메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
S4013001200B4S010 Cypress Semiconductor	기억 IC MEMORY NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,416
S4013001200B4S020 Cypress Semiconductor	기억 IC MEMORY NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,082
S4013001270B0C010 Cypress Semiconductor	기억 IC MEMORY NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,700
S4013001270B0C020 Cypress Semiconductor	기억 IC MEMORY NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,520
S40135MM270B0S010 Cypress Semiconductor	기억 IC MEMORY NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,406
S40135MM270B0S020 Cypress Semiconductor	기억 IC MEMORY NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,506
S40410081B1B1I000 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 8G PARALLEL 153VFBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: e.MMC 1B1 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 153-VFBGA 공급자 장치 패키지: 153-VFBGA	재고 있음2,916
S40410081B1B1I003 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 8G PARALLEL 153VFBGA 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,590
S40410081B1B1I003 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 8G PARALLEL 153VFBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: e.MMC 1B1 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 153-VFBGA 공급자 장치 패키지: 153-VFBGA	재고 있음3,852
S40410081B1B1W000 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 8G PARALLEL 153WFBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: e.MMC 1B1 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 153-VFBGA 공급자 장치 패키지: 153-VFBGA (13x11.5)	재고 있음8,640
S40410081B1B1W003 SkyHigh Memory Limited	기억 IC MEMORY NAND 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,470
S40410081B1B1W003 Cypress Semiconductor	기억 IC MEMORY NAND 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,172
S40410081B1B2I000 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 8G PARALLEL 100LBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: e.MMC 1B1 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LBGA 공급자 장치 패키지: 100-LBGA (14x18)	재고 있음5,202
S40410081B1B2I003 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 8G PARALLEL 100LBGA 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,276
S40410081B1B2I003 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 8G PARALLEL 100LBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: e.MMC 1B1 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LBGA 공급자 장치 패키지: 100-LBGA (14x18)	재고 있음6,768
S40410081B1B2W000 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 8G PARALLEL 100LBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: e.MMC 1B1 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LBGA 공급자 장치 패키지: 100-LBGA (14x18)	재고 있음2,754
S40410081B1B2W003 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 8G PARALLEL 100LBGA 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,330
S40410081B1B2W003 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 8G PARALLEL 100LBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: e.MMC 1B1 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 8Gb (1G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LBGA 공급자 장치 패키지: 100-LBGA (14x18)	재고 있음3,726
S40410161B1B1I010 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 16G PARALLEL 153VFBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: e.MMC 1B1 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 16Gb (2G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 153-VFBGA 공급자 장치 패키지: 153-VFBGA	재고 있음8,460
S40410161B1B1I013 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 16G PARALLEL 153VFBGA 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,588
S40410161B1B1I013 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 16G PARALLEL 153VFBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: e.MMC 1B1 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 16Gb (2G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 153-VFBGA 공급자 장치 패키지: 153-VFBGA	재고 있음8,712
S40410161B1B1W010 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 16G PARALLEL 153VFBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: e.MMC 1B1 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 16Gb (2G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 153-VFBGA 공급자 장치 패키지: 153-VFBGA	재고 있음3,508
S40410161B1B1W013 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 16G PARALLEL 153VFBGA 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,466
S40410161B1B1W013 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 16G PARALLEL 153VFBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: e.MMC 1B1 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 16Gb (2G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 153-VFBGA 공급자 장치 패키지: 153-VFBGA	재고 있음7,812
S40410161B1B2I010 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 16G PARALLEL 100LBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: e.MMC 1B1 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 16Gb (2G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LBGA 공급자 장치 패키지: 100-LBGA (14x18)	재고 있음7,776
S40410161B1B2I013 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 16G PARALLEL 100LBGA 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,330
S40410161B1B2I013 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 16G PARALLEL 100LBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: e.MMC 1B1 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 16Gb (2G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LBGA 공급자 장치 패키지: 100-LBGA (14x18)	재고 있음7,452
S40410161B1B2W010 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 16G PARALLEL 100LBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: e.MMC 1B1 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 16Gb (2G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LBGA 공급자 장치 패키지: 100-LBGA (14x18)	재고 있음2,016
S40410161B1B2W013 SkyHigh Memory Limited	기억 IC FLASH 16G PARALLEL 100LBGA 제조업체: SkyHigh Memory Limited 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,520
S40410161B1B2W013 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 16G PARALLEL 100LBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: e.MMC 1B1 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 16Gb (2G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LBGA 공급자 장치 패키지: 100-LBGA (14x18)	재고 있음8,946

