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메모리 IC

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부품 번호
설명
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AS4C4M32S-6TIN
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Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ns
  • 접근 시간: 5.5ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II
재고 있음2,430
AS4C4M32S-6TINTR
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Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ns
  • 접근 시간: 5.5ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II
재고 있음7,992
AS4C4M32S-7BCN
AS4C4M32S-7BCN

Alliance Memory, Inc.

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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 143MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 90-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)
재고 있음19,488
AS4C4M32S-7BCNTR
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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 143MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 90-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)
재고 있음7,632
AS4C4M32S-7TCN
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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 143MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ns
  • 접근 시간: 5.5ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II
재고 있음2,826
AS4C4M32S-7TCNTR
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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 143MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ns
  • 접근 시간: 5.5ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II
재고 있음7,542
AS4C4M32SA-6TCN
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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II
재고 있음7,902
AS4C4M32SA-6TCNTR
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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II
재고 있음4,662
AS4C4M32SA-6TIN
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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II
재고 있음14,964
AS4C4M32SA-6TINTR
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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II
재고 있음7,524
AS4C4M32SA-7TCN
AS4C4M32SA-7TCN

Alliance Memory, Inc.

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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 143MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II
재고 있음17,280
AS4C4M32SA-7TCNTR
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Alliance Memory, Inc.

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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 143MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 2ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II
재고 있음2,952
AS4C512M16D3L-12BCN
AS4C512M16D3L-12BCN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
  • 메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 13.75ns
  • 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (14x9)
재고 있음1,393
AS4C512M16D3L-12BCNTR
AS4C512M16D3L-12BCNTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
  • 메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 13.75ns
  • 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (14x9)
재고 있음2,772
AS4C512M16D3L-12BIN
AS4C512M16D3L-12BIN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
  • 메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 13.75ns
  • 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (14x9)
재고 있음23,160
AS4C512M16D3L-12BINTR
AS4C512M16D3L-12BINTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
  • 메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 13.75ns
  • 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (14x9)
재고 있음3,006
AS4C512M16D3LA-10BCN
AS4C512M16D3LA-10BCN

Alliance Memory, Inc.

기억

DDR3 512M X 16 96-BALL FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
  • 메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 933MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.275V ~ 1.425V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13.5)
재고 있음7,320
AS4C512M16D3LA-10BIN
AS4C512M16D3LA-10BIN

Alliance Memory, Inc.

기억

DDR3 512M X 16 96-BALL FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
  • 메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 933MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.275V ~ 1.425V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13.5)
재고 있음7,614
AS4C512M16D3LB-12BCN
AS4C512M16D3LB-12BCN

Alliance Memory, Inc.

기억

8G DDR3L 512MX16 1.35V 96-BALL F

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3L
  • 메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13.5)
재고 있음7,992
AS4C512M32MD3-15BCN
AS4C512M32MD3-15BCN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 16G PARALLEL 178FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
  • 메모리 크기: 16Gb (512M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 667MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 178-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 178-FBGA (11x11.5)
재고 있음3,240
AS4C512M32MD3-15BCNTR
AS4C512M32MD3-15BCNTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 16G PARALLEL 178FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
  • 메모리 크기: 16Gb (512M x 32)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 667MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 178-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 178-FBGA (11x11.5)
재고 있음8,136
AS4C512M8D3-12BAN
AS4C512M8D3-12BAN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 78-FBGA
  • 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)
재고 있음6,372
AS4C512M8D3-12BANTR
AS4C512M8D3-12BANTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 78-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)
재고 있음2,826
AS4C512M8D3-12BCN
AS4C512M8D3-12BCN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 78-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)
재고 있음7,020
AS4C512M8D3-12BCNTR
AS4C512M8D3-12BCNTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 78-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)
재고 있음5,022
AS4C512M8D3-12BIN
AS4C512M8D3-12BIN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 78-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)
재고 있음3,996
AS4C512M8D3-12BINTR
AS4C512M8D3-12BINTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 78-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)
재고 있음3,672
AS4C512M8D3A-12BAN
AS4C512M8D3A-12BAN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 78-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)
재고 있음3,636
AS4C512M8D3A-12BANTR
AS4C512M8D3A-12BANTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 78-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)
재고 있음2,934
AS4C512M8D3A-12BCN
AS4C512M8D3A-12BCN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 78-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (9x10.5)
재고 있음6,300