트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BUK9524-55A,127 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 46A TO220AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21.7mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1815pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 105W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음4,338
BUK9528-100A,127 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 49A TO220AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 49A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4293pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 166W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,150
BUK9528-55A,127 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 42A TO220AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 99W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음2,682
BUK9529-100B,127 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 46A TO220AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4360pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 157W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음6,354
BUK952R3-40E,127 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 87.8nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13160pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 293W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음5,220
BUK952R8-30B,127 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 89nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10185pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음2,934
BUK952R8-60E,127 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 120nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 17450pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 349W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음6,048
BUK9535-100A,127 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 41A TO220AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 41A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3573pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 149W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음4,500
BUK9535-55,127 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 34A TO220AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 85W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음8,694
BUK9535-55A,127 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 34A TO220AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1173pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 85W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음5,706
BUK953R2-40B,127 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10502pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음6,858
BUK953R2-40E,127 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 69.5nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9150pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 234W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음2,520
BUK953R5-60E,127 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 95nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13490pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 293W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음6,264
BUK9540-100A,127 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 39A TO220AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 39A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3072pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 158W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음7,470
BUK954R2-55B,127 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 95nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10220pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음5,958
BUK954R4-40B,127 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7124pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 254W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음6,516
BUK954R4-80E,127 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 123nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 17130pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 349W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음2,304
BUK954R8-60E,127 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9710pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 234W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,348
BUK956R1-100E,127 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 133nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 17460pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 349W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,526
BUK9575-100A,127 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1704pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 99W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음5,832
BUK9575-55A,127 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 20A TO220AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 643pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 62W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,132
BUK958R5-40E,127 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.9nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 96W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,456
BUK9604-40A,118 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.3V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 128nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8260pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음6,534
BUK9605-30A,118 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 230W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음35,616
BUK9606-40B,118 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4901pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 203W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음2,610
BUK9606-55A,118 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음19,284
BUK9606-55B,118 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7565pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 258W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음8,694
BUK9606-75B,118 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 95nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11693pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음18,540
BUK9607-30B,118 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3373pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 157W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,222
BUK9608-55,118 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6900pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 187W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,266

BUK9524-55A,127

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 46A TO220AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1815pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 105W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음4,338

BUK9528-100A,127

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 49A TO220AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 49A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4293pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 166W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,150

BUK9528-55A,127

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 42A TO220AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 99W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음2,682

BUK9529-100B,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 46A TO220AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4360pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 157W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음6,354

BUK952R3-40E,127

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 87.8nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13160pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 293W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음5,220

BUK952R8-30B,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 89nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10185pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음2,934

BUK952R8-60E,127

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 120nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 17450pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 349W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음6,048

BUK9535-100A,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 41A TO220AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 41A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3573pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 149W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음4,500

BUK9535-55,127

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 34A TO220AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 85W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음8,694

BUK9535-55A,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 34A TO220AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1173pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 85W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음5,706

BUK953R2-40B,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10502pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음6,858

BUK953R2-40E,127

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 69.5nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9150pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 234W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음2,520

BUK953R5-60E,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 95nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13490pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 293W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음6,264

BUK9540-100A,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 39A TO220AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 39A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3072pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 158W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음7,470

BUK954R2-55B,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 95nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10220pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음5,958

BUK954R4-40B,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7124pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 254W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음6,516

BUK954R4-80E,127

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 123nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 17130pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 349W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음2,304

BUK954R8-60E,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9710pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 234W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,348

BUK956R1-100E,127

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 133nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 17460pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 349W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,526

BUK9575-100A,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1704pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 99W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음5,832

BUK9575-55A,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 20A TO220AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 643pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 62W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,132

BUK958R5-40E,127

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.9nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 96W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,456

BUK9604-40A,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.3V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 128nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8260pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음6,534

BUK9605-30A,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 230W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음35,616

BUK9606-40B,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4901pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 203W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음2,610

BUK9606-55A,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tj)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음19,284

BUK9606-55B,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7565pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 258W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음8,694

BUK9606-75B,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 95nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11693pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음18,540

BUK9607-30B,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3373pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 157W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,222

BUK9608-55,118

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6900pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 187W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,266

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