메모리 IC

TH58BVG2S3HTA00

Toshiba Memory America, Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: Benand™
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: 25ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

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TH58BVG2S3HTAI0

Toshiba Memory America, Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: Benand™
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: 25ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

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TH58BVG3S0HTA00

Toshiba Memory America, Inc.

기억

IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: Benand™
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: 25ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

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TH58BVG3S0HTAI0

Toshiba Memory America, Inc.

기억

8GB SLC BENAND TSOP 24NM 4K PAGE

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: Benand™
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
• 메모리 인터페이스: -
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

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TH58BYG2S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

기억

4G SLC NAND BGA 24NM

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: Benand™
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
• 메모리 인터페이스: -
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: -
• 전압-공급: -
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 63-TFBGA (9x11)

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TH58BYG2S3HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: Benand™
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: 25ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 67-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 67-VFBGA (6.5x8)

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TH58BYG3S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

기억

8GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 1.8

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: Benand™
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: 25ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 63-TFBGA (9x11)

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TH58BYG3S0HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

기억

8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: Benand™
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
• 메모리 인터페이스: -
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 67-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 67-VFBGA (6.5x8)

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TH58NVG2S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

기억

4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 (EEPR

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 63-BGA
• 공급자 장치 패키지: 63-BGA (9x11)

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TH58NVG2S3HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

기억

4GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 (EEP

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 63-BGA
• 공급자 장치 패키지: 63-BGA (9x11)

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TH58NVG2S3HTA00

Toshiba Memory America, Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: 25ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

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TH58NVG2S3HTAI0

Toshiba Memory America, Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: 25ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

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TH58NVG3S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

기억

8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: 25ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 63-TFBGA (9x11)

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TH58NVG3S0HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

기억

8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 3.3V

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: 25ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 67-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 67-VFBGA (6.5x8)

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TH58NVG3S0HTA00

Toshiba Memory America, Inc.

기억

IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: 25ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

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TH58NVG3S0HTAI0

Toshiba Memory America, Inc.

기억

IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: 25ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

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TH58NVG4S0FTA20

Toshiba Memory America, Inc.

기억

IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 16Gb (2G x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: 25ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

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TH58NVG4S0HTA20

Toshiba Memory America, Inc.

기억

IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 16Gb (2G x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: 25ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

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TH58NVG4S0HTAK0

Toshiba Memory America, Inc.

기억

IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 16Gb (2G x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: 25ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

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TH58NVG5S0FTA20

Toshiba Memory America, Inc.

기억

IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP I

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 32Gb (4G x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: 25ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

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TH58NVG5S0FTAK0

Toshiba Memory America, Inc.

기억

32GB SLC NAND TSOP 32NM LB I-TEM

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 32Gb (4G x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

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TH58NYG2S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

기억

4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 63-BGA
• 공급자 장치 패키지: 63-BGA (9x11)

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TH58NYG2S3HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

기억

4GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 (EEP

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 63-BGA
• 공급자 장치 패키지: 63-BGA (9x11)

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TH58NYG3S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

기억

8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: 25ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 63-TFBGA (9x11)

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TH58NYG3S0HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

기억

IC FLASH 8G PARALLEL 67VFBGA

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 8Gb (1G x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: 25ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 67-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 67-VFBGA (6.5x8)

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THGAF8G8T23BAIL

Toshiba Memory America, Inc.

기억

IC FLASH 256G UFS 153WFBGA

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: Consumer UFS
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
• 메모리 인터페이스: UFS
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 153-WFBGA
• 공급자 장치 패키지: 153-WFBGA (11.5x13)

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THGAF8G9T43BAIR

Toshiba Memory America, Inc.

기억

IC FLASH 512G UFS 153VFBGA

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: Consumer UFS
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 512Gb (64G x 8)
• 메모리 인터페이스: UFS
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 153-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 153-VFBGA (11.5x13)

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THGAF8T0T43BAIR

Toshiba Memory America, Inc.

기억

128GB VER. 2.1 UFS UNIVERSAL FLA

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: Consumer UFS
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 1Tb (128G x 8)
• 메모리 인터페이스: UFS
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 153-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 153-VFBGA (11.5x13)

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THGAF8T1T83BAIR

Toshiba Memory America, Inc.

기억

IC FLASH 2T UFS 153VFBGA

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: Consumer UFS
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 2Tb (256G x 8)
• 메모리 인터페이스: UFS
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 153-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 153-VFBGA (11.5x13)

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THGAMRT0T43BAIR

Toshiba Memory America, Inc.

기억

128GB V5.1 EMMC (3D)

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: e•MMC™
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 1Tb (128G x 8)
• 메모리 인터페이스: eMMC
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: -
• 전압-공급: -
• 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 153-WFBGA
• 공급자 장치 패키지: 153-FBGA (11.5x13)

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