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메모리 IC

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71V3577S85BGI8
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IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 87MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 119-BGA
  • 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)
재고 있음7,596
71V3577S85BQ
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IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 87MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)
재고 있음7,992
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IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 87MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)
재고 있음4,680
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IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 87MHz
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  • 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)
재고 있음2,088
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IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 87MHz
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  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 165-TBGA
  • 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)
재고 있음8,082
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IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 87MHz
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  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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재고 있음3,222
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IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 87MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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  • 공급자 장치 패키지: 165-CABGA (13x15)
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IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
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재고 있음7,470
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IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
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재고 있음3,708
71V3577S85PFGI
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IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
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재고 있음6,084
71V3577S85PFGI8
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IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
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재고 있음2,100
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IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
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  • 접근 시간: 8.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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재고 있음8,298
71V3578S133PFG
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (256K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 4.2ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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재고 있음6,288
71V3578S133PFG8
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (256K x 18)
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  • 접근 시간: 4.2ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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재고 있음4,248
71V3578S133PFGI
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
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71V3578S133PFGI8
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (256K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
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  • 접근 시간: 4.2ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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  • 장착 유형: Surface Mount
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  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음4,194
71V3578S150PFG
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IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (256K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 150MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.8ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음4,302
71V3578S150PFG8
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IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (256K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 150MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.8ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음8,028
71V3578S150PFGI
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기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (256K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 150MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.8ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음3,474
71V3578S150PFGI8
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기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (256K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 150MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.8ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음8,298
71V3578YS133PFG
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IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (256K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 4.2ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)
재고 있음3,852
71V3579S65PFG
71V3579S65PFG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (256K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 6.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)
재고 있음8,658
71V3579S65PFG8
71V3579S65PFG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (256K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 6.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)
재고 있음7,632
71V3579S75PFG
71V3579S75PFG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (256K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 117MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 7.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
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  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음3,114
71V3579S75PFG8
71V3579S75PFG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (256K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 117MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 7.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음2,124
71V3579S75PFGI
71V3579S75PFGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (256K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 117MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 7.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음4,140
71V3579S75PFGI8
71V3579S75PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (256K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 117MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 7.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음3,186
71V3579S80PFG
71V3579S80PFG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (256K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음6,408
71V3579S80PFG8
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IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (256K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음2,394
71V3579S80PFGI
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IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 4.5Mb (256K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음8,712