메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
S29WS256RAABHW200E Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 104MHZ 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: WS-R 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 80ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-VFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (11.6x8)	재고 있음2,088
S29WS512P0PBFW000 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 84FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: WS-P 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 66MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 80ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-VFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (11.6x8)	재고 있음4,158
S29WS512P0PBFW0002 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 84FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: WS-P 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 66MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 80ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-VFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (11.6x8)	재고 있음5,202
S29WS512P0PBFW000A Cypress Semiconductor	기억 IC MPD NOR 84FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,256
S29WS512P0SBFW000 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 84FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: WS-P 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 80MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 80ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-VFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (11.6x8)	재고 있음8,268
S29WS512P0SBFW0002 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 84FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: WS-P 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 80MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 80ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-VFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (11.6x8)	재고 있음4,266
S29WS512P0SBFW000A Cypress Semiconductor	기억 IC MPD NOR 84FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,322
S29WS512P0SBFW003 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 84FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: WS-P 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 80MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 80ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-VFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (11.6x8)	재고 있음3,402
S29WS512PABBFW000 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 84FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: WS-P 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 80ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-VFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (11.6x8)	재고 있음6,588
S29WS512R0SBHW000 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 104MHZ 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: WS-R 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 80ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-VFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (11.6x8)	재고 있음4,896
S29WS512R0SBHW200 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 104MHZ 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: WS-R 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 80ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-VFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (11.6x8)	재고 있음7,902
S29WS512R0SBHW200E Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 104MHZ 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: WS-R 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 80ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-VFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (11.6x8)	재고 있음8,892
S29XS064RABBHI000 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 44FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: XS-R 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 108MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 80ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-VFBGA 공급자 장치 패키지: 44-FBGA (7.5x5)	재고 있음2,916
S29XS064RABBHI010 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 44FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: XS-R 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 108MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 80ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-VFBGA 공급자 장치 패키지: 44-FBGA (7.5x5)	재고 있음2,466
S29XS064RABBHW000 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 44FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: XS-R 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 108MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 80ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-VFBGA 공급자 장치 패키지: 44-FBGA (7.5x5)	재고 있음2,304
S29XS064RABBHW010 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 44FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: XS-R 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 108MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 80ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-VFBGA 공급자 장치 패키지: 44-FBGA (7.5x5)	재고 있음6,228
S29XS128RABBHI000 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 44FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: XS-R 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 108MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 80ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-VFBGA 공급자 장치 패키지: 44-FBGA (7.5x5)	재고 있음8,640
S29XS128RABBHW000 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 44FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: XS-R 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 108MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 80ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-VFBGA 공급자 장치 패키지: 44-FBGA (7.5x5)	재고 있음5,130
S29XS128RABBHW003 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 44FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: XS-R 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 108MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns 접근 시간: 80ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-VFBGA 공급자 장치 패키지: 44-FBGA (7.5x5)	재고 있음6,066
S29XS256RABBHI000 Cypress Semiconductor	기억 IC NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,024
S29XS256RABBHI010 Cypress Semiconductor	기억 IC NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,938
S29XS256RABBHW000 Cypress Semiconductor	기억 IC NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,022
S29XS256RABBHW010 Cypress Semiconductor	기억 IC NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,510
S29XS256RABBHW013 Cypress Semiconductor	기억 IC NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,568
S30ML01GP30TFI000 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH MEMORY 48TSOP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,004
S30ML01GP50TFI510 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH MEMORY 48TSOP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,892
S30ML02GP30TFI000 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH MEMORY 48TSOP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,416
S30ML02GP30TFI500 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH MEMORY 48TSOP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,590
S30ML02GP30TFI500L Cypress Semiconductor	기억 IC MEMORY FLASH NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,948
S30ML02GP50TFI010 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH MEMORY 48TSOP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,366

S29WS256RAABHW200E

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 104MHZ

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: WS-R
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 80ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-VFBGA
공급자 장치 패키지: 84-FBGA (11.6x8)

