메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
AK93C65CM AKM Semiconductor Inc.	기억 IC EEPROM 4K SPI 4MHZ 제조업체: AKM Semiconductor Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 4Kb (256 x 16) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 4MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,158
AK93C65CT AKM Semiconductor Inc.	기억 IC EEPROM 4K SPI 4MHZ 8TMSOP 제조업체: AKM Semiconductor Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 4Kb (256 x 16) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 4MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-TMSOP	재고 있음3,456
AK93C65CU AKM Semiconductor Inc.	기억 IC EEPROM 4K SPI 4MHZ 8USON 제조업체: AKM Semiconductor Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 4Kb (256 x 16) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 4MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 8-USON	재고 있음3,366
AK93C65CUA AKM Semiconductor Inc.	기억 IC EEPROM 4K SPI 4MHZ 제조업체: AKM Semiconductor Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 4Kb (256 x 16) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 4MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,992
AK93C75AV AKM Semiconductor Inc.	기억 IC EEPROM 8K SPI 8TSSOP 제조업체: AKM Semiconductor Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 8Kb (512 x 16) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP	재고 있음7,668
AK93C85AM AKM Semiconductor Inc.	기억 IC EEPROM 16K SPI 8SSOP 제조업체: AKM Semiconductor Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 16Kb (1K x 16) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 8-SSOP	재고 있음6,498
AK93C95AF AKM Semiconductor Inc.	기억 IC EEPROM 32K SPI 8SOP 제조업체: AKM Semiconductor Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 32Kb (2K x 16) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음8,496
AM29F002BT-55JF Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 2M PARALLEL 32PLCC 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-LCC (J-Lead) 공급자 장치 패키지: 32-PLCC (11.43x13.97)	재고 있음8,226
AM29F040B-70JF Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH 4M PARALLEL 32PLCC 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-LCC (J-Lead) 공급자 장치 패키지: 32-PLCC (11.43x13.97)	재고 있음21,823
AS1C1M16P-70BIN Alliance Memory, Inc.	기억 16M PSRAM 48 BGA 3V 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.6V ~ 3.3V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-VFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (6x7)	재고 있음8,784
AS1C1M16PL-70BIN Alliance Memory, Inc.	기억 16M PSRAM 48 BGA 1.8V 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-VFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (6x7)	재고 있음10,200
AS1C2M16P-70BIN Alliance Memory, Inc.	기억 32M PSRAM 48 BGA 3V 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 32Mb (2M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.6V ~ 3.3V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-VFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (6x7)	재고 있음8,232
AS1C4M16PL-70BIN Alliance Memory, Inc.	기억 64M PSRAM 49 BGA 1.8V 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 70ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 49-WFBGA 공급자 장치 패키지: 49-FBGA (4x4)	재고 있음8,712
AS1C512K16P-70BIN Alliance Memory, Inc.	기억 8M PSRAM 48 BGA 3V 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.6V ~ 3.3V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-VFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (6x7)	재고 있음6,636
AS1C512K16PL-70BIN Alliance Memory, Inc.	기억 8M PSRAM 48 BGA 1.8V 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-VFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (6x7)	재고 있음9,060
AS1C8M16PL-70BIN Alliance Memory, Inc.	기억 128M PSRAM 49 BGA 1.8V 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 70ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 49-VFBGA 공급자 장치 패키지: 49-FBGA (4x4)	재고 있음7,704
AS4C128M16D2-25BCN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (10.5x13.5)	재고 있음6,132
AS4C128M16D2-25BCNTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (10.5x13.5)	재고 있음2,232
AS4C128M16D2-25BIN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (10.5x13.5)	재고 있음6,624
AS4C128M16D2-25BINTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (10.5x13.5)	재고 있음8,082
AS4C128M16D2A-25BCN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (10.5x13.5)	재고 있음8,946
AS4C128M16D2A-25BCNTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (10.5x13.5)	재고 있음8,064
AS4C128M16D2A-25BIN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (10.5x13.5)	재고 있음8,064
AS4C128M16D2A-25BINTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 84TFBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TFBGA (8x12.5)	재고 있음5,472
AS4C128M16D3-12BAN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13)	재고 있음8,172
AS4C128M16D3-12BANTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13)	재고 있음4,032
AS4C128M16D3-12BCN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13)	재고 있음5,544
AS4C128M16D3-12BCNTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13)	재고 있음7,002
AS4C128M16D3-12BIN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13)	재고 있음3,708
AS4C128M16D3-12BINTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13)	재고 있음5,310

AK93C65CM

AKM Semiconductor Inc.

