44FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: VS-R
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 80ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 44-FBGA (7.5x5)
재고 있음8,766
S29VS064RABBHW013
S29VS064RABBHW013

Cypress Semiconductor

기억

IC 64 MB FLASH MEMORY

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: VS-R
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 80ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 44-FBGA (7.5x5)
재고 있음4,518
S29VS128RABBHI000
S29VS128RABBHI000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 44FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: VS-R
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 80ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 44-FBGA (7.5x5)
재고 있음6,300
S29VS128RABBHI003
S29VS128RABBHI003

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 44FBGA

  • 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
  • 시리즈: VS-R
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
  • 접근 시간: 80ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 44-FBGA (7.5x5)
재고 있음5,580