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부품 번호	설명	재고 있음
BD2270HFV-LBTR Rohm Semiconductor	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET CTLR 5-HVSOF 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 구동 구성: High-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 2.7V ~ 5.5V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 130µs, 18µs 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-665 공급자 장치 패키지: HVSOF5	재고 있음3,042
BD2270HFV-TR Rohm Semiconductor	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET CTLR LOAD SW 5-HVSOF 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 구동 구성: High-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 2.7V ~ 5.5V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 130µs, 18µs 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-665 공급자 장치 패키지: HVSOF5	재고 있음150,012
BD6562FV-LBE2 Rohm Semiconductor	PMIC-게이트 드라이버 IC DVR IGBT/MOSFET 2CH 16SSOP 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 25V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 600mA, 600mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 작동 온도: -25°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-LSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SSOP-B	재고 있음2,142
BD6563FV-LBE2 Rohm Semiconductor	PMIC-게이트 드라이버 IC DVR IGBT/MOSFET 3CH 16SSOP 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 3 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 25V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 600mA, 600mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 작동 온도: -25°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-LSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SSOP-B	재고 있음3,528
BM60212FV-CE2 Rohm Semiconductor	PMIC-게이트 드라이버 PWR MGMT LINEAR REGULATOR 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q100 구동 구성: High-Side or Low-Side 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 24V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4.5A, 3.9A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 1200V 상승 / 하강 시간 (일반): 50ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 20-SSOP (0.240", 6.10mm Width) 공급자 장치 패키지: 20-SSOP-BW	재고 있음23,898
BM60213FV-CE2 Rohm Semiconductor	PMIC-게이트 드라이버 1200 V HIGH VOLTAGE HIGH AND LOW 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q100 구동 구성: High-Side or Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 24V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4.5A, 3.9A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 1200V 상승 / 하강 시간 (일반): 50ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 20-SSOP (0.240", 6.10mm Width) 공급자 장치 패키지: 20-SSOP-BW	재고 있음4,392
BM6103FV-CE2 Rohm Semiconductor	PMIC-게이트 드라이버 1 CHANNEL GATE DRIVER 20-PIN SSO 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: - 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5 ~ 5.5V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 50ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 20-LSSOP (0.240", 6.10mm Width) 공급자 장치 패키지: 20-SSOP-B	재고 있음5,364
BS2100F-E2 Rohm Semiconductor	PMIC-게이트 드라이버 IC DVR IGBT/MOSFET 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 1V, 2.6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 60mA, 130mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 200ns, 100ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음8,856
BS2101F-E2 Rohm Semiconductor	PMIC-게이트 드라이버 600V HIGH VOLTAGE HIGH & LOW-SID 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 구동 구성: High-Side or Low-Side 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 1V, 2.6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 60mA, 130mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 60ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음8,316
BS2103F-E2 Rohm Semiconductor	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 1V, 2.6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 60mA, 130mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 200ns, 100ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOP	재고 있음4,590
BUK218-50DC,118 NXP	PMIC-게이트 드라이버 TOPFET DUAL SWITCH D2PAK 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 구동 구성: High-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 5.5V ~ 35V 논리 전압-VIL, VIH: 1.2V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 8A, 8A 입력 유형: - 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB 공급자 장치 패키지: D2PAK-7	재고 있음2,250
BUK218-50DY,118 NXP	PMIC-게이트 드라이버 TOPFET DUAL SWITCH D2PAK 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 구동 구성: High-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 5.5V ~ 35V 논리 전압-VIL, VIH: 1.2V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 8A, 8A 입력 유형: - 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB 공급자 장치 패키지: D2PAK-7	재고 있음6,156
CHL8505CRT Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRIVER 5V 10DFN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 1V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 35V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 8ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 10-DFN (3x3)	재고 있음8,532
CHL8510CRT Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 10DFN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 1V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 4A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 35V 상승 / 하강 시간 (일반): 21ns, 18ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 10-DFN (3x3)	재고 있음25,002
CHL8515CRT Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 10DFN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 1V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 35V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 8ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 10-DFN (3x3)	재고 있음4,590
CHL8550CRT Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 10DFN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 1V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 35V 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 8ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 10-DFN (3x3)	재고 있음7,110
CS8312YDR8 ON Semiconductor	PMIC-게이트 드라이버 IC PREDRIVER IGBT IGNITION 8SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 7V ~ 10V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,052
CS8312YN8 ON Semiconductor	PMIC-게이트 드라이버 IC PREDRIVER IGBT IGNITION 8DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 7V ~ 10V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음5,832
CSD108 Power Integrations	PMIC-게이트 드라이버 MODULE GATE DVR P&P SCALE 1 제조업체: Power Integrations 시리즈: - 구동 구성: - 채널 유형: - 드라이버 수: - 게이트 유형: - 전압-공급: - 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: - 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,542
CSD123 Power Integrations	PMIC-게이트 드라이버 IGBT GATE DRIVER PLUG&PLAY 제조업체: Power Integrations 시리즈: - 구동 구성: - 채널 유형: - 드라이버 수: - 게이트 유형: - 전압-공급: - 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: - 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,924
CSD128 Power Integrations	PMIC-게이트 드라이버 MODULE GATE DVR P&P SCALE 1 제조업체: Power Integrations 시리즈: - 구동 구성: - 채널 유형: - 드라이버 수: - 게이트 유형: - 전압-공급: - 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): - 입력 유형: - 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,948
DEIC421 IXYS	PMIC-게이트 드라이버 RF MOSFET DRIVER 20 AMP 제조업체: IXYS 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 8V ~ 30V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 20A, 20A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 3ns, 3ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 7-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지: DE275	재고 있음2,610
DGD0215WT-7 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRIVER SOT25 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.9A, 1.8A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 15ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 공급자 장치 패키지: TSOT-25	재고 있음4,896
DGD0216WT-7 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRIVER SOT25 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.9A, 1.8A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 15ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 공급자 장치 패키지: TSOT-25	재고 있음5,706
DGD0227S8-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SO 2.5K 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.7V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4A, 4A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 20ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음5,454
DGD0503FN-7 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALFBRDG DFN3030-10 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 100V 상승 / 하강 시간 (일반): 70ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-WFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: W-DFN3030-10 (Type TH)	재고 있음6,534
DGD0504FN-7 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALFBRDG DFN3030-10 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 100V 상승 / 하강 시간 (일반): 70ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-WFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: W-DFN3030-10 (Type TH)	재고 있음28,062
DGD05062FN-7 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALFBRDG DFN3030-10 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 8V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.5A, 2.5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 50V 상승 / 하강 시간 (일반): 17ns, 12ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-WFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: W-DFN3030-10	재고 있음8,082
DGD0506AFN-7 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALFBRDG DFN3030-10 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 8V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.5A, 2A 입력 유형: CMOS/TTL 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 50V 상승 / 하강 시간 (일반): 17ns, 12ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-WFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: W-DFN3030-10	재고 있음7,344
DGD0506AM10-13 Diodes Incorporated	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10MSOP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 8V ~ 14V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.5A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 50V 상승 / 하강 시간 (일반): 17ns, 12ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지: 10-MSOP	재고 있음18,948

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