메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
IS61LF51218B-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 100LQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 9Mb (512K x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-LQFP (14x20)	재고 있음7,236
IS61LF51218B-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 9M PARALLEL 100LQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 9Mb (512K x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-LQFP (14x20)	재고 있음3,150
IS61LF51236A-6.5B2I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BBGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음2,088
IS61LF51236A-6.5B2I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BBGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음4,338
IS61LF51236A-6.5B2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BBGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음2,502
IS61LF51236A-6.5B2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 119-BBGA 공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)	재고 있음7,704
IS61LF51236A-6.5B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음7,506
IS61LF51236A-6.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음8,478
IS61LF51236A-6.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음8,406
IS61LF51236A-6.5B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음8,298
IS61LF51236A-7.5B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음2,862
IS61LF51236A-7.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음3,294
IS61LF51236A-7.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음4,932
IS61LF51236A-7.5B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음3,708
IS61LF51236A-7.5B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음5,562
IS61LF51236A-7.5B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음8,136
IS61LF51236A-7.5TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음3,348
IS61LF51236A-7.5TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음6,786
IS61LF51236A-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음3,330
IS61LF51236A-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음5,490
IS61LF51236B-6.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-LQFP (14x20)	재고 있음3,762
IS61LF51236B-6.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 6.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-LQFP (14x20)	재고 있음8,334
IS61LF51236B-7.5B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 117MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TFBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음2,466
IS61LF51236B-7.5B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 117MHZ 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 165-TFBGA 공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)	재고 있음8,244
IS61LF51236B-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-LQFP (14x20)	재고 있음7,686
IS61LF51236B-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 18Mb (512K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 117MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 7.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-LQFP (14x20)	재고 있음5,850
IS61LF6436A-8.5TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 2Mb (64K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 90MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음6,678
IS61LF6436A-8.5TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 2Mb (64K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 90MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음6,786
IS61LF6436A-8.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 2Mb (64K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 90MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음3,852
IS61LF6436A-8.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기: 2Mb (64K x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 90MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 8.5ns 전압-공급: 3.135V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LQFP 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)	재고 있음5,688

IS61LF51218B-7.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 100LQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 9Mb (512K x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 117MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 7.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-LQFP (14x20)

재고 있음7,236

IS61LF51218B-7.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 100LQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 9Mb (512K x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 117MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 7.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-LQFP (14x20)

재고 있음3,150

IS61LF51236A-6.5B2I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 6.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 119-BBGA
공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)

재고 있음2,088

IS61LF51236A-6.5B2I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 6.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 119-BBGA
공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)

재고 있음4,338

IS61LF51236A-6.5B2LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 6.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 119-BBGA
공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)

재고 있음2,502

IS61LF51236A-6.5B2LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
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시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 119-BBGA
공급자 장치 패키지: 119-PBGA (14x22)

재고 있음7,704

IS61LF51236A-6.5B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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재고 있음7,506

IS61LF51236A-6.5B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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재고 있음8,478

IS61LF51236A-6.5B3I-TR

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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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재고 있음8,406

IS61LF51236A-6.5B3-TR

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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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재고 있음8,298

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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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재고 있음2,862

IS61LF51236A-7.5B3I

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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
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재고 있음3,294

IS61LF51236A-7.5B3I-TR

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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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메모리 유형: Volatile
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재고 있음4,932

IS61LF51236A-7.5B3LI

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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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재고 있음3,708

IS61LF51236A-7.5B3LI-TR

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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
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재고 있음5,562

IS61LF51236A-7.5B3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
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재고 있음8,136

IS61LF51236A-7.5TQI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
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재고 있음3,348

IS61LF51236A-7.5TQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
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기술: SRAM - Synchronous, SDR
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재고 있음6,786

IS61LF51236A-7.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
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재고 있음3,330

IS61LF51236A-7.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
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재고 있음5,490

IS61LF51236B-6.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
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재고 있음3,762

IS61LF51236B-6.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
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메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
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접근 시간: 6.5ns
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장착 유형: Surface Mount
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재고 있음8,334

IS61LF51236B-7.5B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 18M PARALLEL 117MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 117MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 7.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 165-TFBGA
공급자 장치 패키지: 165-TFBGA (13x15)

재고 있음2,466

IS61LF51236B-7.5B3LI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 117MHZ

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 117MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 7.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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장착 유형: Surface Mount
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재고 있음8,244

IS61LF51236B-7.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 117MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 7.5ns
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재고 있음7,686

IS61LF51236B-7.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 18Mb (512K x 36)
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시계 주파수: 117MHz
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접근 시간: 7.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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재고 있음5,850

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 90MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
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장착 유형: Surface Mount
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재고 있음6,678

IS61LF6436A-8.5TQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 90MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)

재고 있음6,786

IS61LF6436A-8.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 90MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)

재고 있음3,852

IS61LF6436A-8.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, SDR
메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 90MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 8.5ns
전압-공급: 3.135V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LQFP
공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x20)

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