트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BUK98150-55,135 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT-223 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 8.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음3,582
BUK98150-55A,135 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT-223 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.3nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음6,678
BUK98150-55A/CUF Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.3nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-73 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음623,382
BUK98150-55/CUF Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 8.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-73 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음5,130
BUK98180-100A,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT-223 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 173mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 619pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음4,014
BUK98180-100A/CUX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT223 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 173mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 619pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-73 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음556,098
BUK9832-55A,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 12A SOT223 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1594pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음8,100
BUK9832-55A/CUX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 12A SOT223 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1594pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-73 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음759,276
BUK9840-55,115 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-73 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음2,520
BUK9840-55/CUX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta), 10.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 8.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-73 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음5,544
BUK9875-100A,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 7A SOT-223 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1690pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음2,340
BUK9875-100A/CUX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 7A SOT223 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1690pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-73 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음265,524
BUK9880-55,135 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 8.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-73 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음5,364
BUK9880-55A,115 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 7A SOT223 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 584pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음2,682
BUK9880-55A/CUX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 7A SOT223 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 584pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-73 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음1,060,482
BUK9880-55/CUF Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 8.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-73 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음4,896
BUK9907-40ATC,127 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5836pF @ 25V FET 기능: Temperature Sensing Diode 전력 손실 (최대): 272W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-5 패키지 / 케이스: TO-220-5	재고 있음6,408
BUK9907-55ATE,127 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 108nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5836pF @ 25V FET 기능: Temperature Sensing Diode 전력 손실 (최대): 272W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-5 패키지 / 케이스: TO-220-5	재고 있음4,806
BUK9C10-55BIT/A,11 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 55V N CH TRENCHFET 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: TrenchPLUS FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4667pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 194W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK-7 패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	재고 있음6,894
BUK9C10-65BIT,118 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 9605 AUTO TRENCH PLUS 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 65V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59.6nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4170pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 171W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK-7 패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	재고 있음3,690
BUK9C1R3-40EJ NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V D2PAK 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 190A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 90A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK-7 패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	재고 있음2,412
BUK9C2R2-60EJ NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V D2PAK 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK-7 패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	재고 있음3,402
BUK9C3R8-80EJ NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V D2PAK 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK-7 패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	재고 있음8,136
BUK9C5R3-100EJ NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V D2PAK 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK-7 패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	재고 있음3,114
BUK9D23-40EX Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 8A 6DFN2020MD 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 637pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 15W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DFN2020MD-6 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad	재고 있음27,516
BUK9E04-30B,127 NXP	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6526pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 254W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAK 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음6,732
BUK9E04-40A,127 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.3V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 128nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8260pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAK 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음6,012
BUK9E06-55A,127 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAK 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음8,874
BUK9E06-55B,127 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7565pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 258W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAK 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음8,442
BUK9E08-55B,127 Nexperia	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5280pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 203W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAK 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음21,090

BUK98150-55,135

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT-223

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 8.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음3,582

BUK98150-55A,135

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT-223

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.3nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음6,678

BUK98150-55A/CUF

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.3nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-73
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음623,382

BUK98150-55/CUF

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 8.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-73
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음5,130

BUK98180-100A,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT-223

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 173mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 619pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음4,014

BUK98180-100A/CUX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT223

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 173mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 619pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-73
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음556,098

BUK9832-55A,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 12A SOT223

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1594pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음8,100

BUK9832-55A/CUX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 12A SOT223

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1594pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-73
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음759,276

BUK9840-55,115

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 5A SOT223

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-73
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음2,520

BUK9840-55/CUX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 5A SOT223

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta), 10.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 8.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-73
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음5,544

BUK9875-100A,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 7A SOT-223

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1690pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음2,340

BUK9875-100A/CUX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 7A SOT223

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1690pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-73
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음265,524

BUK9880-55,135

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 8.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-73
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음5,364

BUK9880-55A,115

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 7A SOT223

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 584pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음2,682

BUK9880-55A/CUX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 7A SOT223

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 584pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-73
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음1,060,482

BUK9880-55/CUF

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 8.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-73
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음4,896

BUK9907-40ATC,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5836pF @ 25V
FET 기능: Temperature Sensing Diode
전력 손실 (최대): 272W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-5
패키지 / 케이스: TO-220-5

재고 있음6,408

BUK9907-55ATE,127

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 108nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5836pF @ 25V
FET 기능: Temperature Sensing Diode
전력 손실 (최대): 272W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-5
패키지 / 케이스: TO-220-5

재고 있음4,806

BUK9C10-55BIT/A,11

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

55V N CH TRENCHFET

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: TrenchPLUS
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4667pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 194W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK-7
패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

재고 있음6,894

BUK9C10-65BIT,118

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

9605 AUTO TRENCH PLUS

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 65V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59.6nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4170pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 171W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK-7
패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

재고 있음3,690

BUK9C1R3-40EJ

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V D2PAK

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 190A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 90A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK-7
패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

재고 있음2,412

BUK9C2R2-60EJ

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V D2PAK

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK-7
패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

재고 있음3,402

BUK9C3R8-80EJ

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V D2PAK

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK-7
패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

재고 있음8,136

BUK9C5R3-100EJ

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V D2PAK

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK-7
패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

재고 있음3,114

BUK9D23-40EX

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 8A 6DFN2020MD

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 637pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 15W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DFN2020MD-6
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad

재고 있음27,516

BUK9E04-30B,127

NXP

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6526pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 254W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAK
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음6,732

BUK9E04-40A,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.3V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 128nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8260pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAK
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음6,012

BUK9E06-55A,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAK
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음8,874

BUK9E06-55B,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7565pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 258W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAK
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음8,442

BUK9E08-55B,127

Nexperia

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5280pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 203W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAK
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음21,090

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