메모리 IC

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부품 번호	설명	재고 있음
V25FL032A0LMFI001 Cypress Semiconductor	기억 IC MEMORY NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,704
V25FL128P0XNFI001 Cypress Semiconductor	기억 IC GATE NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,856
V25FL128P0XNFI011 Cypress Semiconductor	기억 IC GATE NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,744
V29AL008D55TAIR10 Cypress Semiconductor	기억 IC MEMORY NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,754
V29F010B-120PC Cypress Semiconductor	기억 IC MEMORY NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,490
V29F040B-150JC Cypress Semiconductor	기억 IC MEMORY NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,358
V29F400BT-150SC Cypress Semiconductor	기억 IC MEMORY NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,238
V29GL01GP11FAIR20 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-P 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)	재고 있음6,480
V29GL01GP11FFIR20 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 64FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-P 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-LBGA 공급자 장치 패키지: 64-FBGA (13x11)	재고 있음8,190
V29GL01GP11TAIR20 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-P 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음2,646
V29GL01GP11TFIR10 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-P 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음8,802
V29GL128P10TAI020 Cypress Semiconductor	기억 IC GATE NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,624
V29GL128P90TAIR10 Cypress Semiconductor	기억 IC GATE NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,526
V29GL256P11TAI010 Cypress Semiconductor	기억 IC GATE NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,310
V29GL256P11TAI020 Cypress Semiconductor	기억 IC GATE NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,812
V29GL512P10TAI010 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-P 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음8,064
V29GL512P11TAI020 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: GL-P 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음7,920
VLK-580940331 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,244
VM29DL640H90WHI Cypress Semiconductor	기억 IC MEMORY NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,136
VM29DL800BT-120WBC Cypress Semiconductor	기억 IC MEMORY NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,722
VM29LV040B-120JC Cypress Semiconductor	기억 IC MEMORY NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,308
VPM9U1272S6B3PJ1MA Viking Technology	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ 제조업체: Viking Technology 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,344
VPM9U1272S6B3PJ1MAE Viking Technology	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ 제조업체: Viking Technology 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,150
VPM9U1272S6B3PJ1MAM Viking Technology	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ 제조업체: Viking Technology 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,708
VPM9U1272S6B3PJ1MAT Viking Technology	기억 IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ 제조업체: Viking Technology 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR4 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.2GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,858
VS2FL008A0LMAI001 Cypress Semiconductor	기억 IC MEMORY NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,892
VV7839 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,490
W19B320ABB7H Winbond Electronics	기억 IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -20°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)	재고 있음6,480
W19B320ABT7H Winbond Electronics	기억 IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -20°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP	재고 있음8,262
W19B320ATB7H Winbond Electronics	기억 IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -20°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-TFBGA (6x8)	재고 있음2,466

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