메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
AS4C32M32MD2A-25BCNTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-VFBGA 공급자 장치 패키지: 134-FBGA (10x11.5)	재고 있음5,778
AS4C32M32MD2A-25BIN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 1G 32MX32 LPDDR2 134-BGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-VFBGA 공급자 장치 패키지: 134-FBGA (10x11.5)	재고 있음8,802
AS4C32M8D1-5TCN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 256Mb (32M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음5,526
AS4C32M8D1-5TCNTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 256Mb (32M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음7,434
AS4C32M8D1-5TIN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 256Mb (32M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음5,724
AS4C32M8D1-5TINTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 256Mb (32M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음4,482
AS4C32M8SA-6TIN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (32M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음7,668
AS4C32M8SA-6TINTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (32M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음2,160
AS4C32M8SA-7TCN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (32M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음5,832
AS4C32M8SA-7TCNTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (32M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음3,454
AS4C4M16D1-5TCN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음8,694
AS4C4M16D1-5TCNTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음8,928
AS4C4M16D1-5TIN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음2,304
AS4C4M16D1-5TINTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음8,532
AS4C4M16D1A-5TAN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음8,136
AS4C4M16D1A-5TANTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음3,870
AS4C4M16D1A-5TCN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음15,774
AS4C4M16D1A-5TCNTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음6,606
AS4C4M16D1A-5TIN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음6,804
AS4C4M16D1A-5TINTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음6,660
AS4C4M16S-6BIN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TFBGA 공급자 장치 패키지: 54-TFBGA (8x8)	재고 있음6,624
AS4C4M16S-6BINTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TFBGA 공급자 장치 패키지: 54-TFBGA (8x8)	재고 있음3,492
AS4C4M16S-6TAN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음5,850
AS4C4M16S-6TANTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음6,156
AS4C4M16S-6TCN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음6,444
AS4C4M16S-6TCNTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음3,600
AS4C4M16S-6TIN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음6,930
AS4C4M16S-6TINTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음7,794
AS4C4M16S-7TCN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음2,251
AS4C4M16S-7TCNTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음2,952

AS4C32M32MD2A-25BCNTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-VFBGA
공급자 장치 패키지: 134-FBGA (10x11.5)

재고 있음5,778

AS4C32M32MD2A-25BIN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 1G 32MX32 LPDDR2 134-BGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-VFBGA
공급자 장치 패키지: 134-FBGA (10x11.5)

재고 있음8,802

AS4C32M8D1-5TCN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음5,526

AS4C32M8D1-5TCNTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음7,434

AS4C32M8D1-5TIN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음5,724

AS4C32M8D1-5TINTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음4,482

AS4C32M8SA-6TIN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음7,668

AS4C32M8SA-6TINTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음2,160

AS4C32M8SA-7TCN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음5,832

AS4C32M8SA-7TCNTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음3,454

AS4C4M16D1-5TCN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음8,694

AS4C4M16D1-5TCNTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음8,928

AS4C4M16D1-5TIN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음2,304

AS4C4M16D1-5TINTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음8,532

AS4C4M16D1A-5TAN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음8,136

AS4C4M16D1A-5TANTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음3,870

AS4C4M16D1A-5TCN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음15,774

AS4C4M16D1A-5TCNTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음6,606

AS4C4M16D1A-5TIN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음6,804

AS4C4M16D1A-5TINTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음6,660

AS4C4M16S-6BIN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TFBGA
공급자 장치 패키지: 54-TFBGA (8x8)

재고 있음6,624

AS4C4M16S-6BINTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TFBGA
공급자 장치 패키지: 54-TFBGA (8x8)

재고 있음3,492

AS4C4M16S-6TAN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음5,850

AS4C4M16S-6TANTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음6,156

AS4C4M16S-6TCN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음6,444

AS4C4M16S-6TCNTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음3,600

AS4C4M16S-6TIN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음6,930

AS4C4M16S-6TINTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음7,794

AS4C4M16S-7TCN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음2,251

AS4C4M16S-7TCNTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음2,952

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