메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
TE28F128P33B85A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: StrataFlash™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 40MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns 접근 시간: 85ns 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음3,132
TE28F128P33T85A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: StrataFlash™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 40MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns 접근 시간: 85ns 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음5,976
TE28F160B3BD70A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - Boot Block 메모리 크기: 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP	재고 있음4,878
TE28F160B3TD70A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - Boot Block 메모리 크기: 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP	재고 있음8,910
TE28F160C3BD70A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - Boot Block 메모리 크기: 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음2,394
TE28F160C3BD90A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - Boot Block 메모리 크기: 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns 접근 시간: 90ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음4,932
TE28F160C3TD70A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - Boot Block 메모리 크기: 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음6,462
TE28F256J3D95A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: StrataFlash™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (32M x 8, 16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 95ns 접근 시간: 95ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음3,024
TE28F256J3D95B TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: StrataFlash™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (32M x 8, 16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 95ns 접근 시간: 95ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음5,022
TE28F256J3F105A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: StrataFlash™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (32M x 8, 16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 105ns 접근 시간: 105ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP (18.4x14)	재고 있음36,364
TE28F256P30B95A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: StrataFlash™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 40MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 95ns 접근 시간: 95ns 전압-공급: 1.7V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음5,796
TE28F256P30BFA Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: StrataFlash™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 40MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.7V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음4,752
TE28F256P30T95A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: StrataFlash™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 40MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 95ns 접근 시간: 95ns 전압-공급: 1.7V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음6,714
TE28F256P30TFA Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: StrataFlash™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 40MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns 접근 시간: 110ns 전압-공급: 1.7V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음8,766
TE28F256P33B95A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: StrataFlash™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 40MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 95ns 접근 시간: 95ns 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음2,340
TE28F256P33BFA Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Axcell™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 40MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 105ns 접근 시간: 105ns 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음5,004
TE28F256P33T95A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: StrataFlash™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 40MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 95ns 접근 시간: 95ns 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음7,092
TE28F256P33TFA Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Axcell™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 40MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 105ns 접근 시간: 105ns 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음4,356
TE28F320C3TD70A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - Boot Block 메모리 크기: 32Mb (2M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음7,434
TE28F320J3D75A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 32M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: StrataFlash™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 75ns 접근 시간: 75ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음22,219
TE28F640J3D75A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: StrataFlash™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 75ns 접근 시간: 75ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음4,374
TE28F640J3D75B TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: StrataFlash™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 75ns 접근 시간: 75ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음4,122
TE28F640P30B85A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: StrataFlash™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 40MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns 접근 시간: 85ns 전압-공급: 1.7V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음8,460
TE28F640P30T85A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: StrataFlash™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 40MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns 접근 시간: 85ns 전압-공급: 1.7V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음4,176
TE28F640P33B85A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: StrataFlash™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 40MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns 접근 시간: 85ns 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음4,266
TE28F640P33T85A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: StrataFlash™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 40MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns 접근 시간: 85ns 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음6,516
TE48F4400P0TB00A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: StrataFlash™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 40MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns 접근 시간: 85ns 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음6,354
TE48F4400P0VB00A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: StrataFlash™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NOR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 40MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns 접근 시간: 85ns 전압-공급: 1.7V ~ 2V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 56-TSOP	재고 있음3,672
TH58BVG2S3HBAI4 Toshiba Memory America, Inc.	기억 4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE 제조업체: Toshiba Memory America, Inc. 시리즈: Benand™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND (SLC) 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-TFBGA (9x11)	재고 있음7,452
TH58BVG2S3HBAI6 Toshiba Memory America, Inc.	기억 4GB SLC BENAND BGA 6.5X8 24NM (E 제조업체: Toshiba Memory America, Inc. 시리즈: Benand™ 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND (SLC) 메모리 크기: 4G (512M x 8) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 67-VFBGA (6.5x8)	재고 있음3,258

TE28F128P33B85A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: StrataFlash™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 40MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
접근 시간: 85ns
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음3,132

TE28F128P33T85A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: StrataFlash™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 40MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
접근 시간: 85ns
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음5,976

TE28F160B3BD70A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - Boot Block
메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP

재고 있음4,878

TE28F160B3TD70A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - Boot Block
메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP

재고 있음8,910

TE28F160C3BD70A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - Boot Block
메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음2,394

TE28F160C3BD90A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - Boot Block
메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
접근 시간: 90ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음4,932

TE28F160C3TD70A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - Boot Block
메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음6,462

TE28F256J3D95A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: StrataFlash™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (32M x 8, 16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 95ns
접근 시간: 95ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음3,024

TE28F256J3D95B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: StrataFlash™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (32M x 8, 16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 95ns
접근 시간: 95ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음5,022

TE28F256J3F105A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: StrataFlash™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (32M x 8, 16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 105ns
접근 시간: 105ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP (18.4x14)

재고 있음36,364

TE28F256P30B95A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: StrataFlash™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 40MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 95ns
접근 시간: 95ns
전압-공급: 1.7V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음5,796

TE28F256P30BFA

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: StrataFlash™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 40MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.7V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음4,752

TE28F256P30T95A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: StrataFlash™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 40MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 95ns
접근 시간: 95ns
전압-공급: 1.7V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음6,714

TE28F256P30TFA

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: StrataFlash™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 40MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 110ns
접근 시간: 110ns
전압-공급: 1.7V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음8,766

TE28F256P33B95A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: StrataFlash™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 40MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 95ns
접근 시간: 95ns
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음2,340

TE28F256P33BFA

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Axcell™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 40MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 105ns
접근 시간: 105ns
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음5,004

TE28F256P33T95A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: StrataFlash™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 40MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 95ns
접근 시간: 95ns
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음7,092

TE28F256P33TFA

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Axcell™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 40MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 105ns
접근 시간: 105ns
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음4,356

TE28F320C3TD70A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - Boot Block
메모리 크기: 32Mb (2M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음7,434

TE28F320J3D75A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 32M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: StrataFlash™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 75ns
접근 시간: 75ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음22,219

TE28F640J3D75A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: StrataFlash™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 75ns
접근 시간: 75ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음4,374

TE28F640J3D75B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: StrataFlash™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (8M x 8, 4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 75ns
접근 시간: 75ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음4,122

TE28F640P30B85A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: StrataFlash™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 40MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
접근 시간: 85ns
전압-공급: 1.7V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음8,460

TE28F640P30T85A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: StrataFlash™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 40MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
접근 시간: 85ns
전압-공급: 1.7V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음4,176

TE28F640P33B85A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: StrataFlash™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 40MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
접근 시간: 85ns
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음4,266

TE28F640P33T85A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: StrataFlash™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 40MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
접근 시간: 85ns
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음6,516

TE48F4400P0TB00A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: StrataFlash™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 40MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
접근 시간: 85ns
전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음6,354

TE48F4400P0VB00A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: StrataFlash™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NOR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 40MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
접근 시간: 85ns
전압-공급: 1.7V ~ 2V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 56-TSOP

재고 있음3,672

TH58BVG2S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

기억

4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
시리즈: Benand™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND (SLC)
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-TFBGA (9x11)

재고 있음7,452

TH58BVG2S3HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

기억

4GB SLC BENAND BGA 6.5X8 24NM (E

제조업체: Toshiba Memory America, Inc.
시리즈: Benand™
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND (SLC)
메모리 크기: 4G (512M x 8)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 67-VFBGA (6.5x8)

재고 있음3,258

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