메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
IS49NLS93200-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (32M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음4,950
IS49NLS93200-25WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 400MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (32M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TBGA 공급자 장치 패키지: 144-TWBGA (11x18.5)	재고 있음5,598
IS49NLS93200-33B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (32M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음6,894
IS49NLS93200-33BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (32M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음6,498
IS49NLS93200-33BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (32M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음5,166
IS49NLS93200-33BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (32M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음4,932
IS49NLS93200-33WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 300MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (32M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TBGA 공급자 장치 패키지: 144-TWBGA (11x18.5)	재고 있음8,748
IS49NLS96400-25B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (64M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음8,532
IS49NLS96400-25BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (64M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음7,524
IS49NLS96400-25BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (64M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음7,218
IS49NLS96400-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (64M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음5,202
IS49NLS96400-33B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (64M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음5,346
IS49NLS96400-33BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (64M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음8,118
IS49NLS96400-33BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (64M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음8,460
IS49NLS96400-33BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (64M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)	재고 있음7,002
IS49NLS96400A-25WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 400MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (64M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TBGA 공급자 장치 패키지: 144-TWBGA (11x18.5)	재고 있음7,110
IS49NLS96400A-33WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 300MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (64M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TBGA 공급자 장치 패키지: 144-TWBGA (11x18.5)	재고 있음7,578
IS49RL18320-093BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.066GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 10ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-LBGA 공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)	재고 있음2,070
IS49RL18320-093BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.066GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 10ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-LBGA 공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)	재고 있음6,606
IS49RL18320-093EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.066GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-LBGA 공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)	재고 있음5,040
IS49RL18320-093EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.066GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-LBGA 공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)	재고 있음2,376
IS49RL18320-107BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 10ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-LBGA 공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)	재고 있음5,400
IS49RL18320-107BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 10ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-LBGA 공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)	재고 있음7,686
IS49RL18320-107EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-LBGA 공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)	재고 있음7
IS49RL18320-107EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-LBGA 공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)	재고 있음3,490
IS49RL18320-125BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 12ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-LBGA 공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)	재고 있음4,932
IS49RL18320-125BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 12ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-LBGA 공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)	재고 있음7,002
IS49RL18320-125EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 10ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-LBGA 공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)	재고 있음8,316
IS49RL18320-125EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 10ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-LBGA 공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)	재고 있음7,146
IS49RL36160-093BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (16M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 1.066GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 10ns 전압-공급: 1.28V ~ 1.42V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-LBGA 공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)	재고 있음8,838

IS49NLS93200-25BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (32M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음4,950

IS49NLS93200-25WBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 400MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (32M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TBGA
공급자 장치 패키지: 144-TWBGA (11x18.5)

재고 있음5,598

IS49NLS93200-33B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (32M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음6,894

IS49NLS93200-33BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (32M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음6,498

IS49NLS93200-33BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (32M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음5,166

IS49NLS93200-33BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (32M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음4,932

IS49NLS93200-33WBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 300MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (32M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TBGA
공급자 장치 패키지: 144-TWBGA (11x18.5)

재고 있음8,748

IS49NLS96400-25B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (64M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음8,532

IS49NLS96400-25BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (64M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
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패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음7,524

IS49NLS96400-25BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (64M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
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패키지 / 케이스: 144-TFBGA
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재고 있음7,218

IS49NLS96400-25BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (64M x 9)
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시계 주파수: 400MHz
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패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음5,202

IS49NLS96400-33B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (64M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
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패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음5,346

IS49NLS96400-33BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (64M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
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패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음8,118

IS49NLS96400-33BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (64M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음8,460

IS49NLS96400-33BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (64M x 9)
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시계 주파수: 300MHz
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전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FCBGA (11x18.5)

재고 있음7,002

IS49NLS96400A-25WBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 400MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (64M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
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전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TBGA
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재고 있음7,110

IS49NLS96400A-33WBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 300MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (64M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TBGA
공급자 장치 패키지: 144-TWBGA (11x18.5)

재고 있음7,578

IS49RL18320-093BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.066GHz
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전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
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패키지 / 케이스: 168-LBGA
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재고 있음2,070

IS49RL18320-093BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.066GHz
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접근 시간: 10ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-LBGA
공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

재고 있음6,606

IS49RL18320-093EBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.066GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-LBGA
공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

재고 있음5,040

IS49RL18320-093EBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.066GHz
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접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-LBGA
공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

재고 있음2,376

IS49RL18320-107BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 10ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-LBGA
공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

재고 있음5,400

IS49RL18320-107BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 10ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-LBGA
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재고 있음7,686

IS49RL18320-107EBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-LBGA
공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

재고 있음7

IS49RL18320-107EBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-LBGA
공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

재고 있음3,490

IS49RL18320-125BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 12ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-LBGA
공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

재고 있음4,932

IS49RL18320-125BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 12ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-LBGA
공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

재고 있음7,002

IS49RL18320-125EBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 10ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-LBGA
공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

재고 있음8,316

IS49RL18320-125EBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 10ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-LBGA
공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

재고 있음7,146

IS49RL36160-093BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (16M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 1.066GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 10ns
전압-공급: 1.28V ~ 1.42V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-LBGA
공급자 장치 패키지: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

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