트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IRLHS6242TR2PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 10A PQFN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1110pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.98W (Ta), 9.6W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-PQFN (2x2) 패키지 / 케이스: 6-PowerVDFN	재고 있음3,978
IRLHS6242TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 10A PQFN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1110pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.98W (Ta), 9.6W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-PQFN (2x2) 패키지 / 케이스: 6-PowerVDFN	재고 있음31,392
IRLHS6342TR2PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.7A (Ta), 19A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1019pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-PQFN (2x2) 패키지 / 케이스: 6-PowerVDFN	재고 있음7,668
IRLHS6342TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.7A (Ta), 19A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1019pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-PQFN (2x2) 패키지 / 케이스: 6-PowerVDFN	재고 있음79,692
IRLI2203N Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 61A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 37A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 47W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음6,822
IRLI2203NPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 61A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 37A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 47W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음5,526
IRLI2505 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 58A TO220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 58A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 31A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 63W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음2,574
IRLI2910 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3700pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 63W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음6,426
IRLI2910PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3700pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 63W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음223,356
IRLI3705NPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 52A TO220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 52A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 98nC @ 5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 58W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음21,192
IRLI3803 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 76A TO220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 76A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 63W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음2,574
IRLI3803PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 76A TO220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 76A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 63W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음7,902
IRLI510ATU ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 2.8A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 235pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 37W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAK (TO-262) 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음5,508
IRLI520G Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.3A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 490pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 37W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음4,752
IRLI520GPBF Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.3A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 490pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 37W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음2,124
IRLI520N Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 30W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음3,600
IRLI520NPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 30W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음42,522
IRLI530G Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5.8A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 930pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 42W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음4,554
IRLI530GPBF Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5.8A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 930pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 42W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음14,904
IRLI530N Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 41W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음4,194
IRLI530NPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 41W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음87,132
IRLI540G Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 17A TO220FP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 10A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 48W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음3,870
IRLI540GPBF Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 17A TO220FP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 10A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 48W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음12,930
IRLI540N Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 54W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음6,966
IRLI540NPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 54W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음21,522
IRLI610ATU ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.65A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 240pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 33W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I2PAK (TO-262) 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음6,534
IRLI620G Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.4A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 360pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 30W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음7,254
IRLI620GPBF Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.4A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 360pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 30W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음2,466
IRLI630G Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.7A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 35W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음5,598
IRLI630GPBF Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.7A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 35W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음12,438

IRLHS6242TR2PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 10A PQFN

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1110pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.98W (Ta), 9.6W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-PQFN (2x2)
패키지 / 케이스: 6-PowerVDFN

재고 있음3,978

IRLHS6242TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 10A PQFN

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1110pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.98W (Ta), 9.6W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-PQFN (2x2)
패키지 / 케이스: 6-PowerVDFN

재고 있음31,392

IRLHS6342TR2PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.7A (Ta), 19A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1019pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-PQFN (2x2)
패키지 / 케이스: 6-PowerVDFN

재고 있음7,668

IRLHS6342TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.7A (Ta), 19A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1019pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-PQFN (2x2)
패키지 / 케이스: 6-PowerVDFN

재고 있음79,692

IRLI2203N

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 61A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 47W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음6,822

IRLI2203NPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 61A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 47W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음5,526

IRLI2505

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 58A TO220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 58A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 31A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 63W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음2,574

IRLI2910

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3700pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 63W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음6,426

IRLI2910PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3700pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 63W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음223,356

IRLI3705NPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 52A TO220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 52A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 98nC @ 5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 58W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음21,192

IRLI3803

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 76A TO220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 76A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 63W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음2,574

IRLI3803PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 76A TO220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 76A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 63W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음7,902

IRLI510ATU

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 2.8A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 235pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 37W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAK (TO-262)
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음5,508

IRLI520G

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.3A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 490pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 37W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음4,752

IRLI520GPBF

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.3A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 490pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 37W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음2,124

IRLI520N

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 30W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음3,600

IRLI520NPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 30W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음42,522

IRLI530G

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5.8A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 930pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 42W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음4,554

IRLI530GPBF

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5.8A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 930pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 42W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음14,904

IRLI530N

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 41W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음4,194

IRLI530NPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 41W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음87,132

IRLI540G

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 17A TO220FP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 10A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 48W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음3,870

IRLI540GPBF

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 17A TO220FP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 10A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 48W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음12,930

IRLI540N

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 54W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음6,966

IRLI540NPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 54W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음21,522

IRLI610ATU

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.65A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 240pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I2PAK (TO-262)
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음6,534

IRLI620G

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.4A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 360pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 30W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음7,254

IRLI620GPBF

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.4A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 360pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 30W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음2,466

IRLI630G

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.7A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 35W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음5,598

IRLI630GPBF

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.7A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 35W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음12,438

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