메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
IS61DDPB42M18A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR IIP 메모리 크기: 36Mb (2M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음7,092
IS61DDPB42M36A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR IIP 메모리 크기: 72Mb (2M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음7,110
IS61DDPB44M18A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR IIP 메모리 크기: 72Mb (4M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음6,264
IS61DDPB451236A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, DDR IIP 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.71V ~ 1.89V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-LBGA 공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)	재고 있음2,304
IS61LF102418A-6.5B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음3,960
IS61LF102418A-6.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음2,700
IS61LF102418A-6.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음6,768
IS61LF102418A-6.5B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음2,100
IS61LF102418A-6.5TQL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음7,470
IS61LF102418A-6.5TQL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음4,338
IS61LF102418A-7.5B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음7,110
IS61LF102418A-7.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음2,826
IS61LF102418A-7.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음3,060
IS61LF102418A-7.5B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음3,526
IS61LF102418A-7.5TQ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음8,676
IS61LF102418A-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음3,709
IS61LF102418A-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음6,552
IS61LF102418A-7.5TQ-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음8,496
IS61LF102418B-6.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 133MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-LQFP (14x20)	재고 있음6,516
IS61LF102418B-6.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 133MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-LQFP (14x20)	재고 있음6,318
IS61LF102418B-7.5TQ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-LQFP (14x20)	재고 있음4,032
IS61LF102418B-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-LQFP (14x20)	재고 있음5,130
IS61LF102418B-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-LQFP (14x20)	재고 있음8,748
IS61LF102418B-7.5TQ-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-LQFP (14x20)	재고 있음5,238
IS61LF102436A-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음4,320
IS61LF102436A-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음5,994
IS61LF102436B-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 117MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-LQFP (14x20)	재고 있음5,616
IS61LF102436B-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 36M PARALLEL 117MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-LQFP (14x20)	재고 있음8,676
IS61LF12836A-6.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음5,850
IS61LF12836A-6.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음6,408

IS61DDPB42M18A-400M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR IIP
메모리 크기: 36Mb (2M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.71V ~ 1.89V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)

재고 있음7,092

IS61DDPB42M36A-400M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR IIP
메모리 크기: 72Mb (2M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.71V ~ 1.89V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)

재고 있음7,110

IS61DDPB44M18A-400M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR IIP
메모리 크기: 72Mb (4M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.71V ~ 1.89V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)

재고 있음6,264

IS61DDPB451236A-400M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, DDR IIP
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.71V ~ 1.89V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-LBGA
공급자 장치 패키지: 165-LFBGA (15x17)

재고 있음2,304

IS61LF102418A-6.5B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
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IS61LF102418A-6.5B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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재고 있음3,060

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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재고 있음8,496

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 133MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 133MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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메모리 포맷: SRAM
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재고 있음4,032

IS61LF102418B-7.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
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재고 있음5,130

IS61LF102418B-7.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
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재고 있음8,748

IS61LF102418B-7.5TQ-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 18Mb (1M x 18)
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 36Mb (1M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 117MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 7.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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재고 있음4,320

IS61LF102436A-7.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 36Mb (1M x 36)
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시계 주파수: 117MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 7.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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재고 있음5,994

IS61LF102436B-7.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 117MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 36Mb (1M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 117MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 7.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-LQFP (14x20)

재고 있음5,616

IS61LF102436B-7.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 36M PARALLEL 117MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 36Mb (1M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 117MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 7.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-LQFP (14x20)

재고 있음8,676

IS61LF12836A-6.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
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시계 주파수: 133MHz
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전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)

재고 있음5,850

IS61LF12836A-6.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
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시계 주파수: 133MHz
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)

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