S4013001200B4S010

Cypress Semiconductor

기억

IC MEMORY NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,416

S4013001200B4S020

Cypress Semiconductor

기억

IC MEMORY NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,082

S4013001270B0C010

Cypress Semiconductor

기억

IC MEMORY NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,700

S4013001270B0C020

Cypress Semiconductor

기억

IC MEMORY NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,520

S40135MM270B0S010

Cypress Semiconductor

기억

IC MEMORY NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,406

S40135MM270B0S020

Cypress Semiconductor

기억

IC MEMORY NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,506

S40410081B1B1I000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 8G PARALLEL 153VFBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: e.MMC 1B1
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 153-VFBGA
공급자 장치 패키지: 153-VFBGA

재고 있음2,916

S40410081B1B1I003

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 8G PARALLEL 153VFBGA

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,590

S40410081B1B1I003

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 8G PARALLEL 153VFBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: e.MMC 1B1
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 153-VFBGA
공급자 장치 패키지: 153-VFBGA

재고 있음3,852

S40410081B1B1W000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 8G PARALLEL 153WFBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: e.MMC 1B1
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 153-VFBGA
공급자 장치 패키지: 153-VFBGA (13x11.5)

재고 있음8,640

S40410081B1B1W003

SkyHigh Memory Limited

기억

IC MEMORY NAND

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,470

S40410081B1B1W003

Cypress Semiconductor

기억

IC MEMORY NAND

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,172

S40410081B1B2I000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 8G PARALLEL 100LBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: e.MMC 1B1
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LBGA
공급자 장치 패키지: 100-LBGA (14x18)

재고 있음5,202

S40410081B1B2I003

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 8G PARALLEL 100LBGA

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,276

S40410081B1B2I003

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 8G PARALLEL 100LBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: e.MMC 1B1
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LBGA
공급자 장치 패키지: 100-LBGA (14x18)

재고 있음6,768

S40410081B1B2W000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 8G PARALLEL 100LBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: e.MMC 1B1
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LBGA
공급자 장치 패키지: 100-LBGA (14x18)

재고 있음2,754

S40410081B1B2W003

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 8G PARALLEL 100LBGA

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,330

S40410081B1B2W003

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 8G PARALLEL 100LBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: e.MMC 1B1
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LBGA
공급자 장치 패키지: 100-LBGA (14x18)

재고 있음3,726

S40410161B1B1I010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 16G PARALLEL 153VFBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: e.MMC 1B1
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 16Gb (2G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 153-VFBGA
공급자 장치 패키지: 153-VFBGA

재고 있음8,460

S40410161B1B1I013

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 16G PARALLEL 153VFBGA

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,588

S40410161B1B1I013

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 16G PARALLEL 153VFBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: e.MMC 1B1
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 16Gb (2G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 153-VFBGA
공급자 장치 패키지: 153-VFBGA

재고 있음8,712

S40410161B1B1W010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 16G PARALLEL 153VFBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: e.MMC 1B1
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 16Gb (2G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 153-VFBGA
공급자 장치 패키지: 153-VFBGA

재고 있음3,508

S40410161B1B1W013

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 16G PARALLEL 153VFBGA

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,466

S40410161B1B1W013

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 16G PARALLEL 153VFBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: e.MMC 1B1
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 16Gb (2G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 153-VFBGA
공급자 장치 패키지: 153-VFBGA

재고 있음7,812

S40410161B1B2I010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 16G PARALLEL 100LBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: e.MMC 1B1
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 16Gb (2G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LBGA
공급자 장치 패키지: 100-LBGA (14x18)

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S40410161B1B2I013

SkyHigh Memory Limited

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IC FLASH 16G PARALLEL 100LBGA

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,330

S40410161B1B2I013

Cypress Semiconductor

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IC FLASH 16G PARALLEL 100LBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: e.MMC 1B1
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 16Gb (2G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LBGA
공급자 장치 패키지: 100-LBGA (14x18)

재고 있음7,452

S40410161B1B2W010

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 16G PARALLEL 100LBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: e.MMC 1B1
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 16Gb (2G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LBGA
공급자 장치 패키지: 100-LBGA (14x18)

재고 있음2,016

S40410161B1B2W013

SkyHigh Memory Limited

기억

IC FLASH 16G PARALLEL 100LBGA

제조업체: SkyHigh Memory Limited
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,520

S40410161B1B2W013

Cypress Semiconductor

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IC FLASH 16G PARALLEL 100LBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: e.MMC 1B1
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 16Gb (2G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LBGA
공급자 장치 패키지: 100-LBGA (14x18)

재고 있음8,946

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