트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IRLL110PBF Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.1nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 3.1W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음2,448
IRLL110TR Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.1nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 3.1W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음6,714
IRLL110TRPBF Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.1nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 3.1W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음274,044
IRLL1503 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 75A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 140A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 200nC @ 10V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5730pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음2,700
IRLL1503TR Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V SOT223 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음3,798
IRLL1905TR Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 1.6A SOT223 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음7,218
IRLL2703 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 530pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음3,726
IRLL2703PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 530pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음4,212
IRLL2703TR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 530pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음3,508
IRLL2703TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 530pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음40,782
IRLL2705PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음2,214
IRLL2705TR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음4,446
IRLL2705TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음122,520
IRLL3303 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음5,634
IRLL3303PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음4,158
IRLL3303TR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음6,588
IRLL3303TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음150,780
IRLM110ATF ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 750mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 235pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.2W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음7,704
IRLM120ATF ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.15A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음7,074
IRLM210ATF ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 770MA SOT-223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 770mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 390mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 240pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음5,256
IRLM220ATF ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT-223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.13A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 570mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음31,416
IRLML0030TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 382pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음349,704
IRLML0040TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT-23-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 3.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 266pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음8,118
IRLML0060TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.25W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음2,790,528
IRLML0100TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음7,038
IRLML2030TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 110pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음83,352
IRLML2060TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.67nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 64pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.25W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음197,118
IRLML2244TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 570pF @ 16V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음101,034
IRLML2246TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.9nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 16V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음544,686
IRLML2402TR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 930mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 110pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 540mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음8,838

IRLL110PBF

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.1nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음2,448

IRLL110TR

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.1nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음6,714

IRLL110TRPBF

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.1nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음274,044

IRLL1503

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 75A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 140A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 200nC @ 10V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5730pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음2,700

IRLL1503TR

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V SOT223

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음3,798

IRLL1905TR

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 1.6A SOT223

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음7,218

IRLL2703

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 530pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음3,726

IRLL2703PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 530pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음4,212

IRLL2703TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 530pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음3,508

IRLL2703TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 530pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음40,782

IRLL2705PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음2,214

IRLL2705TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음4,446

IRLL2705TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음122,520

IRLL3303

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음5,634

IRLL3303PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음4,158

IRLL3303TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음6,588

IRLL3303TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음150,780

IRLM110ATF

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 750mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 235pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.2W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음7,704

IRLM120ATF

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.15A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음7,074

IRLM210ATF

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 770MA SOT-223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 770mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 390mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 240pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음5,256

IRLM220ATF

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT-223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.13A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 570mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음31,416

IRLML0030TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 382pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음349,704

IRLML0040TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT-23-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 266pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음8,118

IRLML0060TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.25W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음2,790,528

IRLML0100TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음7,038

IRLML2030TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 110pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음83,352

IRLML2060TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.67nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 64pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.25W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음197,118

IRLML2244TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 570pF @ 16V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음101,034

IRLML2246TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.9nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 16V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음544,686

IRLML2402TR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 930mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 110pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 540mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Micro3™/SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음8,838

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