메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
W987D2HBJX6E Winbond Electronics	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음3,564
W987D2HBJX6E TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음6,930
W987D2HBJX6I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음4,932
W987D2HBJX6I TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음2,100
W987D2HBJX7E Winbond Electronics	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음8,820
W987D2HBJX7E TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음4,176
W987D6HBGX6E Winbond Electronics	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x9)	재고 있음12,452
W987D6HBGX6E TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x9)	재고 있음8,820
W987D6HBGX6I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x9)	재고 있음6,318
W987D6HBGX6I TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x9)	재고 있음8,010
W987D6HBGX7E Winbond Electronics	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x9)	재고 있음5,184
W987D6HBGX7E TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x9)	재고 있음7,272
W988D2FBJX6E Winbond Electronics	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음3,852
W988D2FBJX6E TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음2,484
W988D2FBJX6I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음7,056
W988D2FBJX6I TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음2,898
W988D2FBJX7E Winbond Electronics	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음7,416
W988D2FBJX7E TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음5,022
W988D6FBGX6E Winbond Electronics	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x9)	재고 있음5,023
W988D6FBGX6E TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x9)	재고 있음3,204
W988D6FBGX6I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x9)	재고 있음7,722
W988D6FBGX6I TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x9)	재고 있음5,706
W988D6FBGX7E Winbond Electronics	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x9)	재고 있음4,122
W988D6FBGX7E TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x9)	재고 있음7,650
W989D2DBJX6I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 512Mb (16M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음8,676
W989D2DBJX6I TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 512Mb (16M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)	재고 있음5,202
W989D6DBGX6I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x9)	재고 있음3,528
W989D6DBGX6I TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TFBGA 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x9)	재고 있음5,868
W98AD2KBJX6E Winbond Electronics	기억 IC MEMORY SDRAM 1GB 90VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,532
W98AD2KBJX6E TR Winbond Electronics	기억 1GB MSDR X32 166MHZ 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,586

W987D2HBJX6E

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음3,564

W987D2HBJX6E TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음6,930

W987D2HBJX6I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음4,932

W987D2HBJX6I TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음2,100

W987D2HBJX7E

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음8,820

W987D2HBJX7E TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음4,176

W987D6HBGX6E

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x9)

재고 있음12,452

W987D6HBGX6E TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x9)

재고 있음8,820

W987D6HBGX6I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x9)

재고 있음6,318

W987D6HBGX6I TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x9)

재고 있음8,010

W987D6HBGX7E

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x9)

재고 있음5,184

W987D6HBGX7E TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x9)

재고 있음7,272

W988D2FBJX6E

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음3,852

W988D2FBJX6E TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음2,484

W988D2FBJX6I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음7,056

W988D2FBJX6I TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음2,898

W988D2FBJX7E

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음7,416

W988D2FBJX7E TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음5,022

W988D6FBGX6E

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x9)

재고 있음5,023

W988D6FBGX6E TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x9)

재고 있음3,204

W988D6FBGX6I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x9)

재고 있음7,722

W988D6FBGX6I TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x9)

재고 있음5,706

W988D6FBGX7E

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x9)

재고 있음4,122

W988D6FBGX7E TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x9)

재고 있음7,650

W989D2DBJX6I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 512Mb (16M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음8,676

W989D2DBJX6I TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 512Mb (16M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-VFBGA (8x13)

재고 있음5,202

W989D6DBGX6I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x9)

재고 있음3,528

W989D6DBGX6I TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TFBGA
공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x9)

재고 있음5,868

W98AD2KBJX6E

Winbond Electronics

기억

IC MEMORY SDRAM 1GB 90VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,532

W98AD2KBJX6E TR

Winbond Electronics

기억

1GB MSDR X32 166MHZ

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,586

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