메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
W979H2KBVX2I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 512Mb (16M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-VFBGA 공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)	재고 있음4,428
W979H6KBQX2E Winbond Electronics	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음2,772
W979H6KBQX2I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음7,020
W979H6KBVX2E Winbond Electronics	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-VFBGA 공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)	재고 있음3,418
W979H6KBVX2E TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-VFBGA 공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)	재고 있음2,358
W979H6KBVX2I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-VFBGA 공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)	재고 있음4,752
W979H6KBVX2I TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-VFBGA 공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)	재고 있음3,474
W97AH2KBQX2E Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음6,570
W97AH2KBQX2I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음3,544
W97AH2KBVX2E Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-VFBGA 공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)	재고 있음2,988
W97AH2KBVX2I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-VFBGA 공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)	재고 있음6,192
W97AH6KBQX2E Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음5,688
W97AH6KBQX2I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음7,344
W97AH6KBVX2E Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-VFBGA 공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)	재고 있음3,508
W97AH6KBVX2E TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-VFBGA 공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)	재고 있음6,534
W97AH6KBVX2I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-VFBGA 공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)	재고 있음6,660
W97AH6KBVX2I TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-VFBGA 공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)	재고 있음2,880
W97BH2KBQX2E Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음4,896
W97BH2KBQX2I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음5,922
W97BH2KBVX2E Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-VFBGA 공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)	재고 있음7,200
W97BH2KBVX2I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-VFBGA 공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)	재고 있음2,178
W97BH6KBQX2E Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음5,742
W97BH6KBQX2I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)	재고 있음5,364
W97BH6KBVX2E Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-VFBGA 공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)	재고 있음5,058
W97BH6KBVX2I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-VFBGA 공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)	재고 있음3,042
W9812G2KB-6 Winbond Electronics	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음8,730
W9812G2KB-6I Winbond Electronics	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음5,328
W9812G2KB-6I TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음5,976
W9812G2KB-6 TR Winbond Electronics	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음5,544
W9812G6IH-6 Winbond Electronics	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Winbond Electronics 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음3,005

W979H2KBVX2I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 512Mb (16M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-VFBGA
공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)

재고 있음4,428

W979H6KBQX2E

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음2,772

W979H6KBQX2I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음7,020

W979H6KBVX2E

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-VFBGA
공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)

재고 있음3,418

W979H6KBVX2E TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-VFBGA
공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)

재고 있음2,358

W979H6KBVX2I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-VFBGA
공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)

재고 있음4,752

W979H6KBVX2I TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-VFBGA
공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)

재고 있음3,474

W97AH2KBQX2E

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음6,570

W97AH2KBQX2I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음3,544

W97AH2KBVX2E

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-VFBGA
공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)

재고 있음2,988

W97AH2KBVX2I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-VFBGA
공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)

재고 있음6,192

W97AH6KBQX2E

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음5,688

W97AH6KBQX2I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음7,344

W97AH6KBVX2E

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-VFBGA
공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)

재고 있음3,508

W97AH6KBVX2E TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-VFBGA
공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)

재고 있음6,534

W97AH6KBVX2I

Winbond Electronics

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IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-VFBGA
공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)

재고 있음6,660

W97AH6KBVX2I TR

Winbond Electronics

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IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-VFBGA
공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)

재고 있음2,880

W97BH2KBQX2E

Winbond Electronics

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IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음4,896

W97BH2KBQX2I

Winbond Electronics

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IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음5,922

W97BH2KBVX2E

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-VFBGA
공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)

재고 있음7,200

W97BH2KBVX2I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-VFBGA
공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)

재고 있음2,178

W97BH6KBQX2E

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음5,742

W97BH6KBQX2I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-WFBGA (12x12)

재고 있음5,364

W97BH6KBVX2E

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-VFBGA
공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)

재고 있음5,058

W97BH6KBVX2I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-VFBGA
공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)

재고 있음3,042

W9812G2KB-6

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음8,730

W9812G2KB-6I

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음5,328

W9812G2KB-6I TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음5,976

W9812G2KB-6 TR

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음5,544

W9812G6IH-6

Winbond Electronics

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Winbond Electronics
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음3,005

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