기억

IC EEPROM 4K SPI 4MHZ

제조업체: AKM Semiconductor Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 4Kb (256 x 16)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 4MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,158

AK93C65CT

AKM Semiconductor Inc.

기억

IC EEPROM 4K SPI 4MHZ 8TMSOP

제조업체: AKM Semiconductor Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 4Kb (256 x 16)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 4MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
공급자 장치 패키지: 8-TMSOP

재고 있음3,456

AK93C65CU

AKM Semiconductor Inc.

기억

IC EEPROM 4K SPI 4MHZ 8USON

제조업체: AKM Semiconductor Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 4Kb (256 x 16)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 4MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 8-USON

재고 있음3,366

AK93C65CUA

AKM Semiconductor Inc.

기억

IC EEPROM 4K SPI 4MHZ

제조업체: AKM Semiconductor Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 4Kb (256 x 16)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 4MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,992

AK93C75AV

AKM Semiconductor Inc.

기억

IC EEPROM 8K SPI 8TSSOP

제조업체: AKM Semiconductor Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 8Kb (512 x 16)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

재고 있음7,668

AK93C85AM

AKM Semiconductor Inc.

기억

IC EEPROM 16K SPI 8SSOP

제조업체: AKM Semiconductor Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 16Kb (1K x 16)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 8-SSOP

재고 있음6,498

AK93C95AF

AKM Semiconductor Inc.

기억

IC EEPROM 32K SPI 8SOP

제조업체: AKM Semiconductor Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 32Kb (2K x 16)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 8-SOP

재고 있음8,496

AM29F002BT-55JF

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 2M PARALLEL 32PLCC

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-LCC (J-Lead)
공급자 장치 패키지: 32-PLCC (11.43x13.97)

재고 있음8,226

AM29F040B-70JF

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 4M PARALLEL 32PLCC

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-LCC (J-Lead)
공급자 장치 패키지: 32-PLCC (11.43x13.97)

재고 있음21,823

AS1C1M16P-70BIN

Alliance Memory, Inc.

기억

16M PSRAM 48 BGA 3V

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.6V ~ 3.3V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-VFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (6x7)

재고 있음8,784

AS1C1M16PL-70BIN

Alliance Memory, Inc.

기억

16M PSRAM 48 BGA 1.8V

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-VFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (6x7)

재고 있음10,200

AS1C2M16P-70BIN

Alliance Memory, Inc.

기억

32M PSRAM 48 BGA 3V

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 32Mb (2M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.6V ~ 3.3V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-VFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (6x7)

재고 있음8,232

AS1C4M16PL-70BIN

Alliance Memory, Inc.

기억

64M PSRAM 49 BGA 1.8V

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 70ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 49-WFBGA
공급자 장치 패키지: 49-FBGA (4x4)

재고 있음8,712

AS1C512K16P-70BIN

Alliance Memory, Inc.

기억

8M PSRAM 48 BGA 3V

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.6V ~ 3.3V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-VFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (6x7)

재고 있음6,636

AS1C512K16PL-70BIN

Alliance Memory, Inc.

기억

8M PSRAM 48 BGA 1.8V

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-VFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (6x7)

재고 있음9,060

AS1C8M16PL-70BIN

Alliance Memory, Inc.

기억

128M PSRAM 49 BGA 1.8V

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 70ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 49-VFBGA
공급자 장치 패키지: 49-FBGA (4x4)

재고 있음7,704

AS4C128M16D2-25BCN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-FBGA (10.5x13.5)

재고 있음6,132

AS4C128M16D2-25BCNTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-FBGA (10.5x13.5)

재고 있음2,232

AS4C128M16D2-25BIN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-FBGA (10.5x13.5)

재고 있음6,624

AS4C128M16D2-25BINTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-FBGA (10.5x13.5)

재고 있음8,082

AS4C128M16D2A-25BCN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-FBGA (10.5x13.5)

재고 있음8,946

AS4C128M16D2A-25BCNTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-FBGA (10.5x13.5)

재고 있음8,064

AS4C128M16D2A-25BIN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-FBGA (10.5x13.5)

재고 있음8,064

AS4C128M16D2A-25BINTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 84TFBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-TFBGA (8x12.5)

재고 있음5,472

AS4C128M16D3-12BAN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13)

재고 있음8,172

AS4C128M16D3-12BANTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13)

재고 있음4,032

AS4C128M16D3-12BCN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13)

재고 있음5,544

AS4C128M16D3-12BCNTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13)

재고 있음7,002

AS4C128M16D3-12BIN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13)

재고 있음3,708

AS4C128M16D3-12BINTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13)

재고 있음5,310

Send Message

Certifications

메모리 IC

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message