메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
S34MS04G204BHI010 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,554
S34MS04G204BHI010 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: MS-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)	재고 있음6,084
S34MS04G204BHI013 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,626
S34MS04G204BHI013 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: MS-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)	재고 있음5,508
S34MS04G204TFB010 SkyHigh Memory Limited	기억 NAND 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,096
S34MS04G204TFB010 Cypress Semiconductor	기억 NAND 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, MS-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음14,484
S34MS04G204TFB013 Cypress Semiconductor	기억 NAND 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, MS-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음5,382
S34MS04G204TFB013 SkyHigh Memory Limited	기억 NAND 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,078
S34MS04G204TFI010 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,464
S34MS04G204TFI010 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: MS-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음13,938
S34MS04G204TFI013 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,860
S34MS04G204TFI013 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: MS-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음4,392
S34MS04G204WFI019 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: MS-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,078
S34MS08G201BHA000 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 8G PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, MS-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)	재고 있음8,226
S34MS08G201BHA000 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 8G PARALLEL 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,102
S34MS08G201BHA003 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 8G PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, MS-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)	재고 있음5,364
S34MS08G201BHA003 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 8G PARALLEL 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,264
S34MS08G201BHB000 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 8G PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, MS-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)	재고 있음6,264
S34MS08G201BHB000 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 8G PARALLEL 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,320
S34MS08G201BHB003 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 8G PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: Automotive, AEC-Q100, MS-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)	재고 있음3,436
S34MS08G201BHB003 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 8G PARALLEL 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,694
S34MS08G201BHI000 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 8G PARALLEL 63BGA 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,778
S34MS08G201BHI000 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 8G PARALLEL 63BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: MS-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)	재고 있음20,670
S34MS08G201BHI003 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 8G PARALLEL 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: MS-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)	재고 있음4,986
S34MS08G201BHI003 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 8G PARALLEL 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,016
S34MS08G201BHV000 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 8G PARALLEL 63BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: MS-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)	재고 있음7,218
S34MS08G201BHV000 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 8G PARALLEL 63BGA 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,488
S34MS16G202BHI000 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 16G PARALLEL 63BGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: MS-2 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 16Gb (4G x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns 접근 시간: 45ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)	재고 있음4,230
S34MS16G202BHI000 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 16G PARALLEL 63BGA 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,898
S34MS16G202BHI003 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 16G PARALLEL 63BGA 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,930

S34MS04G204BHI010

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,554

S34MS04G204BHI010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: MS-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)

재고 있음6,084

S34MS04G204BHI013

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,626

S34MS04G204BHI013

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: MS-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)

재고 있음5,508

S34MS04G204TFB010

SkyHigh Memory Limited

기억

NAND

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,096

S34MS04G204TFB010

Cypress Semiconductor

기억

NAND

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, MS-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음14,484

S34MS04G204TFB013

Cypress Semiconductor

기억

NAND

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, MS-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음5,382

S34MS04G204TFB013

SkyHigh Memory Limited

기억

NAND

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,078

S34MS04G204TFI010

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,464

S34MS04G204TFI010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: MS-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음13,938

S34MS04G204TFI013

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,860

S34MS04G204TFI013

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: MS-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음4,392

S34MS04G204WFI019

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 4G PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: MS-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,078

S34MS08G201BHA000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 8G PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, MS-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)

재고 있음8,226

S34MS08G201BHA000

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 8G PARALLEL

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,102

S34MS08G201BHA003

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 8G PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, MS-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)

재고 있음5,364

S34MS08G201BHA003

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 8G PARALLEL

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,264

S34MS08G201BHB000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 8G PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, MS-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)

재고 있음6,264

S34MS08G201BHB000

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 8G PARALLEL

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,320

S34MS08G201BHB003

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 8G PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: Automotive, AEC-Q100, MS-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)

재고 있음3,436

S34MS08G201BHB003

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 8G PARALLEL

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,694

S34MS08G201BHI000

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 8G PARALLEL 63BGA

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,778

S34MS08G201BHI000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 8G PARALLEL 63BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: MS-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)

재고 있음20,670

S34MS08G201BHI003

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 8G PARALLEL

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: MS-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)

재고 있음4,986

S34MS08G201BHI003

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 8G PARALLEL

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,016

S34MS08G201BHV000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 8G PARALLEL 63BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: MS-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)

재고 있음7,218

S34MS08G201BHV000

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 8G PARALLEL 63BGA

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,488

S34MS16G202BHI000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 16G PARALLEL 63BGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: MS-2
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 16Gb (4G x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
접근 시간: 45ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-BGA (11x9)

재고 있음4,230

S34MS16G202BHI000

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 16G PARALLEL 63BGA

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,898

S34MS16G202BHI003

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 16G PARALLEL 63BGA

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,930

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