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IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 117MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 7.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)
재고 있음8,028
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IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 117MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 7.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)
재고 있음7,956
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IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 117MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 7.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)
재고 있음8,082
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IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 117MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 7.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)
재고 있음2,502
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IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 117MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 7.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)
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IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 117MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 7.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
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IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 117MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 7.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
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IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 117MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 7.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP
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IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 117MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 7.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP
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IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 119-BGA
  • 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)
재고 있음4,284
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IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 119-BGA
  • 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)
재고 있음6,408
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IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 119-BGA
  • 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)
재고 있음5,886
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IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 119-BGA
  • 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)
재고 있음7,236
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IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 119-BGA
  • 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)
재고 있음3,654
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IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 119-BGA
  • 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)
재고 있음4,158
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IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 119-BGA
  • 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)
재고 있음3,096
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IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 119-BGA
  • 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)
재고 있음5,958
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IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)
재고 있음7,866
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IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)
재고 있음5,274
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기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)
재고 있음4,104
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기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)
재고 있음2,790
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IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음3,636
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IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음3,006
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기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음4,050
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IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음5,166
71V3577S85BG
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IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 87MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 119-BGA
  • 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)
재고 있음2,664
71V3577S85BG8
71V3577S85BG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 87MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 119-BGA
  • 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)
재고 있음2,034
71V3577S85BGG
71V3577S85BGG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 87MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 119-BGA
  • 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)
재고 있음6,336
71V3577S85BGG8
71V3577S85BGG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 87MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 119-BGA
  • 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)
재고 있음3,528
71V3577S85BGI
71V3577S85BGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 87MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 119-BGA
  • 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)
재고 있음6,498