메모리 IC

STK22C48-SF25

Cypress Semiconductor

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 28SOIC

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: NVSRAM
• 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: 25ns
• 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
• 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 28-SOIC

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STK22C48-SF25I

Cypress Semiconductor

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 28SOIC

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: NVSRAM
• 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: 25ns
• 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 28-SOIC

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STK22C48-SF25ITR

Cypress Semiconductor

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IC NVSRAM 16K PARALLEL 28SOIC

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: NVSRAM
• 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
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• 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 28-SOIC

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STK22C48-SF25TR

Cypress Semiconductor

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 28SOIC

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: NVSRAM
• 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: 25ns
• 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
• 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 28-SOIC

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STK22C48-SF45

Cypress Semiconductor

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 28SOIC

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: NVSRAM
• 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
• 접근 시간: 45ns
• 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
• 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 28-SOIC

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STK22C48-SF45I

Cypress Semiconductor

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 28SOIC

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: NVSRAM
• 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
• 접근 시간: 45ns
• 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 28-SOIC

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STK22C48-SF45ITR

Cypress Semiconductor

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 28SOIC

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: NVSRAM
• 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
• 접근 시간: 45ns
• 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 28-SOIC

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STK22C48-SF45TR

Cypress Semiconductor

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 28SOIC

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: NVSRAM
• 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
• 접근 시간: 45ns
• 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
• 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 28-SOIC

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SX-3130-1658

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH NOR

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 메모리 유형: -
• 메모리 포맷: -
• 기술: -
• 메모리 크기: -
• 메모리 인터페이스: -
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: -
• 전압-공급: -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 패키지 / 케이스: -
• 공급자 장치 패키지: -

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TC58BVG0S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 63TFBGA

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: Benand™
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: 25ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 63-TFBGA (9x11)

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TC58BVG0S3HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: Benand™
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: 25ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 67-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 67-VFBGA (6.5x8)

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TC58BVG0S3HTA00

Toshiba Memory America, Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: Benand™
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: 25ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

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TC58BVG0S3HTAI0

Toshiba Memory America, Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: Benand™
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: 25ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

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TC58BVG1S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

기억

2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: Benand™
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
• 메모리 인터페이스: -
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 63-TFBGA (9x11)

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TC58BVG1S3HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

기억

IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: Benand™
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: 25ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 67-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 67-VFBGA (6.5x8)

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TC58BVG1S3HTA00

Toshiba Memory America, Inc.

기억

IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: Benand™
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: 25ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

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TC58BVG1S3HTAI0

Toshiba Memory America, Inc.

기억

IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: Benand™
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: 25ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

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TC58BVG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: Benand™
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: 25ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 63-TFBGA (9x11)

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TC58BVG2S0HTA00

Toshiba Memory America, Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: Benand™
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: 25ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

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TC58BVG2S0HTAI0

Toshiba Memory America, Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: Benand™
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: 25ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

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TC58BYG0S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

기억

1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: Benand™
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
• 메모리 인터페이스: -
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 63-TFBGA (9x11)

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TC58BYG0S3HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: Benand™
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: 25ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 67-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 67-VFBGA (6.5x8)

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TC58BYG1S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

기억

2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: Benand™
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
• 메모리 인터페이스: -
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 63-TFBGA (9x11)

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TC58BYG1S3HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

기억

IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: Benand™
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: 25ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 67-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 67-VFBGA (6.5x8)

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TC58BYG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

기억

4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: Benand™
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 4G (512M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: 25ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 63-TFBGA (9x11)

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TC58BYG2S0HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: Benand™
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: 25ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 67-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 67-VFBGA (6.5x8)

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TC58CVG0S3HQAIE

Toshiba Memory America, Inc.

기억

IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
• 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
• 시계 주파수: 104MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: 155µs
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 16-SOP

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TC58CVG0S3HRAIG

Toshiba Memory America, Inc.

기억

IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
• 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
• 시계 주파수: 104MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: 155µs
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
• 공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)

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TC58CVG1S3HRAIG

Toshiba Memory America, Inc.

기억

2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
• 메모리 인터페이스: SPI
• 시계 주파수: 104MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
• 공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x8)

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TC58CVG2S0HQAIE

Toshiba Memory America, Inc.

기억

IC FLASH 4G SPI 104MHZ 16SOP

• 제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (SLC)
• 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
• 메모리 인터페이스: SPI - Quad I/O
• 시계 주파수: 104MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: 280µs
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 16-SOP

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