메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
AS4C64M8D2-25BCN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)	재고 있음7,404
AS4C64M8D2-25BCNTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)	재고 있음8,496
AS4C64M8D2-25BIN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)	재고 있음19,212
AS4C64M8D2-25BINTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)	재고 있음7,650
AS4C64M8D3-12BCN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-VFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)	재고 있음6,084
AS4C64M8D3-12BCNTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-VFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)	재고 있음7,974
AS4C64M8D3-12BIN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-VFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)	재고 있음8,514
AS4C64M8D3-12BINTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-VFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)	재고 있음6,408
AS4C64M8D3L-12BCN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-VFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)	재고 있음6,672
AS4C64M8D3L-12BCNTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-VFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)	재고 있음4,212
AS4C64M8D3L-12BIN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-VFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)	재고 있음8,730
AS4C64M8D3L-12BINTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 78-VFBGA 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)	재고 있음7,776
AS4C64M8SA-7TCN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음6,930
AS4C64M8SA-7TCNTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음2,412
AS4C64M8SC-7TIN Alliance Memory, Inc.	기억 512M - C DIE NEW 64M X 8 3.3V 14 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 17ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음5,652
AS4C64M8SC-7TINTR Alliance Memory, Inc.	기억 512M - C DIE NEW 64M X 8 3.3V 14 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 17ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음3,580
AS4C8M16D1-5BCN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (8x13)	재고 있음7,452
AS4C8M16D1-5BCNTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (8x13)	재고 있음2,178
AS4C8M16D1-5BIN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (8x13)	재고 있음5,940
AS4C8M16D1-5BINTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (8x13)	재고 있음4,176
AS4C8M16D1-5TCN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음2,466
AS4C8M16D1-5TCNTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음3,400
AS4C8M16D1-5TIN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음8,064
AS4C8M16D1-5TINTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음6,534
AS4C8M16D1A-5TCN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음6,540
AS4C8M16D1A-5TCNTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음7,884
AS4C8M16D1A-5TIN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음6,492
AS4C8M16D1A-5TINTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음8,856
AS4C8M16MSA-6BIN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-FBGA (8x8)	재고 있음5,724
AS4C8M16MSA-6BINTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile 메모리 크기: 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-VFBGA 공급자 장치 패키지: 54-FBGA (8x8)	재고 있음7,956

AS4C64M8D2-25BCN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)

재고 있음7,404

AS4C64M8D2-25BCNTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)

재고 있음8,496

AS4C64M8D2-25BIN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)

재고 있음19,212

AS4C64M8D2-25BINTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)

재고 있음7,650

AS4C64M8D3-12BCN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-VFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)

재고 있음6,084

AS4C64M8D3-12BCNTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-VFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)

재고 있음7,974

AS4C64M8D3-12BIN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-VFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)

재고 있음8,514

AS4C64M8D3-12BINTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-VFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)

재고 있음6,408

AS4C64M8D3L-12BCN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-VFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)

재고 있음6,672

AS4C64M8D3L-12BCNTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-VFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)

재고 있음4,212

AS4C64M8D3L-12BIN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-VFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)

재고 있음8,730

AS4C64M8D3L-12BINTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 78-VFBGA
공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)

재고 있음7,776

AS4C64M8SA-7TCN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음6,930

AS4C64M8SA-7TCNTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음2,412

AS4C64M8SC-7TIN

Alliance Memory, Inc.

기억

512M - C DIE NEW 64M X 8 3.3V 14

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 17ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음5,652

AS4C64M8SC-7TINTR

Alliance Memory, Inc.

기억

512M - C DIE NEW 64M X 8 3.3V 14

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 17ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음3,580

AS4C8M16D1-5BCN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (8x13)

재고 있음7,452

AS4C8M16D1-5BCNTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (8x13)

재고 있음2,178

AS4C8M16D1-5BIN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (8x13)

재고 있음5,940

AS4C8M16D1-5BINTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (8x13)

재고 있음4,176

AS4C8M16D1-5TCN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음2,466

AS4C8M16D1-5TCNTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음3,400

AS4C8M16D1-5TIN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음8,064

AS4C8M16D1-5TINTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음6,534

AS4C8M16D1A-5TCN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음6,540

AS4C8M16D1A-5TCNTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음7,884

AS4C8M16D1A-5TIN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음6,492

AS4C8M16D1A-5TINTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음8,856

AS4C8M16MSA-6BIN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-FBGA (8x8)

재고 있음5,724

AS4C8M16MSA-6BINTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile
메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-VFBGA
공급자 장치 패키지: 54-FBGA (8x8)

재고 있음7,956

Send Message

Certifications

메모리 IC

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message