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메모리 IC

기록 47,332
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부품 번호
설명
재고 있음
수량
W98AD2KBJX6I
W98AD2KBJX6I

Winbond Electronics

기억

IC MEMORY SDRAM 1GB 90VFBGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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  • 전압-공급: -
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  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음6,282
W98AD2KBJX6I TR
W98AD2KBJX6I TR

Winbond Electronics

기억

1GB MSDR X32 166MHZ IND

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음4,950
W98AD6KBGX6E
W98AD6KBGX6E

Winbond Electronics

기억

IC MEMORY SDRAM 1GB 54VFBGA

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음8,802
W98AD6KBGX6E TR
W98AD6KBGX6E TR

Winbond Electronics

기억

1GB MSDR X16 166MHZ

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음5,220
W98AD6KBGX6I
W98AD6KBGX6I

Winbond Electronics

기억

1GB MSDR X16 166MHZ IND

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,204
W98AD6KBGX6I TR
W98AD6KBGX6I TR

Winbond Electronics

기억

1GB MSDR X16 166MHZ IND

  • 제조업체: Winbond Electronics
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음2,700
X20C04P-15
X20C04P-15

Renesas Electronics America Inc.

기억

IC NVSRAM 4K PARALLEL 28DIP

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 4Kb (512 x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
  • 접근 시간: 150ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-DIP (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 28-PDIP
재고 있음3,402
X20C16SI-35
X20C16SI-35

Renesas Electronics America Inc.

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 28SOIC

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
  • 접근 시간: 35ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 28-SOIC
재고 있음3,456
X24C44P
X24C44P

Renesas Electronics America Inc.

기억

IC NVSRAM 256 SPI 1MHZ 8DIP

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 256b (16 x 16)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • 공급자 장치 패키지: 8-PDIP
재고 있음7,023
X24C44S
X24C44S

Renesas Electronics America Inc.

기억

IC NVSRAM 256 SPI 1MHZ 8SOIC

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 256b (16 x 16)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음4,770
X24C44SI
X24C44SI

Renesas Electronics America Inc.

기억

IC NVSRAM 256 SPI 1MHZ 8SOIC

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 256b (16 x 16)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음5,958
X28C512JIZ-12
X28C512JIZ-12

Renesas Electronics America Inc.

기억

IC EEPROM 512K PARALLEL 32PLCC

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
  • 접근 시간: 120ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 32-PLCC (11.43x13.97)
재고 있음4,356
X28HC256J-90
X28HC256J-90

Renesas Electronics America Inc.

기억

IC EEPROM 256K PARALLEL 32PLCC

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 32-PLCC (11.43x13.97)
재고 있음6,930
X28HC256JI-90R5420
X28HC256JI-90R5420

Renesas Electronics America Inc.

기억

IC EEPROM 256K PARALLEL 32PLCC

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 32-PLCC (11.43x13.97)
재고 있음2,772
X28HC256JI-90R5697
X28HC256JI-90R5697

Renesas Electronics America Inc.

기억

IC EEPROM 256K PARALLEL 32PLCC

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 32-PLCC (11.43x13.97)
재고 있음4,500
X28HC256JI-90R5699
X28HC256JI-90R5699

Renesas Electronics America Inc.

기억

IC EEPROM 256K PARALLEL

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 32-PLCC (11.43x13.97)
재고 있음7,218
X28HC256JI-90T1R5699
X28HC256JI-90T1R5699

Renesas Electronics America Inc.

기억

IC EEPROM 256K PARALLEL 32PLCC

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 32-PLCC (11.43x13.97)
재고 있음5,040
X28HC256JIZ-12
X28HC256JIZ-12

Renesas Electronics America Inc.

기억

IC EEPROM 256K PARALLEL 32PLCC

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: 120ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 32-PLCC (11.43x13.97)
재고 있음2,120
X28HC256JIZ-12T1
X28HC256JIZ-12T1

Renesas Electronics America Inc.

기억

IC EEPROM 256K PARALLEL 32PLCC

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: 120ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 32-PLCC (11.43x13.97)
재고 있음6,482
X28HC256JIZ-15
X28HC256JIZ-15

Renesas Electronics America Inc.

기억

IC EEPROM 256K PARALLEL 32PLCC

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: 150ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 32-PLCC (11.43x13.97)
재고 있음5,418
X28HC256JIZ-90
X28HC256JIZ-90

Renesas Electronics America Inc.

기억

IC EEPROM 256K PARALLEL 32PLCC

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 32-PLCC (11.43x13.97)
재고 있음231
X28HC256JIZ-90T1
X28HC256JIZ-90T1

Renesas Electronics America Inc.

기억

IC EEPROM 256K PARALLEL 32PLCC

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 32-PLCC (11.43x13.97)
재고 있음7,398
X28HC256PIZ-90
X28HC256PIZ-90

Renesas Electronics America Inc.

기억

IC EEPROM 256KBIT

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-DIP (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 28-PDIP
재고 있음6,480
X28HC256PZ-90
X28HC256PZ-90

Renesas Electronics America Inc.

기억

IC EEPROM 256KBIT

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-DIP (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 28-PDIP
재고 있음8,802
X28HC256WC6721
X28HC256WC6721

Renesas Electronics America Inc.

기억

IC EEPROM 256KBIT

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음4,014
X28HC64D-90
X28HC64D-90

Renesas Electronics America Inc.

기억

IC EEPROM 64K PARALLEL 28CERDIP

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 64K (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 28-CerDip
재고 있음5,850
X28HC64J-90
X28HC64J-90

Renesas Electronics America Inc.

기억

IC EEPROM 64K PARALLEL 32PLCC

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 32-PLCC (11.43x13.97)
재고 있음7,956
X28HC64JIZ-90
X28HC64JIZ-90

Renesas Electronics America Inc.

기억

IC EEPROM 64K PARALLEL 32PLCC

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-LCC (J-Lead)
  • 공급자 장치 패키지: 32-PLCC (11.43x13.97)
재고 있음8,072
X28HC64P-12
X28HC64P-12

Renesas Electronics America Inc.

기억

IC EEPROM 64K PARALLEL 28DIP

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: 120ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-DIP (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 28-PDIP
재고 있음5,400
X28HC64PZ-90
X28HC64PZ-90

Renesas Electronics America Inc.

기억

IC EEPROM 256KBIT

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 64K (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: 90ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-DIP (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 28-PDIP
재고 있음5,634