트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IRLML2402TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 930mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 110pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 540mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음2,288,478
IRLML2502GTRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 740pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.25W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음7,398
IRLML2502TR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 740pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.25W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음7,092
IRLML2502TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 740pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.25W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음789,030
IRLML2803TR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 85pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 540mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음2,160
IRLML2803TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 85pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 540mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음631,686
IRLML5103TR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 760mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.1nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 75pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 540mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음5,310
IRLML5103TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 760mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.1nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 75pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 540mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음59,328
IRLML5203 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 510pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.25W (Ta) 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음6,822
IRLML5203TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 510pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.25W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음248,382
IRLML6244TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 700pF @ 16V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음85,824
IRLML6246TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 5µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 16V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음593,490
IRLML6302TR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 780mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.6nC @ 4.45V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 97pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 540mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음2,682
IRLML6302TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 780mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.6nC @ 4.45V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 97pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 540mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음288,588
IRLML6344TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 5A SOT23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음2,249,700
IRLML6346TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.9nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 24V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음725,250
IRLML6401TR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 830pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음7,092
IRLML6401TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 830pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음1,835,610
IRLML6402GTRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 633pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음2,070
IRLML6402TR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 633pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음5,346
IRLML6402TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 633pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음1,221,318
IRLML9301TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT-23-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 388pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음245,898
IRLML9303TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT-23-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 160pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.25W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음87,858
IRLMS1503TR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 210pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.7W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro6™(TSOP-6) 패키지 / 케이스: SOT-23-6	재고 있음7,956
IRLMS1503TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 210pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.7W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro6™(TSOP-6) 패키지 / 케이스: SOT-23-6	재고 있음80,112
IRLMS1902TR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.7W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro6™(TSOP-6) 패키지 / 케이스: SOT-23-6	재고 있음6,030
IRLMS1902TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.7W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro6™(TSOP-6) 패키지 / 케이스: SOT-23-6	재고 있음277,416
IRLMS2002 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 6.5A TSOP-6 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1310pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro6™(SOT23-6) 패키지 / 케이스: SOT-23-6	재고 있음7,524
IRLMS2002GTRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 6.5A 6TSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1310pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro6™(SOT23-6) 패키지 / 케이스: SOT-23-6	재고 있음5,562
IRLMS2002TR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1310pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro6™(SOT23-6) 패키지 / 케이스: SOT-23-6	재고 있음7,344

IRLML2402TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 930mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 110pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 540mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음2,288,478

IRLML2502GTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 740pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.25W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음7,398

IRLML2502TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 740pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.25W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음7,092

IRLML2502TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 740pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.25W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음789,030

IRLML2803TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 85pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 540mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음2,160

IRLML2803TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 910mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 85pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 540mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음631,686

IRLML5103TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 760mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 75pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 540mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음5,310

IRLML5103TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 760mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 75pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 540mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음59,328

IRLML5203

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 510pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.25W (Ta)
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음6,822

IRLML5203TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 510pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.25W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음248,382

IRLML6244TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 700pF @ 16V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음85,824

IRLML6246TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 5µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 16V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음593,490

IRLML6302TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 780mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.6nC @ 4.45V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 97pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 540mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음2,682

IRLML6302TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 780mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.6nC @ 4.45V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 97pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 540mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음288,588

IRLML6344TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 5A SOT23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 650pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음2,249,700

IRLML6346TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.9nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 24V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음725,250

IRLML6401TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 830pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음7,092

IRLML6401TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 830pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음1,835,610

IRLML6402GTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 633pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음2,070

IRLML6402TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 633pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음5,346

IRLML6402TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 633pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음1,221,318

IRLML9301TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT-23-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 388pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음245,898

IRLML9303TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT-23-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 160pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.25W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음87,858

IRLMS1503TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 210pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.7W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro6™(TSOP-6)
패키지 / 케이스: SOT-23-6

재고 있음7,956

IRLMS1503TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 210pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.7W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro6™(TSOP-6)
패키지 / 케이스: SOT-23-6

재고 있음80,112

IRLMS1902TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.7W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro6™(TSOP-6)
패키지 / 케이스: SOT-23-6

재고 있음6,030

IRLMS1902TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.7W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro6™(TSOP-6)
패키지 / 케이스: SOT-23-6

재고 있음277,416

IRLMS2002

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 6.5A TSOP-6

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1310pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro6™(SOT23-6)
패키지 / 케이스: SOT-23-6

재고 있음7,524

IRLMS2002GTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 6.5A 6TSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1310pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro6™(SOT23-6)
패키지 / 케이스: SOT-23-6

재고 있음5,562

IRLMS2002TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1310pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro6™(SOT23-6)
패키지 / 케이스: SOT-23-6

재고 있음7,344

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