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메모리 IC

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부품 번호
설명
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AS4C64M16D1A-6TIN
AS4C64M16D1A-6TIN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II
재고 있음6,852
AS4C64M16D1A-6TINTR
AS4C64M16D1A-6TINTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 700ps
  • 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II
재고 있음5,130
AS4C64M16D2-25BAN
AS4C64M16D2-25BAN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)
재고 있음8,730
AS4C64M16D2-25BANTR
AS4C64M16D2-25BANTR

Alliance Memory, Inc.

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IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)
재고 있음2,466
AS4C64M16D2-25BCN
AS4C64M16D2-25BCN

Alliance Memory, Inc.

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IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-TFBGA (8x12.5)
재고 있음1,051
AS4C64M16D2-25BCNTR
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IC DRAM 1G PARALLEL 84TFBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-TFBGA (8x12.5)
재고 있음6,282
AS4C64M16D2-25BIN
AS4C64M16D2-25BIN

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IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-TFBGA (8x12.5)
재고 있음3,276
AS4C64M16D2-25BINTR
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IC DRAM 1G PARALLEL 84TFBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-TFBGA (8x12.5)
재고 있음2,664
AS4C64M16D2A-25BAN
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Alliance Memory, Inc.

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IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)
재고 있음3,544
AS4C64M16D2A-25BANTR
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IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)
재고 있음2,970
AS4C64M16D2A-25BCN
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Alliance Memory, Inc.

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IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)
재고 있음9,288
AS4C64M16D2A-25BCNTR
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IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)
재고 있음7,110
AS4C64M16D2A-25BIN
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Alliance Memory, Inc.

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IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)
재고 있음21,084
AS4C64M16D2A-25BINTR
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IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)
재고 있음7,794
AS4C64M16D2B-25BCN
AS4C64M16D2B-25BCN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)
재고 있음6,300
AS4C64M16D2B-25BCNTR
AS4C64M16D2B-25BCNTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)
재고 있음3,186
AS4C64M16D3-12BAN
AS4C64M16D3-12BAN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-FBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (13x9)
재고 있음4,662
AS4C64M16D3-12BANTR
AS4C64M16D3-12BANTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13)
재고 있음4,806
AS4C64M16D3-12BCN
AS4C64M16D3-12BCN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (13x9)
재고 있음8,028
AS4C64M16D3-12BCNTR
AS4C64M16D3-12BCNTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13)
재고 있음8,478
AS4C64M16D3-12BIN
AS4C64M16D3-12BIN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (13x9)
재고 있음3,492
AS4C64M16D3-12BINTR
AS4C64M16D3-12BINTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13)
재고 있음8,784
AS4C64M16D3A-12BAN
AS4C64M16D3A-12BAN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (8x13)
재고 있음7,740
AS4C64M16D3A-12BANTR
AS4C64M16D3A-12BANTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (8x13)
재고 있음5,994
AS4C64M16D3A-12BCN
AS4C64M16D3A-12BCN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (8x13)
재고 있음3,186
AS4C64M16D3A-12BCNTR
AS4C64M16D3A-12BCNTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (8x13)
재고 있음3,690
AS4C64M16D3A-12BIN
AS4C64M16D3A-12BIN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (8x13)
재고 있음7,344
AS4C64M16D3A-12BINTR
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Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (8x13)
재고 있음2,412
AS4C64M16D3B-12BAN
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Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13)
재고 있음6,498
AS4C64M16D3B-12BANTR
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Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR3
  • 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 800MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 20ns
  • 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13)
재고 있음3,618