메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
AS4C64M16MD1A-5BIN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x9)	재고 있음9,600
AS4C64M16MD1A-5BINTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-VFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x9)	재고 있음3,276
AS4C64M16MD2-25BCN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-VFBGA 공급자 장치 패키지: 134-FBGA (10x11.5)	재고 있음4,554
AS4C64M16MD2-25BCNTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-VFBGA 공급자 장치 패키지: 134-FBGA (10x11.5)	재고 있음4,050
AS4C64M16MD2A-25BCN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-VFBGA 공급자 장치 패키지: 134-FBGA (10x11.5)	재고 있음3,078
AS4C64M16MD2A-25BCNTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-VFBGA 공급자 장치 패키지: 134-FBGA (10x11.5)	재고 있음8,820
AS4C64M16MD2A-25BIN Alliance Memory, Inc.	기억 134-BALL FBGA (10X11.5X1.0) 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-VFBGA 공급자 장치 패키지: 134-FBGA (10x11.5)	재고 있음6,012
AS4C64M32MD1-5BCN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-FBGA (8x13)	재고 있음13,056
AS4C64M32MD1-5BCNTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-FBGA (8x13)	재고 있음7,956
AS4C64M32MD1-5BIN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-FBGA (8x13)	재고 있음6,030
AS4C64M32MD1-5BINTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-VFBGA 공급자 장치 패키지: 90-FBGA (8x13)	재고 있음7,614
AS4C64M32MD2-25BCN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-VFBGA 공급자 장치 패키지: 134-FBGA (10x11.5)	재고 있음5,148
AS4C64M32MD2-25BCNTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-VFBGA 공급자 장치 패키지: 134-FBGA (10x11.5)	재고 있음4,968
AS4C64M32MD2A-25BCN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-VFBGA 공급자 장치 패키지: 134-FBGA (10x11.5)	재고 있음8,334
AS4C64M32MD2A-25BCNTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-VFBGA 공급자 장치 패키지: 134-FBGA (10x11.5)	재고 있음4,302
AS4C64M32MD2A-25BIN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 2G 64MX32 LPDDR2 134BGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 2Gb (64M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-VFBGA 공급자 장치 패키지: 134-FBGA (10x11.5)	재고 있음2,100
AS4C64M4SA-6TIN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (64M x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음6,156
AS4C64M4SA-6TINTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (64M x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음8,226
AS4C64M4SA-7TCN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 256Mb (64M x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음8,316
AS4C64M4SA-7TCNTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 256Mb (64M x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음3,582
AS4C64M8D1-5BCN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x13)	재고 있음7,956
AS4C64M8D1-5BCNTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x13)	재고 있음6,462
AS4C64M8D1-5BIN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x13)	재고 있음6,030
AS4C64M8D1-5BINTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x13)	재고 있음2,970
AS4C64M8D1-5TCN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음3,348
AS4C64M8D1-5TCNTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음5,652
AS4C64M8D1-5TIN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음8,982
AS4C64M8D1-5TINTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 700ps 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II	재고 있음4,212
AS4C64M8D2-25BAN Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)	재고 있음8,196
AS4C64M8D2-25BANTR Alliance Memory, Inc.	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA 제조업체: Alliance Memory, Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)	재고 있음2,430

AS4C64M16MD1A-5BIN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x9)

재고 있음9,600

AS4C64M16MD1A-5BINTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-VFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x9)

재고 있음3,276

AS4C64M16MD2-25BCN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-VFBGA
공급자 장치 패키지: 134-FBGA (10x11.5)

재고 있음4,554

AS4C64M16MD2-25BCNTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-VFBGA
공급자 장치 패키지: 134-FBGA (10x11.5)

재고 있음4,050

AS4C64M16MD2A-25BCN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-VFBGA
공급자 장치 패키지: 134-FBGA (10x11.5)

재고 있음3,078

AS4C64M16MD2A-25BCNTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-VFBGA
공급자 장치 패키지: 134-FBGA (10x11.5)

재고 있음8,820

AS4C64M16MD2A-25BIN

Alliance Memory, Inc.

기억

134-BALL FBGA (10X11.5X1.0)

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-VFBGA
공급자 장치 패키지: 134-FBGA (10x11.5)

재고 있음6,012

AS4C64M32MD1-5BCN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-FBGA (8x13)

재고 있음13,056

AS4C64M32MD1-5BCNTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-FBGA (8x13)

재고 있음7,956

AS4C64M32MD1-5BIN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-FBGA (8x13)

재고 있음6,030

AS4C64M32MD1-5BINTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-VFBGA
공급자 장치 패키지: 90-FBGA (8x13)

재고 있음7,614

AS4C64M32MD2-25BCN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-VFBGA
공급자 장치 패키지: 134-FBGA (10x11.5)

재고 있음5,148

AS4C64M32MD2-25BCNTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-VFBGA
공급자 장치 패키지: 134-FBGA (10x11.5)

재고 있음4,968

AS4C64M32MD2A-25BCN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-VFBGA
공급자 장치 패키지: 134-FBGA (10x11.5)

재고 있음8,334

AS4C64M32MD2A-25BCNTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-VFBGA
공급자 장치 패키지: 134-FBGA (10x11.5)

재고 있음4,302

AS4C64M32MD2A-25BIN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 2G 64MX32 LPDDR2 134BGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 2Gb (64M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-VFBGA
공급자 장치 패키지: 134-FBGA (10x11.5)

재고 있음2,100

AS4C64M4SA-6TIN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (64M x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음6,156

AS4C64M4SA-6TINTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (64M x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음8,226

AS4C64M4SA-7TCN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 256Mb (64M x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음8,316

AS4C64M4SA-7TCNTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 256Mb (64M x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음3,582

AS4C64M8D1-5BCN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x13)

재고 있음7,956

AS4C64M8D1-5BCNTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x13)

재고 있음6,462

AS4C64M8D1-5BIN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x13)

재고 있음6,030

AS4C64M8D1-5BINTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x13)

재고 있음2,970

AS4C64M8D1-5TCN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음3,348

AS4C64M8D1-5TCNTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음5,652

AS4C64M8D1-5TIN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음8,982

AS4C64M8D1-5TINTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 700ps
전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

재고 있음4,212

AS4C64M8D2-25BAN

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)

재고 있음8,196

AS4C64M8D2-25BANTR

Alliance Memory, Inc.

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

제조업체: Alliance Memory, Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)

재고 있음2,430

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