재고 있음2,088

S29WS512P0PBFW000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 84FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: WS-P
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 66MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 80ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-VFBGA
공급자 장치 패키지: 84-FBGA (11.6x8)

재고 있음4,158

S29WS512P0PBFW0002

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 84FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: WS-P
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 66MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 80ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-VFBGA
공급자 장치 패키지: 84-FBGA (11.6x8)

재고 있음5,202

S29WS512P0PBFW000A

Cypress Semiconductor

기억

IC MPD NOR 84FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,256

S29WS512P0SBFW000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 84FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: WS-P
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 80MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 80ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-VFBGA
공급자 장치 패키지: 84-FBGA (11.6x8)

재고 있음8,268

S29WS512P0SBFW0002

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 84FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: WS-P
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 80MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 80ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-VFBGA
공급자 장치 패키지: 84-FBGA (11.6x8)

재고 있음4,266

S29WS512P0SBFW000A

Cypress Semiconductor

기억

IC MPD NOR 84FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,322

S29WS512P0SBFW003

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 84FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: WS-P
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 80MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 80ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-VFBGA
공급자 장치 패키지: 84-FBGA (11.6x8)

재고 있음3,402

S29WS512PABBFW000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 84FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: WS-P
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 80ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-VFBGA
공급자 장치 패키지: 84-FBGA (11.6x8)

재고 있음6,588

S29WS512R0SBHW000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 104MHZ

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: WS-R
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 80ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-VFBGA
공급자 장치 패키지: 84-FBGA (11.6x8)

재고 있음4,896

S29WS512R0SBHW200

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 104MHZ

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: WS-R
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 80ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-VFBGA
공급자 장치 패키지: 84-FBGA (11.6x8)

재고 있음7,902

S29WS512R0SBHW200E

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 104MHZ

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: WS-R
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 80ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-VFBGA
공급자 장치 패키지: 84-FBGA (11.6x8)

재고 있음8,892

S29XS064RABBHI000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 44FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: XS-R
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 108MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 80ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-VFBGA
공급자 장치 패키지: 44-FBGA (7.5x5)

재고 있음2,916

S29XS064RABBHI010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 44FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: XS-R
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 108MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 80ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-VFBGA
공급자 장치 패키지: 44-FBGA (7.5x5)

재고 있음2,466

S29XS064RABBHW000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 44FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: XS-R
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 108MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 80ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-VFBGA
공급자 장치 패키지: 44-FBGA (7.5x5)

재고 있음2,304

S29XS064RABBHW010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 44FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: XS-R
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 108MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 80ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-VFBGA
공급자 장치 패키지: 44-FBGA (7.5x5)

재고 있음6,228

S29XS128RABBHI000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 44FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: XS-R
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 108MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 80ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-VFBGA
공급자 장치 패키지: 44-FBGA (7.5x5)

재고 있음8,640

S29XS128RABBHW000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 44FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: XS-R
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 108MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 80ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-VFBGA
공급자 장치 패키지: 44-FBGA (7.5x5)

재고 있음5,130

S29XS128RABBHW003

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 44FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: XS-R
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 108MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
접근 시간: 80ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-VFBGA
공급자 장치 패키지: 44-FBGA (7.5x5)

재고 있음6,066

S29XS256RABBHI000

Cypress Semiconductor

기억

IC NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,024

S29XS256RABBHI010

Cypress Semiconductor

기억

IC NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,938

S29XS256RABBHW000

Cypress Semiconductor

기억

IC NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,022

S29XS256RABBHW010

Cypress Semiconductor

기억

IC NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,510

S29XS256RABBHW013

Cypress Semiconductor

기억

IC NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,568

S30ML01GP30TFI000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH MEMORY 48TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,004

S30ML01GP50TFI510

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH MEMORY 48TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,892

S30ML02GP30TFI000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH MEMORY 48TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,416

S30ML02GP30TFI500

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH MEMORY 48TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,590

S30ML02GP30TFI500L

Cypress Semiconductor

기억

IC MEMORY FLASH NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,948

S30ML02GP50TFI010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH MEMORY 48TSOP

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

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