메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
IS49NLC96400-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (64M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음2,268
IS49NLC96400-33B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (64M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음4,914
IS49NLC96400-33BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (64M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음6,552
IS49NLC96400-33BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (64M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음3,600
IS49NLC96400-33BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (64M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음5,958
IS49NLC96400A-25WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 400MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (64M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TBGA 공급자 장치 패키지: 144-TWBGA (11x18.5)	재고 있음3,546
IS49NLC96400A-33WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 300MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (64M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TBGA 공급자 장치 패키지: 144-TWBGA (11x18.5)	재고 있음5,022
IS49NLS18160-25B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음3,852
IS49NLS18160-25BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음3,366
IS49NLS18160-25BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음4,374
IS49NLS18160-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음3,222
IS49NLS18160-25WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 400MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TBGA 공급자 장치 패키지: 144-TWBGA (11x18.5)	재고 있음8,226
IS49NLS18160-33B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음5,508
IS49NLS18160-33BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음3,580
IS49NLS18160-33BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음6,498
IS49NLS18160-33BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음5,796
IS49NLS18160-33WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 300MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (16M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TBGA 공급자 장치 패키지: 144-TWBGA (11x18.5)	재고 있음6,984
IS49NLS18320-25B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음5,310
IS49NLS18320-25BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음7,614
IS49NLS18320-25BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음4,698
IS49NLS18320-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음5,616
IS49NLS18320-33B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음6,138
IS49NLS18320-33BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음5,130
IS49NLS18320-33BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음3,544
IS49NLS18320-33BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음6,768
IS49NLS18320A-25WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 400MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TBGA 공급자 장치 패키지: 144-TWBGA (11x18.5)	재고 있음5,094
IS49NLS18320A-33WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 300MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TBGA 공급자 장치 패키지: 144-TWBGA (11x18.5)	재고 있음4,662
IS49NLS93200-25B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (32M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음7,812
IS49NLS93200-25BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (32M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음3,418
IS49NLS93200-25BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (32M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음4,284

IS49NLC96400-25BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (64M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음2,268

IS49NLC96400-33B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (64M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음4,914

IS49NLC96400-33BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (64M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음6,552

IS49NLC96400-33BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (64M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음3,600

IS49NLC96400-33BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (64M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음5,958

IS49NLC96400A-25WBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 400MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (64M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TBGA
공급자 장치 패키지: 144-TWBGA (11x18.5)

재고 있음3,546

IS49NLC96400A-33WBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 300MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (64M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TBGA
공급자 장치 패키지: 144-TWBGA (11x18.5)

재고 있음5,022

IS49NLS18160-25B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음3,852

IS49NLS18160-25BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음3,366

IS49NLS18160-25BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음4,374

IS49NLS18160-25BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음3,222

IS49NLS18160-25WBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 400MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TBGA
공급자 장치 패키지: 144-TWBGA (11x18.5)

재고 있음8,226

IS49NLS18160-33B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음5,508

IS49NLS18160-33BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음3,580

IS49NLS18160-33BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음6,498

IS49NLS18160-33BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음5,796

IS49NLS18160-33WBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 300MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (16M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TBGA
공급자 장치 패키지: 144-TWBGA (11x18.5)

재고 있음6,984

IS49NLS18320-25B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음5,310

IS49NLS18320-25BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음7,614

IS49NLS18320-25BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음4,698

IS49NLS18320-25BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음5,616

IS49NLS18320-33B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음6,138

IS49NLS18320-33BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음5,130

IS49NLS18320-33BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음3,544

IS49NLS18320-33BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음6,768

IS49NLS18320A-25WBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 400MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TBGA
공급자 장치 패키지: 144-TWBGA (11x18.5)

재고 있음5,094

IS49NLS18320A-33WBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 300MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TBGA
공급자 장치 패키지: 144-TWBGA (11x18.5)

재고 있음4,662

IS49NLS93200-25B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (32M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음7,812

IS49NLS93200-25BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (32M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음3,418

IS49NLS93200-25BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (32M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

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